SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变

用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的C-V特性发生畸变.文中通过求解泊松方程,用解析的方法分析了这种畸变发生的物理机理,并对栅电容进行了计算,计算结果与实验结果符合得很好.

耗尽型4H-SiC埋沟MOSFET器件解析模型研究

建立了基于漂移扩散理论的4H-SiC埋沟MOSFET器件的物理解析模型。SiC/SiO_2界面处的界面态密度及各种散射机制都会导致器件载流子迁移率的下降,采用平均迁移率模型,分析散射机制对载流子迁移率的影响,讨论了界面态对阈值电压的影响。考虑到器件处在不同工作模式下,沟道电容会随栅压的变化而改变,采用了平均电容概念。器件仿真结果表明:界面态的存在导致漏极电流减小;采用平均迁移率模型得到的计算结果与实验测试结果较为一致。

6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究

研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异。

6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究

研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异。

基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性

提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,推出了各种工作模式下的漏电流表达式,并用实验值对模型进行了验证。

耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型

在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300～600K温度范围表面弱电场的条件下．由于杂质不完全离化作用得到充分体现．因此器件的工作状态有不同于常规模型下的特性；当温度升高时离化率的增大使得杂质的不完全离化作用得不到体现，所以文中模型的结果向常规模型的结果靠近．且都与实验结果接近。同时为了充分利用埋沟器件体内沟道的优势．对埋沟掺杂的浓度和深度也进行了合理的设计。

4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究(英文)

研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响.提出了一个简单的模型用来定量分析串联电阻对迁移率的影响.串联电阻不仅会使迁移率降低,还会使峰值场效应迁移率所对应的栅压减小.峰值场效应迁移率和串联电阻的关系可用一个二次多项式来准确描述.详细分析了均匀分布和不均匀分布的界面态对场效应迁移率的影响.对于指数分布的界面态,低栅压下界面态的影响基本上可以忽略不计,随着栅压的增加,界面态的影响越来越显著.

4H-SiC埋沟MOSFET的研制(英文)

研制了 4 H - Si C热氧化生长氧化层埋沟 n MOSFET.用室温下 N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区 ,然后在 16 0 0℃进行激活退火 .离子注入所得到的埋沟区深度大约为 0 .2μm .从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约为 18.1cm2 /(V· s) .造成低场效应迁移率的主要因素可能是粗糙的器件表面 (器件表面布满密密麻麻的小坑 ) .3μm和 5μm器件的阈值电压分别为 1.73V和 1.72 V.3μm器件饱和跨导约为 10 2μS(VG=2 0 V ,VD=10 V )

亚微米埋沟pMOSFET阈电压模型

亚微米埋沟pMOSFET的阈电压模型 ,该模型考虑了热电子发射等短沟道效应 .只要对模型中的符号作相应改变 。

响应表面方法与模拟相结合用于埋沟道PMOS器件性能优化

响应表面方法与ＴＣＡＤ相结合是一个极具潜力的有用技术，它可以极大地减少研制和优化ＩＣ工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与模拟相结合获得模型方程并用于工艺优化的方法和优点。Ｄ－优化的设计方法和其他措施结合改善模型拟合精度，得到的响应表面用于对亚微米埋沟道ＰＭＯＳ器件性能进行预测和优化。用响应表面得到优化的工艺条件。

注入势垒单相埋沟高速CCD延迟线设计

采用注入势垒单相埋沟结构和两层多晶硅一层铝工艺技术,研制出512位高速CCD延迟线,获得了大于10 MHz的工作频率和大于50 dB的动态范围。器件电极设计为准1相两层多晶硅交迭栅结构,信道设计为埋沟结构。输入结构采用双输入栅表面势平衡注入技术,输出结构采用浮置扩散源跟随放大器技术。提出了改善转移效率、暗电流、时钟频率和动态范围的有效方法。测试结果表明,器件性能参数达到设计要求。

6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式的电流特性分析

在考虑杂质不完全离化的作用下,建立了6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型。并通过模型,仿真分析了器件电流随温度的变化情况。在温度达到600k以上时,杂质的不完全离化作用对器件的影响不明显。常温下电流特性模型的仿真结果与实验结果的一致性,说明了本模型的准确性。

埋沟道P沟CCD红外信号处理器件的研制

采用三相埋沟结构，研制成了2×64位埋沟道P沟CCD红外信号处理器件。该器件采用埋沟和三层多晶硅技术，其动态范围达到45dB，转移效率≥99．995％，工作频率≥3MHz。本文对该器件的工作原理，设计和制作工艺作了详细的介绍。

埋沟式横向电压型集成压力传感器

本文提出一种低功耗埋沟式横向电压型集成压力传感器结构,并根据精确的工艺模型成功地进行了工艺计算机模拟程序和制作。实验表明,该器件可以在低功耗条件下具有很高的灵敏度和可靠的稳定性。

埋沟CCD器件参数的测试方法

基于传统CCD测试方法的缺点，提出了四端结构MOS管转移特性法。按照BCCD结构，在CCD晶圆的PCM测试区域设计若干四端结构MOS管图形，随芯片制造过程按CCD不同功能区域的掺杂条件进行不同的掺杂，使得MOSFET埋沟能够完全耗尽，实现对CCD工作原理的等效，通过测试MOSFET特性参数，提取CCD的埋沟特性及MPP模式下势阱深度。测试结果表明，MOSFET测试参数与CCD特性一致，所提出的测试方法有效可行。

公路工程埋沟混凝土箱体涵土拱效应与垂直土压变化研究

借助专业有限元模拟计算,从等降沉面以上填方区、涵底面与涵顶面间、涵顶面与等降沉面间等几个关键区段,分析探讨了埋沟混凝土箱体涵土拱效应与土压变化规律。

城市地下浅埋管沟可燃气体爆炸的灾害效应(Ⅱ):影响因素分析及后果评估

为系统地评估城市地下浅埋管沟可燃气体爆炸的灾害后果,利用FLACS软件模拟得到了可燃气体的爆炸荷载,并分析了该灾害对建筑物破坏和人员伤害的危险距离及影响因素。结果表明:当点火位置靠近管沟中间位置时,超压峰值和危险距离较大;泄爆口的大小对危险距离的影响不大,而对离泄爆口较近处的超压峰值影响较大;气云长度越长,超压峰值和危险距离也越大,但增幅逐渐减小直至不变;管沟的横截面面积越大,超压峰值和危险距离也越大;为避免造成严重的灾害后果,高耸建筑物和密集人群应远离泄爆口。

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差.本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度.在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响.理论分析结果和实验测试结果相一致.

4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究

在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在ND+/NA-≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响。该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取。

冲沟超浅埋隧道施工数值模拟研究

为探究冲沟地形下超浅埋隧道的围岩力学性能与施工变形情况,依托贵州雷榕高速公路大堡隧道工程开展研究,基于有限差分法利用Flac3D对隧道施工进行三维数值模拟计算,预测隧道最大拱顶沉降为8.25 mm,最大水平位移为4.60 mm,与现场实测基本一致,可见支护系统运作良好。隧洞四周围岩以受拉伸屈服为主,主要集中在拱顶、拱肩与仰拱处,冲沟地表各点沉降速率存在纵向差异性。