埋层图形横向位移对器件参数影响的研究

本文重点从埋层图形横向位移对双极器件参数的影响出发，研究了埋层图形横向位移的机理、位移方向和不同外延层厚度的位移量，提出解决埋层图形横向位移的唯一途径是利用版图的对准符号配合硅片参考面来消除横向位移。并建议在单通隔离工艺中或在双对通隔离工艺中，适当减小埋层与隔离图形的间距是提高器件参数性能和器件成品率的奥妙所在。

有埋层图形外延片表面HCI腐蚀量的控制

本文经大量实验和多年工作实践，得到了做有理层图形外延片HCl腐蚀的浓度，HCl腐蚀量的数据。对不同理层图形外延片HCl腐蚀的一些规律现象进行理论分析。最后文章也阐述了有理层图形外延片表面HCl腐蚀不利一面。