直拉单晶硅中埚跟比的精确计算研究

在直拉单晶硅生长过程中,埚跟比(即坩埚上升速度与晶体提拉速度的比值)的设置非常重要,它直接决定了液面位置的稳定性。其不但影响单晶硅成品的质量,而且不合理的埚跟比设置可能会在直拉单晶硅生长过程中出现变晶断苞,导致单晶生长失败。目前国内大多数光伏单晶硅生产商仅仅依靠人工经验来设置埚跟比,其准确性很难保证。采用体积元积分的方法,精确计算埚跟比,解决了由于石英坩埚内表面尺寸的非线性变化带来的埚跟比不准确的问题,提高了液面位置的稳定性和直径测量的准确性,并在实践中验证此方法是切实可行的。

初始埚位对单晶少子寿命的影响

在KX260晶体生长系统上装备24英寸(1英寸=2.54 cm)热场,装料量为120 kg。采用5种不同的初始埚位(-50,-60,-70,-80,-90 mm),其他工艺参数相同的晶体生长工艺,拉制了5根200 mm、p型、晶向〈100〉、电阻率2Ω.cm的单晶硅棒。待硅棒冷却后,取片进行少子寿命和氧含量的测试,根据所得数据分析不同初始埚位对少子寿命的影响。由分析结果得出结论:随着初始埚位的提升,单晶硅棒少子寿命逐渐降低。结合实际生产利润及硅片品质需要,最后得到最适合晶体生长的初始埚位是-70 mm。

一种生产长寿命熔铝铁埚工艺的研究

针对熔铝铁埚的高温失效特点，用涂敷铸造方法在普通熔铝铁埚表面形成一层抗高温氧化生长的合金化层。

单晶硅埚底料中石英的分离研究

通过对单晶硅埚底料进行重熔试验,研究重熔后埚底料中石英的分离情况,并分析重熔所得到的硅片中的氧、碳、金属杂质含量,以期探讨埚底料在太阳电池多晶硅硅锭生产中用作原料的可行性。试验发现通过重熔可以将单晶硅埚底料中的石英与硅料分离,重熔后得到的硅片中氧含量比较高,而金属杂质含量基本可达到太阳电池多晶硅锭的生产要求。

幕阜山东部麦埚铍矿床伟晶岩锆石U-Pb年龄、Hf同位素组成及其地质意义

幕阜山是中国重要的稀有金属矿集区,区域内多期次岩浆活动形成的复式花岗岩基与稀有金属成矿关系密切。目前,区域内黑云母花岗岩阶段和二云母花岗岩阶段的稀有金属成矿作用已有报道,而岩浆演化晚期白云母花岗岩阶段的相关成矿作用缺乏研究。文章选取了幕阜山东部麦埚铍矿床内由白云母花岗岩分异形成的含绿柱石伟晶岩作为研究对象,对其进行了LA-ICP-MS锆石U-Pb定年和Hf同位素组成测试。结果显示,伟晶岩中锆石U-Pb年龄为(124.9±0.34)Ma,表明麦埚地区以铍为主的稀有金属成矿作用发生在早白垩世,同时也代表了幕阜山地区与白云母花岗岩相关的稀有金属成矿作用。此外,麦埚含绿柱石伟晶岩的_(εHf)(t)值为-7.6~-5.2,二阶段模式年龄为1668~1512 Ma,与复式岩体中各阶段花岗质侵入体的_(εHf)(t)和二阶段模式年龄值大致吻合,显示出它们相似的源区特征。综合区域内已有的年代学数据,与稀有金属成矿相关的岩浆活动主要分布在早白垩世,大致可分为3个阶段:黑云母花岗岩阶段(145 Ma)以Be矿化为主,矿化强度较低;二云母花岗岩阶段(140~138 Ma)为区域稀有金属成矿的主阶段,矿化种类包括Be-Nb-Ta-Li-Cs,矿化强度高;白云母花岗岩(125~122 Ma)阶段以Be-Nb-Ta矿化为主,矿化强度不高。幕阜山岩体是典型的“体中体”模式复式岩基,白云母花岗岩作为晚期分异程度最高的侵入体,却未发生大规模成矿作用,其原因在于受到了岩浆活动规模、岩浆冷却速率和容矿空间等多重因素的制约。

真空冶金法提纯锑掺杂单晶硅埚底料的实验研究(英文)

