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动态随机存取记忆体的深槽电容器制造方法
1
作者
衣冠君
《电子工业专用设备》
2004年第5期56-63,共8页
首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术。后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容器制造工艺流程,使读者进一步了解先进记忆体产品制造上的主...
首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术。后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容器制造工艺流程,使读者进一步了解先进记忆体产品制造上的主要挑战。
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关键词
深槽
电容器
埋
藏式
连接器
埋藏式基板
动态随机存取记忆体
下载PDF
职称材料
题名
动态随机存取记忆体的深槽电容器制造方法
1
作者
衣冠君
机构
中芯国际
出处
《电子工业专用设备》
2004年第5期56-63,共8页
文摘
首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术。后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容器制造工艺流程,使读者进一步了解先进记忆体产品制造上的主要挑战。
关键词
深槽
电容器
埋
藏式
连接器
埋藏式基板
动态随机存取记忆体
Keywords
Deep-trench Capacitor DRAM Burriedstrap Burriedplate
分类号
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
动态随机存取记忆体的深槽电容器制造方法
衣冠君
《电子工业专用设备》
2004
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