基于低温共烧陶瓷技术的Ku波段低噪声放大器

设计了一种基于低温共烧陶瓷（Low temperature co-fired ceramic）技术的Ku波段低噪声放大器。将低噪声放大器的MMIC芯片集成于LTCC基板中，利用三维全波电磁场软件设计和优化了LNA的无源模型，包括金丝、通孔阵列和多层地平面。金丝用来连接MMIC芯片和微带，通孔用来连接不同地平面。分析了两根平行金丝的”型等效模型并提取了该模型的参数，研究了通孔阵列的间距以得到良好的接地效果。为了得到LNA完整的仿真，将整个无源模型的电磁场数据导出到ADS软件中，并和MMIC芯片的S参数一起协同仿真，最终得到优化结果。测试结果表明该LNA在12～17GHz的频段内，具有40dB的增益，土1．215dB的带内平坦度，2．9dB的噪声系数。

低温共烧陶瓷激光测厚系统设计与误差分析

基于提升低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramic,LTCC)厚度的检测精度、测量效率和可溯源性的需求,设计一套LTCC激光测厚系统。针对测量精度难以满足需求的问题,对存在误差进行分析,采用厚度测量用调整夹具消除同轴度误差和线性度误差,优化设计结构降低倾角误差,循环传感器标定消除重复度误差,通过数据优化和滤波处理降低机械振动误差,提高了系统测量精度。与实际产品厚度数据对比,最终精度误差≤5μm,符合产品的应用要求,具有广阔的应用市场。

高导热低温共烧陶瓷(LTCC)材料的研究进展

本文阐述了LTCC材料的特点、导热机理及影响材料热导率的因素,并系统总结近年来高导热LTCC材料研究现状。通过分析影响LTCC材料热导率的因素,总结了目前提高LTCC材料导热性能的方法。

低温共烧低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

随着全球移动数据量的爆炸式增加和全球卫星定位系统(GPS)等其他无线通讯定位手段的飞速发展,微波介质陶瓷作为一种至关重要的介质材料,可以承担多种高频信号和微波信号,正朝着高频化和信号的高频可调性方向发展。当今大数据时代,电子器件的轻薄化、高性能和低损耗对微波介质陶瓷材料提出了更高的要求。低温共烧陶瓷(LTCC)技术以其优异的热、电性能和先进的制备工艺成为有源/无源元器件封装的主流,广泛地用于电子器件和电路封装。实际应用中,对用于基板的微波电子器件而言,低介电常数可以有效地避免信号延迟,保证高效的传输速率,高的品质因数(Q×f≥5000 GHz)可以增加选频特性和器件工作的可靠性,近零谐振频率温度系数(τf)可以保障频率随温度变化的稳定性,低的烧结温度(T s≤950℃)可以实现和低熔点、高电导率的金属共烧。因此,低介LTCC陶瓷成为当前研究的热点,极大促进微波介电材料的应用。微波介质材料可分为陶瓷体系(碲酸盐、钒酸盐、钼酸盐、钨酸盐、硼酸盐和磷酸盐)、微晶玻璃体系(CaO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)、MgO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)、ZnO-B_(2)O_(3)、MgO-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)、Li_(2)O-MgO-ZnO-B_(2)O_(3)-SiO_(2)、CuO-B_(2)O_(3)-Li_(2)O)和玻璃+陶瓷复合体系三大类。陶瓷体系一般采用固相法按照化学计量比进行制备。微晶玻璃是一种多晶材料,成分可调,微波介电性能优异,应用广泛。而玻璃+陶瓷复合体系是在低软化点玻璃基体中加入陶瓷填充剂制备出致密度高的微波介质陶瓷,陶瓷填充材料的选择取决于微电子器件的介电需求,主要用于改善微电子器件的介电、热学和力学性能。高性能LTCC材料的研发需要低温烧结介质材料与内电极材料的匹配共烧,从而提高低温烧结介质材料的微波性能和优化低温烧结介质材料的热膨胀系数与热导率。此外,低温烧结介质材料还应具有较好的机械强度和低的生产成本。本文总结了低温共烧低介材料的概念和分类,聚焦于各类共烧陶瓷、微晶玻璃和玻璃+陶瓷复合体系的研究现状与性能特点,系统分析了低温低介共烧材料制备及应用面临的主要问题,展望了其在未来通信技术的应用前景,为今后低烧高性能微波介质材料的发展提供借鉴。

低温共烧陶瓷(LTCC)技术在材料学上的进展

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点．本文叙述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点、制备工艺、材料制备相关技术和国内外研究现状以及未来发展趋势．

低温共烧陶瓷技术及其应用

低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramic,LTCC)技术是实现电子元件小型化、片式化的一种理想的封装技术,已成为电子元件集成的主要工艺方式,引起了人们的广泛关注。本文详细叙述了LTCC技术的特点、LTCC材料体系、国内外发展现状以及LTCC技术在电子元件集成中的应用。认为利用LTCC技术来实现电源、有源和无源器件的一体化将是今后信息功能陶瓷发展的一个重要方向。我国应该抓住LTCC技术所面临的前所未有的发展机遇,大力开发具有自主知识产权的LTCC技术,整体提升我国在电子集成领域的技术水平和国际竞争力。

一种低温共烧AlN陶瓷基片的排胶技术

介绍一种由高热导率AlN陶瓷和金属W共烧制备低温AlN陶瓷基片的排胶技术．研究了排胶过程中残余碳对AlN陶瓷基片相组成、烧结特性和微观结构的影响．结果表明：两步排胶法可以较好地解决W氧化及AlN陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题．

低温共烧陶瓷技术及发展

详细叙述了低温共烧陶瓷材料的生产工艺及相关技术,介绍其在多层电路模块化（Multi-Chip MOdules）设计中的特点及应用,并概要总结了LTCC相关技术的未来发展动向.

