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GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
被引量:
1
1
作者
陈伟华
廖辉
+6 位作者
胡晓东
李睿
贾全杰
金元浩
杜为民
杨志坚
张国义
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1441-1444,共4页
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,...
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。
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关键词
GAN基激光器
多量子阱(MQWs)
ALINGAN
垒材料
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职称材料
AlInGaN量子阱垒层材料的优化
2
作者
文锋
刘德明
黄黎蓉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期893-897,共5页
采用k.p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱导带和价带的能带结构,并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发...
采用k.p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱导带和价带的能带结构,并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AlInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AlInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法,并给予了物理解释.
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关键词
AIInGaN
极化电场
自发发射谱
垒材料
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职称材料
短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的LP-MOVPE生长
被引量:
1
3
作者
安海岩
杨树人
+2 位作者
秦福文
王本忠
刘式墉
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1994年第3期62-66,共5页
本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三申基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,AsH_3和PH_3为Ⅴ族源,在(100)方向掺S的n ̄+InP衬底上生长短波长In_xGa_(1-...
本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三申基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,AsH_3和PH_3为Ⅴ族源,在(100)方向掺S的n ̄+InP衬底上生长短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的生长条件,并用双晶X射线衍射(DCD)和光荧光(PL)对不同条件下生长的短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料进行了表征。
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关键词
量子阱
激光器
垒材料
LP-MOVPE
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职称材料
固定波长应变量子阱的设计与比较
被引量:
2
4
作者
张哲民
黄德修
李同宁
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第12期1083-1086,共4页
针对lnGaAsP材料,我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大,阱宽越窄,其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大,以及其较大的态密度,使...
针对lnGaAsP材料,我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大,阱宽越窄,其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大,以及其较大的态密度,使得张应变量子阱的微分增益比压应变和匹配量子阱的大得多如果固定的张应变量只能使第一子带为LH,第二子带为HH,则存在一个最优的阱宽,阱宽太小不能消除LHI与HH2的耦合,阱宽太大又会带来LH3与HH2的耦合。
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关键词
应变量子阱
增益系数
激光器
设计
垒
层
材料
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职称材料
题名
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
被引量:
1
1
作者
陈伟华
廖辉
胡晓东
李睿
贾全杰
金元浩
杜为民
杨志坚
张国义
机构
人工微结构与介观物理国家重点实验室
中国科学院高能物理研究所
北京大学现代光学研究所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1441-1444,共4页
基金
国家自然科学基金项目(60776042)
“863”计划项目(2007AA03Z403)
国家重大科学研究计划项目(2006CB921607)资助
文摘
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。
关键词
GAN基激光器
多量子阱(MQWs)
ALINGAN
垒材料
Keywords
GaN-based LD
Multi-quantum-well (MQW)
AIlnGaN
Barrier material
分类号
O47 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
AlInGaN量子阱垒层材料的优化
2
作者
文锋
刘德明
黄黎蓉
机构
华中科技大学光电子科学与工程学院
华中科技大学武汉光电国家实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期893-897,共5页
基金
武汉市科技攻关计划资助项目(批准号:20061002036)~~
文摘
采用k.p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱导带和价带的能带结构,并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AlInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AlInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法,并给予了物理解释.
关键词
AIInGaN
极化电场
自发发射谱
垒材料
Keywords
AIlnGaN
polarized field
spontaneous emission spectrum
barrier material
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的LP-MOVPE生长
被引量:
1
3
作者
安海岩
杨树人
秦福文
王本忠
刘式墉
机构
集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区
出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1994年第3期62-66,共5页
文摘
本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三申基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,AsH_3和PH_3为Ⅴ族源,在(100)方向掺S的n ̄+InP衬底上生长短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的生长条件,并用双晶X射线衍射(DCD)和光荧光(PL)对不同条件下生长的短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料进行了表征。
关键词
量子阱
激光器
垒材料
LP-MOVPE
Keywords
low pressure metalorganic vapour epitaxy,shortwavelength,In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
固定波长应变量子阱的设计与比较
被引量:
2
4
作者
张哲民
黄德修
李同宁
机构
华中理工大学光电子工程系
武汉电信器件公司
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第12期1083-1086,共4页
基金
863-307计划
文摘
针对lnGaAsP材料,我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大,阱宽越窄,其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大,以及其较大的态密度,使得张应变量子阱的微分增益比压应变和匹配量子阱的大得多如果固定的张应变量只能使第一子带为LH,第二子带为HH,则存在一个最优的阱宽,阱宽太小不能消除LHI与HH2的耦合,阱宽太大又会带来LH3与HH2的耦合。
关键词
应变量子阱
增益系数
激光器
设计
垒
层
材料
Keywords
Strained layer quantum well
Gain coefficiency
分类号
TN248.402 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
陈伟华
廖辉
胡晓东
李睿
贾全杰
金元浩
杜为民
杨志坚
张国义
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
2
AlInGaN量子阱垒层材料的优化
文锋
刘德明
黄黎蓉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
3
短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的LP-MOVPE生长
安海岩
杨树人
秦福文
王本忠
刘式墉
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1994
1
下载PDF
职称材料
4
固定波长应变量子阱的设计与比较
张哲民
黄德修
李同宁
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998
2
下载PDF
职称材料
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