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优化的基于模型的光学邻近矫正算法
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作者 蔡懿慈 王旸 +1 位作者 周强 洪先龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期601-605,共5页
提出了一种新的优化的基于模型的光学邻近矫正算法,该算法充分考虑了图形内部及图形之间的光学邻近影响,实现了线段切割和移动步长的自适应性,提高了系统的矫正精度及矫正速度,实验结果表明该算法是有效的.
关键词 光刻 光学邻近效应 基于模型的光学邻近矫正
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基于规则的光学邻近矫正中规则的相关处理(英文) 被引量:2
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作者 石蕊 蔡懿慈 +2 位作者 洪先龙 吴为民 杨长旗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期701-706,共6页
讨论了如何选择适当的规则 ,如何建立简洁实用的规则库 ,如何应用规则库 .提出了四种主要的光学邻近矫正规则 ,在实验结果中列举了规则库中的部分数据 .利用规则矫正后的版图光刻得到的硅片图形有了明显的改善 .规则库的自动建立部分 (O... 讨论了如何选择适当的规则 ,如何建立简洁实用的规则库 ,如何应用规则库 .提出了四种主要的光学邻近矫正规则 ,在实验结果中列举了规则库中的部分数据 .利用规则矫正后的版图光刻得到的硅片图形有了明显的改善 .规则库的自动建立部分 (OPCL)是基于规则的光学邻近矫正系统的重要组成部分 . 展开更多
关键词 光刻 光学邻近矫正 规则库 半导体
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用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型 被引量:1
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作者 王国雄 史峥 +2 位作者 严晓浪 陈志锦 付萍 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期634-637,684,共5页
提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确... 提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值来预测CD(criticaldimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据.由于正确地表征了实际工艺的特性,模拟结果显示,多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正(opticalproximitycorrection,OPC)仿真工具. 展开更多
关键词 光刻仿真 光学邻近校正 可变阈值光刻胶模型 集成电路 制造工艺 空间影像
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对象模型在集成电路掩膜光学临近矫正中的应用 被引量:1
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作者 杨长旗 洪先龙 +2 位作者 吴为民 蔡懿慈 石蕊 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第3期255-258,共4页
随着超大规模集成电路的发展 ,其特征尺寸已经接近或小于掩膜光刻工艺中所使用的光波长 由于光的衍射和干涉现象 ,实际得到的光刻图形与掩膜图形之间存在一定的误差 为尽量消除这种误差 ,常用的两种方法是OPC和PSM 提出一种基于对象... 随着超大规模集成电路的发展 ,其特征尺寸已经接近或小于掩膜光刻工艺中所使用的光波长 由于光的衍射和干涉现象 ,实际得到的光刻图形与掩膜图形之间存在一定的误差 为尽量消除这种误差 ,常用的两种方法是OPC和PSM 提出一种基于对象模型的OPC方法以及由此而开发的可实际应用的工具软件OPCM 该方法也为基于规则的OPC提供了产生基本规则的引擎 。 展开更多
关键词 掩膜光学临近矫正 对象模型 集成电路
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矫正规则散光的光学演示模型研制 被引量:1
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作者 杨林 刘意 侯园园 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期24-26,共3页
目的:研制规则散光眼镜片矫正规则散光的光学演示模型。方法:用几何光学成像演示器直观演示规则散光成像、规则散光透镜成像、规则散光透镜矫正规则散光。结果:直接观察到规则散光和散光透镜的成像状态-散光Sturm光锥及散光透镜矫正规... 目的:研制规则散光眼镜片矫正规则散光的光学演示模型。方法:用几何光学成像演示器直观演示规则散光成像、规则散光透镜成像、规则散光透镜矫正规则散光。结果:直接观察到规则散光和散光透镜的成像状态-散光Sturm光锥及散光透镜矫正规则散光的光学效果。结论:规则散光眼镜片矫正规则散光的光学演示模型能观察到规则散光透镜矫正规则散光的光学效果,便于准确理解规则散光成像、规则散光透镜的成像、规则散光矫正的光学原理。 展开更多
关键词 光学 光学演示模型 散光矫正 散光 Sturm光锥 散光透镜
