PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件...PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件。结果表明:低压化学气相沉积(LPCVD)温度为700℃、膜厚为580nm时的方块电阻为18Ω/□;孔工艺采用干法刻蚀CF4流量为15cm3/min、CHF3流量为45cm3/min下的接触电阻为7Ω;栅下埋沟注入磷离子能量为250keV、剂量为2.5×1012atom/cm2时,MOS管阈值电压为-8.5V;二次铝刻蚀主刻蚀采用Cl2流量为90cm3/min,BCl3流量为45cm3/min,N2流量为30cm3/min可有效避免因残留物引起的金属同层漏电。展开更多
文摘PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件。结果表明:低压化学气相沉积(LPCVD)温度为700℃、膜厚为580nm时的方块电阻为18Ω/□;孔工艺采用干法刻蚀CF4流量为15cm3/min、CHF3流量为45cm3/min下的接触电阻为7Ω;栅下埋沟注入磷离子能量为250keV、剂量为2.5×1012atom/cm2时,MOS管阈值电压为-8.5V;二次铝刻蚀主刻蚀采用Cl2流量为90cm3/min,BCl3流量为45cm3/min,N2流量为30cm3/min可有效避免因残留物引起的金属同层漏电。
