基于介电调制的埋双源沟槽栅TFET的生物传感器

目的:为检测生物分子,提出一种基于介电调制的埋双源沟槽栅隧穿场效应晶体管(DM-BDSTG TFET)的生物传感器。方法:采用更容易放置生物分子的沟槽栅结构,并利用Silvaco Atlas软件对基于DM-BDSTG TFET的生物传感器性能进行评估。结果:当栅源电压为1.1 V时,漏极电流灵敏度可以达到1.13×10^(12)。此外,亚阈值摆幅可以达到34 mV/decade。结论:基于DM-BDSTG TFET的生物传感器能够更好地提高对生物分子的检测和识别能力。