SOA器件中激光焊接温度场与构件热弹性变形

在SOA器件封装过程中,激光焊接后,构件的变形严重影响光纤的耦合效率。从热弹性耦合的角度考虑,采用有限元分析方法,用软件模拟焊点周围温度场分布及构件变形情况,揭示了激光束能量不平衡性对光纤位移的影响,与实际情况吻合较好,为进一步分析塑性变形奠定了基础。

PLBT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器

首次报道了 PL BT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器的初步研究结果 ,介绍了硅光电负阻器件 (PL BT)

光控微波固体器件研究进展

本文概述了近年来光控微波固体器件方面的研究成果,并论述了其发展趋势。

光控微波半导体器件及其应用

光控微波半导体技术对于未来的系统具有极大的吸引力.介绍了某些微波半导体器件的光敏特性机理,讨论了光控微波半导体器件的应用前景.

基于忆阻器结构的Ge基光控晶体管制备及其光电性能研究

设计并制备了一种基于忆阻器结构且具有可编程特性的Ge基光控晶体管,它由两个结构为Ni/Ge/GeO_(x)/Al_(2)O_(3)∶HfO_(2)/Pd的忆阻器背对背组成,共用阻变层GeO_(x)/Al_(2)O_(3)∶HfO_(2)、衬底Ge和底电极Ni,阻变层的设计是实现光控晶体管功能的关键。两个顶电极Pd作为光控晶体管源漏极,中间区域作为栅极接受外加光源的栅控。探究了Ge基忆阻器光电响应特性,并实现光控晶体管基于光源栅控的输出与转移特性。进一步地,探究了器件的物理机制并验证设计的科学性和可行性。该光控晶体管具有非易失性与标准CMOS工艺兼容性等优势,能有效简化器件制备工艺、降低制造成本,可为下一代光电芯片研发提供参考。

纳米材料中的界面现象

在课程教学中融入科学前沿实例不仅可以阐明所学基本原理的实际意义,还可以为基本原理的灵活应用提供范例,启发学生独立思考能力。界面化学是物理化学课程中的重要学习内容,但由于在常规尺度的多相体系中界面现象并不显著,学生对该部分知识常有忽视。近年来纳米材料已成为国内外研究的热点。纳米材料由于其高界面分子比例而表现出更为显著的界面现象。将界面化学的基本原理应用于纳米材料的研究中,已取得了一系列令人瞩目的成果。本文首先对附加压力、接触角等相关界面现象的基本原理进行梳理,然后分别介绍根据这些基本原理所发展出的分子马达、光控微流控器件、液体门控技术以及超疏水表面四项科技突破。

硅光电负阻器件的光电功能

全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能，为进一步开发应用这类器件奠定了基础。

光电双基区晶体管中的光控电流开关效应

光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。

光控调频效应的实验研究

将双基区晶体管（ＤＵＢＡＴ）与一光电探测器件相结合，首次实现了三端负阻器件的光控调频效应。得到每ｌｕｘ光强改变频率２．０×１０５Ｈｚ（对光敏电阻）和每ｌｕｘ光强改变频率２．

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。

PLZT 陶瓷双压电晶体型光执行器件动特性研究

本文介绍一种新型光控系统，系统中应用ＰＬＺＴ陶瓷片作为光执行器件实现光机转换，将两片极化后的ＰＬＺＴ陶瓷片按极化方向相反粘贴，形成双压电晶体型光执行器件，根据光信号来控制ＰＬＺＴ陶瓷双晶片的机械变形。

皮秒级光控光开关研究现状

介绍了目前常用的几种光控光开关(M-Z型、平面反射型、光克尔型、NOLM型、频移型等)的工作原理、性能和应用;介绍了几类对全光开关研究有十分重要意义的新材料;最后探讨了关于如何能够更好的研究光控光开关的一些思路。

DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制

研制出特征频率 fT≥ 2 2 0MHz ,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件———达林顿光电λ型双极晶体管 (DPLBT) ,并首先用发光二极管 (LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器 (PCDPLBT)。

路灯光控自动开关

笔者现介绍一种路灯光控开关电路。该路灯控制器采用了功率参数固体继电器（PSSR）新器件，电路非常简单。

用于光控相控阵雷达的空间光调制器

空间光调制器是光信息处理机的基本结构单元 ,它能根据电驱动信号或光驱动信号 ,随时修正与空间和时间有关的读出光束的偏振、相位和幅度。介绍了适用于光控相控阵雷达系统的空间光调制器 ,包括它们的结构、原理和性能。

光敏开关器件微波传输特性的研究与分析

高性能的光敏开关器件是实现直接光控有源频率选择表面(AFSS)的关键。文中阐述了硫化镉光敏薄膜的优点和长引脚硫化镉光敏电阻器件的劣势,对四款不同的贴片硫化镉光敏电阻直流特性与微波特性进行了研究与分析。对加载有环保光敏电阻的圆环缝隙频率选择表面(FSS)进行实验验证,确定了单缝型微带线光控开关作为直接光控AFSS基础模型的有效性。同时,对直接光控AFSS中常用半导体硅和同族体锗进行了微波微带开关测试,表明锗并不适用于光控微波开关。最后对潜在可用于直接光控的新型半导体材料进行了展望。

光敏器件

光敏器件包括光敏电阻、光敏二极管及光敏三极管等。光敏器件可以用来以可见光或红外光的形式控制报警器、测试仪、自动开关、继电器等多种装置或执行机构。因此光敏器件在自动化技术中起着极其重要的作用。 光敏电阻受光照后,其阻值会变小。光敏电阻的符号如图1所示,用来制作光敏电阻的典型材料有硫化镉(CdS)及硒化镉(CdSe)两种。光敏电阻的CdS或CdSe沉积膜面积越大,其受光照后的阻值变化也越大,故通常将沉积膜做成“弓”字形,以增大其面积。光敏电阻工作时的响应速度较慢,如CdSe光敏电阻的响应时间约为10ms,CdS的响应时间约为100ms。因此,光敏电阻通常都工作于直流或低频状态下。

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。

市政工程用光控闪烁安全警示灯

在市政工程建设中,为了铺设给排水管道、煤气液化气或天然气管道、地下电力照明电缆、通信电缆光缆、有线电视信号线等,需在道路开挖的沟坑旁挂上红色警示灯,以免夜晚行人和车辆不慎跌入沟坑,维护交通安全.这种红色警示灯有的使用普通机械开关,由人工操作控制;有的发出不变的红色光,效果欠佳.据此,可以制作一种安全警示灯专用开关,使其具有光控和闪烁双重功能,让警示灯傍晚自动点亮,白天自动熄灭,并且在黑夜里发出引人注目的闪烁光,从而达到无人看管和节电的目的.