采用真空定向凝固技术,在不同真空定向凝固条件下,对拉制锑掺杂的单晶后的埚底料进行提纯并得到铸锭。对不同生长条件下铸锭的生长形貌进行分析。同时,通过ICP-AES测定了铸锭纵向的杂质元素的分布。结果表明,杂质Sb从底端到中上端由于定向凝固的作用呈现浓度升高,从中上端到顶端由于真空蒸馏的作用呈现浓度降低。

切克拉斯基法拉制大晶埚径比大直径锗单晶

在配置Φ１５２ｍｍ坩埚的单晶炉内，合理地调整了温度分布场与控制条件，成功地拉制出一根Φ１２８～１４０ｍｍ。

朝鲜己亥东征与明朝望海埚之役——15世纪初东亚秩序形成期的“明朝征日”因素

明永乐十七年(1419)六月,在辽东半岛与对马岛,明与朝鲜对活动于黄海、渤海地区的倭寇,分别进行了望海埚之役与己亥东征两次的军事行动。经过明、朝这两次战役,14世纪末严重的倭寇问题得到了暂时的平息。两场战役看似独立发生,实则是明、日、朝三国之间围绕政治、外交与贸易问题不断冲突与交涉的结果。从两场战役之前的明朝对朝鲜、日本的外交活动,可以见到在15世纪东亚区域秩序的建立过程中,明、日、朝三国所扮演的各自角色与各自目的。明代朝贡体系并非只基于明朝中心或华夷秩序,也必须适应东亚各国当时的现实状况与各国利益。

坩埚位置对PVT生长AlN晶体过程中物质传输的影响

使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件以及自主开发的PVT法有限元传质模块对全自动、双电阻加热物理气相沉积炉开展了AlN晶体生长工艺过程中不同坩埚埚位对温度场、过饱和度场及烧结体升华速率等影响的模拟仿真分析研究。模拟仿真结果表明:在给定工艺条件下,坩埚埚位较低时烧结体温度较高且内部温差较小,烧结体升华表面存在较大的Al蒸气分压梯度,各表面升华速率较快且均匀,籽晶衬底生长前沿温度场呈微凸分布,有利于晶体扩径及生长高质量晶体。随着坩埚埚位的上升,低温区向坩埚壁扩展,预烧结体内轴向及径向温度梯度增加,籽晶衬底附近径向温度梯度逐步降低,过饱和度区域扩大且增强。在坩埚埚位较高情况下,坩埚内原料升华变得不均匀,坩埚侧壁存在高过饱和区域,极易在坩埚壁上发生大量的AlN多晶沉积。模拟分析结果与大量实际晶体生长实验后的坩埚壁处沉积现象及剩余烧结体原料形态相符,较好地验证了模拟仿真分析结果的准确性。

浅谈历史地图编辑的基本素养——以“望海埚之战”地图编绘为例

望海埚之战是明朝永乐年间抗击倭寇的一次重大胜利。此次战斗全歼了入侵辽东半岛的倭寇,维护了东北地区边疆的稳定,并为以后抗击倭寇的入侵积累了经验。目前,关于望海埚之战记载以文字叙述和图片呈现为主,很少有历史地图涉及。如何从众说纷纭的文字史料中去伪存真,准确地编绘成历史地图,让其直观地呈现在读者面前?就需要历史地图编辑具备一定的文字史料考证和历史地图编绘能力。

一种碳纤维埚帮自动成型机的关键技术研究

本文主要针对埚帮常见故障类型分析其产生原因。随后分析碳/碳复合材料针刺工艺参数对埚帮保温性能、强度、耐烧蚀性及使用寿命的影响,主要对2D炭布和网胎层叠结构采用针刺方法制备碳/碳复合材料整体埚帮,提高埚帮保温性能及使用寿命,并可以实现对薄弱埚托的重点加固,设计一台新型连续埚帮成型装置。解决目前手工针刺制造埚帮的现状,提高埚帮生产效率及产品品质,解决行业迫切需求。

刘江与望海埚大捷

刘江是威震一时的明初抗倭名将,曾任辽东总督。永乐十七年(1419年),他率部在望海埚(今辽宁省大连东北)全歼入侵我国辽东半岛的倭寇,在中国人民抗击外国侵略斗争史上写下了光辉的一页。