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基于光刻模型的光学邻近校正切分优化方法 被引量:1
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作者 沈泫 史峥 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第23期211-213,225,共4页
在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获... 在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获得稳定的配方调试时间,且与参考配方结果相比,具有较好的光学邻近校正精度,可使边位置误差平均降低5%。 展开更多
关键词 光学邻近校正 基于模型的切分 纹波抑制 格点搜索
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准分子激光矫正复性近视散光的屈光学机理及应用 被引量:15
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作者 张运海 沈建新 廖文和 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2003年第3期291-295,共5页
提出一种矫正复性近视散光的角膜修正模型 ,将近视和散光的矫正融合在一起。用患眼的球镜度数和散光度数等建立了修正模型的数学方程 ,用散光的轴位角度确定了模型建立时所用的坐标系与激光切削角膜时所用坐标系之间的转换关系。模型确... 提出一种矫正复性近视散光的角膜修正模型 ,将近视和散光的矫正融合在一起。用患眼的球镜度数和散光度数等建立了修正模型的数学方程 ,用散光的轴位角度确定了模型建立时所用的坐标系与激光切削角膜时所用坐标系之间的转换关系。模型确定的角膜修正区域形状随散光的变化而变化。该模型已经用于临床指导眼屈光性手术 ;33只复性近视散光眼接受了该模型指导的LASIK手术。术前平均球镜度为 6 .0 0± 2 .14D ,平均等量球镜度为 - 6 .4 3± 2 .18D ,平均柱镜度为 - 0 .86± 0 .4 1D ,平均裸眼视力为 0 .12± 0 .0 8;术后一天这些值分别为 :- 0 .2 2± 0 .74D ,- 0 .4 3± 0 .85D ,- 0 .4 2± 0 .6 2D ,0 .88± 0 .18。结果表明 :手术后眼晴的球镜度、柱镜度减退了 。 展开更多
关键词 复性近视散光 矫正 角膜 准分子激光 数学模型 LASIK手术 光学机理
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大倾角光学遥感中大气点扩散函数的近似模型 被引量:13
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作者 胡宝新 李小文 朱重光 《中国图象图形学报(A辑)》 CSCD 1996年第1期19-29,共11页
大气对垂直遥感和大倾角遥感影响的主要差别之一体现于邻近象元的影响。对于垂直遥感,点扩散函数是各向同性的,即邻近象元对于目标象元的影响只与它们之间的距离有关,和它们之间的相对方位无关。但是对于大倾角遥感,点扩散函数不仅... 大气对垂直遥感和大倾角遥感影响的主要差别之一体现于邻近象元的影响。对于垂直遥感,点扩散函数是各向同性的,即邻近象元对于目标象元的影响只与它们之间的距离有关,和它们之间的相对方位无关。但是对于大倾角遥感,点扩散函数不仅依赖于邻近象元和目标象元之间的距离,而且还依赖于它们之间的相对方位,在距离相同时,在观测方位上的邻近象元对目标象元的影响最大。本文用传感器、目标象元和邻近象元构成的几何关系描述来自邻近象元的漫反射再经大气的一次散射而达到传感器的辐射通量,从而得到大气的点扩散函数的近似解析解。这种解析近似同蒙托卡洛的模拟结果有很好的一致。我们用这种方法得了ASAS(AdvancedSolid-stateArraySpectroradiameter)大倾角观测时的大气的点扩散函数,并设计了一个Wiener滤波器去除邻近象元的影响。视觉效果评价和空间相关性分析的结果表明了这种方法的有效性和可行性。 展开更多
关键词 大倾角光学遥感 大气订正 邻近象元 点扩散函数 近似模型 遥感图象处理
全文增补中
成品率驱动下基于模型的掩模版优化算法 被引量:5
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作者 王旸 蔡懿慈 +1 位作者 石蕊 洪先龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期351-357,共7页
提出并实现了以分段分类思想为基础的掩模版优化算法 ,它是一种基于模型的光学邻近效应方法 .该算法具有矫正精度高、灵活性强和矫正效率较高的特点 ,适合于版图中关键图形的矫正 .实验表明 ,该优化算法可以实现矫正功能并且具有很好的... 提出并实现了以分段分类思想为基础的掩模版优化算法 ,它是一种基于模型的光学邻近效应方法 .该算法具有矫正精度高、灵活性强和矫正效率较高的特点 ,适合于版图中关键图形的矫正 .实验表明 ,该优化算法可以实现矫正功能并且具有很好的矫正效果 . 展开更多
关键词 掩模 光刻 基于模型的光学邻近矫正
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基于光刻模型的动态自适应切分OPC 被引量:2
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作者 杨祎巍 史峥 +1 位作者 严晓浪 陈晔 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1422-1427,共6页