低温共烧陶瓷无源集成技术及其应用

低温共烧陶瓷技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新元件产业的经济增长点。介绍了目前 LTCC 无源集成技术及其国内外研究动态和应用前景。

低温陶瓷共烧技术——MCM-C发展新趋势

介绍了目前国际上厚膜混合工艺技术的动态 ,指出了低温共烧陶瓷技术 (LTCC)是MCM- C发展的重要趋势。探讨了国内 MCM- C技术的现状 ,认为必须同 IC技术保持紧密的联系 。

低温共烧陶瓷基板制备技术研究进展

对LTCC (低温共烧陶瓷 )技术的特点及应用作了评述。对目前已研究和使用过的低介电常数和低烧结温度基板材料及综合性能 ,流延浆料有机添加剂进行了对比分析。描述了流延工艺过程和烧结过程。由于对基板材料选择的任意性 ,现有流变学模型的局限性 ,以及低温液相烧结动力学过程机理尚不清晰 ,因此完整清晰地揭示LTCC工艺的物理化学过程仍需作很多工作。

微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展

介绍了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及低温共烧技术对微波介质陶瓷的性能要求。总结了微波介质陶瓷实现低温共烧的主要方法,详细综述了典型微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展,指出了其目前存在的问题,并针对微波介质陶瓷低温共烧技术的发展方向提出了看法。

低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术

微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术。为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100μm以内。基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术。通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度。

电磁波带隙材料的低温共烧陶瓷技术制备及性能

根据共面紧凑型光子晶体的原理和HFSS仿真结果设计了禁带位于超宽带(UWB,3.1～10.6 GHz)范围的EBG(电磁波带隙)结构,然后采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出了设计的EBG结构。利用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了所制EBG结构的微观结构,结果显示烧结体中陶瓷与银电极结合良好。另外,经HP8720ES矢量网络分析仪测试发现其电磁波禁带位于4.0～5.5 GHz,深度大于20 dB。

低温共烧陶瓷射频无源集成基础技术研究进展

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是当今世界射频无源集成的关键技术,嵌入式无源元件设计与模型化是LTCC重要基础技术。本文介绍了LTCC射频无源集成的关键技术,并着重介绍了射频无源元件(如电感、电容)的等效电路模型的发展过程。

基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的抗EMI滤波器设计

制备了一种适用于LTCC工艺的NiCuZn铁氧体材料,并用所得材料制作了品质优良的多层电感。选择椭圆滤波器原型,通过Agilent-ADS电路模型仿真与Ansoft-HFSS物理模型仿真,成功设计出了截止频率为10MHz的抗EMI滤波器。

低温共烧陶瓷技术的现状和走向

通信、汽车、医疗、工业、军事和宇航应用对电子系统高性能、高密度,高可靠的要求正在并继续对电子封装工程师提出挑战。这种挑战使得多芯片模块(MCM)成为必然的选择。这是由于多芯片模块不仅可以提高系统的封装密度,而且可以成数量级地提高系统的可靠性及其电气、散热和密封性能。多芯片模块现在采用的有机层压板(MCM-L)、陶瓷(MCM-C)和沉积薄膜(MCM-D)的封装技术。其中尤以陶瓷封装技术—LTCC技术相对于其它封装技术显示出更巨大的魅力。它的优异的高频性能、散热性能和密封性能、可靠性和经济性使其成为无线通信、汽车电子、医疗电子和军事宇航应用的首选封装技术。展现了美好的技术和市场前景。本文介绍了LTCC技术的现状及其成为陶瓷型多芯片模块主导封装技术的令人振奋的新发展。描述了工业界对其的接收和认可。勾画了该技术巨大的市场潜力。

低温共烧陶瓷技术前景

介绍了低温共烧陶瓷(LTCC)的概念和特点,总结了LTCC的国内发展现状以及新产品开发进展,最后介绍了LTCC产品的广泛应用。

低温共烧陶瓷基板表面精密图形激光加工技术研究

低温共烧陶瓷结合了多层厚膜陶瓷电路和高温共烧陶瓷技术的优点,是一种优异的多层布线基板技术。阐述了现有LTCC表面图形加工方法及其优缺点。常规热加工激光去除技术会损伤陶瓷表面玻璃,因而不适合加工LTCC表面图形。在分析了紫外激光加工的原理后,提出用紫外激光对LTCC产品表面金属去除加工精密图形的方法。通过试验方案设计和数据分析,优化的激光工作频率为60 kHz、加工功率为3.0 W,并设计了不同关键尺寸图形进行加工,得到了紫外激光技术可以加工的图形极限尺寸为30μm,加工精度±10%。。

基于低温共烧陶瓷技术的SIP工艺研究

系统集成封装技术(SIP)是将一个电子系统进行集成封装,而基于低温共烧陶瓷工艺(LTCC)的高密度基板技术是其中的关键。本文研究了收发(T/R)组件微波多层互连基板的制作工艺及其优化,基于LTCC工艺,制备出一种应用于X波段T/R组件的SIP基板,并着重对影响基板特性的信号孔和散热孔填充、通孔金属化、异质材料匹配工烧、内埋腔体技术和组装等关键技术进行了研究。获得了一套内埋置腔体LTCC多层互连基板的工艺参数,并已成功研制出满足T/R组件微波电路性能要求的LTCC多层互连基板。