电子束蒸镀快速沉积铜膜研究

利用电子束蒸镀设备沉积金属薄膜是微电子领域最常见的薄膜沉积工艺之一。然而使用普通钨坩埚电子束蒸镀铜薄膜时,沉积速度非常低。这是因为熔融的铜与钨坩埚是浸润的,当提高电子枪功率时,液态铜的表面自由能随着温度的升高而降低,液态铜会沿着坩埚壁向上铺展,消耗电子束能量。为此,对钨衬埚壁进行结构优化,阻止了电子枪功率较高时液态铜的向上铺展,将铜膜的沉积速度从2Å/s提高到20Å/s,并对不同沉积速率制备的铜薄膜的粗糙度、均匀性、应力进行对比,验证了该方法的可行性。

功率和埚转对直拉单晶硅漏硅事故率的影响及分析

在CZ法硅单晶生长中,化料过程是原生硅固液形态转换的主要过程,由于化料阶段功率最高,也是最容易发生事故的过程,其中溅硅、漏硅等事故对石墨热场、产品品质、安全等方面有着较大的不良影响。

晶转埚转以及拉速对单晶硅生产过程的影响分析

单晶硅属于当前技术应用当中十分重要的一种半导体材料,其应用在电子信息技术领域以及太阳能技术领域当中的程度不断提升。当前单晶硅材料应用程度提升,也进一步增强了单晶硅在质量上的要求。换言之,单晶硅的杂质要求更高,加强杂质去除或者控制单晶硅当中的杂质氧含量就显得十分重要。本文侧重研究晶埚转以及拉速对单晶硅生产过程的影响分析。

弛豫铁电单晶PZNT93/7的生长与电性能研究

以50mol％PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.93Ti0.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降速率为0.5mm/h,通气流量为1～1.6L/min.所得晶体最大尺寸达φ30mm×25mm.该晶体具有明显的结晶学形貌.X射线定向表明,其主要显露面为(001).由于气流不稳定以及质量输运较慢,晶体内部容易形成一些红色PbO包裹.介电和铁电性能研究表明,该晶体的性能能够满足新型医疗诊断设备对阵列换能器的要求.

明代辽东海防的考古学考察——以金州卫、复州卫为中心

明代辽东海防缘起于倭寇之患。明朝廷在辽东地区实行的是以陆防海的海防策略,在沿海广建城堡、墩台、驿站,构成严密的防御监控系统,为望海埚抗倭大捷夯实了基础,证明了明朝廷以陆防海基本策略是切实可行的。望海埚抗倭大捷后,辽东安定,经济发展较快,大部分物资基本可以自给,山东至辽东的海运渐停,辽东地区的城堡墩台也渐废弛。嘉靖中期,倭寇再起,明朝廷再次重视辽东地区的海防,加紧新建城堡墩台,修复先前已废弃的城堡墩台,并设置路台。明代辽东地区的城堡墩台对于保卫边疆起到了重要的作用。

三氯化硼－四氢呋喃络合物催化二乙氨基环硫丙烷的聚合反应

研究了二乙氨基环硫丙烷在三氟化硼－四氢呋喃络合物（ＲＦ３·ＴＨＦ）催化下的聚合反应．与使用ＢＦ３·Ｅｔ２Ｏ作催化剂时聚合物沉淀析出的情况不同，在ＢＦ３·ＴＨＦ催化下，可得到均相粘性聚合物，而且部分四氢呋喃参与了共聚合反应．通过改变催化剂和溶剂的用量以及单体的加料方式制得了一系列组成和分子量不同的共聚物，用元素分析、核磁、红外、分子量测定等测试手段对聚合物进行了表征，还讨论了聚合反应的机理．

明代辽东烽火台考察——以金州卫、复州卫为中心

明代在辽东地区实行的是以陆防海的战略,在沿海广建城堡、墩台、驿站,构成了严密的防御监控系统,为望海埚抗倭大捷夯实了基础。证明了明朝廷以陆防海基本战略是切实可行的。望海埚抗倭大捷后,辽东安定,经济发展较快,大部分物资基本可以自给,山东至辽东的海运渐停,辽东地区的城堡墩台也渐废弛。嘉靖中期,倭寇再起,明朝廷再次重视辽东地区的海防,加紧新建城堡墩台,修复先前已废弃的城堡墩台,同时,设置路台。明代辽东地区的城堡墩台对于保卫祖国边疆起到了重要的作用。

直拉硅单晶宽面控制工艺研究

探究了影响偏离<111>晶向硅单晶晶体宽面的主要工艺因素,通过不同的晶体生长工艺参数设定来进行<111>晶向硅单晶生长试验,通过对比不同工艺参数对晶体宽面的影响,最终确定了控制单晶宽面的最优工艺,获得了外形大幅优化的<111>晶向硅单晶。