光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方(recipe),但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波... 光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方(recipe),但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波、断线和桥连等现象.论文提出了一种新的基于光刻模型的动态自适应切分算法,根据不同的光刻模型和几何环境可以给出不同的切分,并且可在校正循环中动态改变切分方式和采样点的放置位置.通过90nm工艺下版图设计的验证,这种切分不仅减少了被切分出的小线段(segment)数量的10%-15%,节省了调试切分规则的时间,而且提高了OPC的质量,使PRV(post RET verification)错误率降低了35%. 展开更多
关键词 光学邻近校正 可制造型设计 动态切分 光刻模型
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光学邻近效应矫正(OPC)技术及其应用 被引量:3
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作者 蔡懿慈 周强 +2 位作者 洪先龙 石蕊 王旸 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2007年第12期1607-1619,共13页
随着集成电路设计和制造进入超深亚微米(VDSM)阶段,特征尺寸已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长,因此光刻过程中,由于光的衍射和干涉现象,实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差,光刻中的这种误差直... 随着集成电路设计和制造进入超深亚微米(VDSM)阶段,特征尺寸已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长,因此光刻过程中,由于光的衍射和干涉现象,实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差,光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率.为尽量消除这种误差,一种有效的方法是光学邻近效应矫正(OPC)方法.目前由于OPC矫正处理时间过长,产生的文件大小呈指数级增长,使掩膜版的制造成本成倍地增加.文中首先针对OPC矫正技术进行了深入研究,提出了具有图形分类预处理功能的自适应OPC矫正技术,将芯片图形按其对性能的影响分为关键图形与一般图形,对两类图形采用不同的容差,提高了OPC处理效率.其次,提出并实现了图形分段分类的基于模型的OPC矫正算法,在保证矫正精度的同时提高了矫正的效率.提出了具有通用性、简洁性和全面性的OPC矫正规则,在此基础上实现了规则库的自动建立和规则库的查找与应用,实现了效率高、扩展性强的基于规则的掩膜版矫正算法.算法对规则数据进行有效地描述、存储和处理,提高了光刻矫正技术实际应用效率.第三,设计实现了高效、高精度的光学邻近效应矫正系统MR-OPC,系统综合应用了基于规则的OPC矫正技术和基于模型的OPC矫正技术,很好地解决了矫正精度和矫正效率之间的矛盾,取得了最佳的矫正优化结果. 展开更多
关键词 光学邻近效应矫正 基于规则 基于模型 版图 集成电路
原文传递
一种新的带有线段与控制点映射模型的光学邻近校正技术 被引量:2
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作者 杨祎巍 史峥 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1667-1672,共6页
在基于光刻模型的光学邻近校正(MB-OPC)中,线段与控制点的映射关系是影响校正结果的一个重要因素。现有的线段与控制点的映射关系均是基于规则的,或者是精度较差的一对一映射关系,或者是计算速度较慢的全对一映射关系。提出了一种新的... 在基于光刻模型的光学邻近校正(MB-OPC)中,线段与控制点的映射关系是影响校正结果的一个重要因素。现有的线段与控制点的映射关系均是基于规则的,或者是精度较差的一对一映射关系,或者是计算速度较慢的全对一映射关系。提出了一种新的带有线段与控制点映射模型的光学邻近校正技术,其映射模型是根据光强梯度推导出的特征区域,线段与控制点的映射关系可以是一对一的,也可以是多对一的,且该映射关系在校正过程中对所有的控制点均适用,无需重复计算。实验结果表明,带有映射模型的MB-OPC结果的边放置误差(EPE)的方差改善显著,且运行时间无显著增加。 展开更多
关键词 成像系统 光刻 光学邻近校正 映射模型
原文传递
垂直角度光学遥感影像邻近像元影响纠正 被引量:2
13
作者 宋晓宇 王纪华 +2 位作者 刘良云 赵春江 李存军 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期537-541,共5页
邻近像元影响是指经非观测目标反射的光子,再经大气的散射到达传感器,从而在某种程度上使地物边缘模糊的现象;邻近像元影响往往使影像的对比度降低,细部信息大量丢失。本文介绍了基于三维辐射传输模型SHDOM(Spectral Harmonics Discrete... 邻近像元影响是指经非观测目标反射的光子,再经大气的散射到达传感器,从而在某种程度上使地物边缘模糊的现象;邻近像元影响往往使影像的对比度降低,细部信息大量丢失。本文介绍了基于三维辐射传输模型SHDOM(Spectral Harmonics Discrete Ordinary Method)建立的经验方程,结合大气辐射传输方程对邻近像元影响进行纠正、获取地物真实反射率的方法,并用该方法对垂直观测成像的Landsat7ETM+影像进行了邻近像元影响纠正,经过纠正后,像元之间的空间自相关性远远小于纠正影像的空间自相关性,同时,影像质量有了明显的提高,对比度增强,地物的细部信息更加明显,收到了较好的效果。 展开更多
