1
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SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变 |
郜锦侠
张义门
张玉明
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
3
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2
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耗尽型4H-SiC埋沟MOSFET器件解析模型研究 |
王巍
秘俊杰
曾勇
王晓磊
唐政维
彭能
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
1
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3
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6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究 |
王巍
王玉青
申君君
唐政维
秘俊杰
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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4
|
6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究 |
王玉青
王巍
申君君
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《重庆邮电大学学报(自然科学版)》
北大核心
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2009 |
2
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5
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基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性 |
郜锦侠
张义门
张玉明
夏杰
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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6
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耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型 |
刘莉
杨银堂
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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7
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4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究(英文) |
郜锦侠
张义门
张玉明
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
0 |
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8
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4H-SiC埋沟MOSFET的研制(英文) |
郜锦侠
张义门
张玉明
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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9
|
亚微米埋沟pMOSFET阈电压模型 |
牟有静
李洪革
郭继红
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《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
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2000 |
0 |
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10
|
响应表面方法与模拟相结合用于埋沟道PMOS器件性能优化 |
甘学温
WALTONAJ
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《北京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
0 |
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11
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注入势垒单相埋沟高速CCD延迟线设计 |
杨亚生
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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12
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6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式的电流特性分析 |
王玉青
申君君
孙燕斌
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《山西电子技术》
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2008 |
0 |
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13
|
埋沟道P沟CCD红外信号处理器件的研制 |
程开富
刘心莲
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《四川真空》
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2001 |
0 |
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14
|
埋沟式横向电压型集成压力传感器 |
晋琦
鲍敏杭
王言
周昊
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1991 |
1
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15
|
埋沟CCD器件参数的测试方法 |
朱小燕
赵娟
陈真
陈计学
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《集成电路通讯》
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2015 |
0 |
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16
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公路工程埋沟混凝土箱体涵土拱效应与垂直土压变化研究 |
孙彩娟
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《华东公路》
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2021 |
0 |
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17
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城市地下浅埋管沟可燃气体爆炸的灾害效应(Ⅱ):影响因素分析及后果评估 |
杨石刚
蔡炯炜
杨亚
孙文盛
门敬敏
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《爆炸与冲击》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2023 |
0 |
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18
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C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度 |
郜锦侠
张义门
汤晓燕
张玉明
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
8
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19
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4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究 |
郜锦侠
张义门
张玉明
汤晓燕
|
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
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20
|
冲沟超浅埋隧道施工数值模拟研究 |
刘学军
张连鑫
|
《建材技术与应用》
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2023 |
0 |
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