关键词 邻近像元影响 垂直观测成像 大气光学厚度 大气点扩散函数 三维辐射传输模型SHDOM
原文传递
NLO Corrections of H_(TC)Π~0 and Π^+Π^- Pair Production at ILC in TC2 Model 被引量:1
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作者 QIAO Qing-Peng LI Zuo +1 位作者 LI Xue-Qian WANG Xue-Lei 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第8期311-317,共7页
As well known,if the Higgs boson were not observed at LHC,the technicolor model would be the mostfavorable candidate responsible for the symmetry breaking.To overcome some defects in the previous model,someextended ve... As well known,if the Higgs boson were not observed at LHC,the technicolor model would be the mostfavorable candidate responsible for the symmetry breaking.To overcome some defects in the previous model,someextended versions have been proposed.In the TC2 model typical signature is existence of heavy H_(TC) and technipionП.A direct proof of validity of the model is to produce them at accelerator.Thus we study the production rates ofe^+e^-→ H_(TC)П~0 and e^+e^-→П^+П^-at ILC in the topcolor-assisted technicolor (TC2) model.In fact,there is a floodof models belonging to new physics,which can result in products with characteristics similar to H_(TC) + П of the TC2model.Therefore to distinguish this model from others one may need to investigate some details by calculating thecross section to NLO.We indeed find that the NLO corrections are significant,namely the ratio δ 2≡(σ_(NLO)-σ_(LO))/σ_(LO) ine^+e^-→ H_(TC)П~0 exceeds 100% within a plausible parameter space. 展开更多
关键词 TECHNICOLOR模型 非线性光学 审判 国际 矫正 希格斯玻色子 对称性破缺 amp
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三维掩模光刻成像快速计算模型
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作者 包涵 张涌 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第13期244-252,共9页
掩模吸收层厚度引起的散射效应会导致深紫外和极紫外光刻成像产生偏差。传统光刻模型建立在满足薄掩模近似的Hopkins成像理论上,但随着掩模上吸收层的高宽比增大,掩模厚度成为衍射计算中不可忽略的因素。为实现对空间像的精准预测,提出... 掩模吸收层厚度引起的散射效应会导致深紫外和极紫外光刻成像产生偏差。传统光刻模型建立在满足薄掩模近似的Hopkins成像理论上,但随着掩模上吸收层的高宽比增大,掩模厚度成为衍射计算中不可忽略的因素。为实现对空间像的精准预测,提出一种三维掩模成像模型,利用严格电磁学仿真生成的掩模衍射近场来修正Hopkins模型结果。严格电磁学仿真需要的计算开销可以通过一种基于旋转变换和仿真维度减少的快速掩模边沿近场生成方法来减少。因此,将三维掩模成像模型和快速衍射近场生成方法结合后可以快速构建精准的三维掩模光刻成像模型。 展开更多
关键词 计算光刻 光学邻近矫正 三维掩模模型 时域有限差分法
原文传递
亚波长光刻技术与IC设计
16
作者 王正华 《中国集成电路》 2003年第51期73-78,共6页
亚波长光刻当集成电路产业在1999年开始跨进0.18um特征尺寸阶段时,它也就进入了光刻工艺技术的亚波长时期。在此时期领先的集成电路制造商生产的器件,其特征尺寸短于光刻爆光的光波波长。正如图1所示,0.18um和0.
关键词 亚波长光刻 IC设计 集成电路 光学邻近矫正 移相掩模版 分辨率增强技术
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