基区宽度调制对晶体三极管特性的影响

分析了基区宽度调制对晶体三极管共射输入、输出特性的影响,并明确了该影响与等效参数之间的直接关系.

半导体浪涌保护器基区参数探讨

讨论了半导体浪涌保护器件的基区宽度，着重分析了基区宽度与开通电压、静电电容、浪涌能力的关系，指出控制基区宽度，可有效地提高器件的浪涌能力。

不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性

为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄,因而反偏注入MM ESD时,高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600 MHz时,失效电压最大,并且随着fT的升高或降低,器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高,当fT≤600 MHz时,共发射极电流增益hFE突变至失效,当fT>600MHz时,hFE渐变至失效。该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义。

穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化

为克服各种常用光电探测器件的缺点,对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构,改进为窄基区穿通晶体管在中间,两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时,对不同窄基区宽度下的暗电流、光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真,得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真,分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明,当窄基区宽度为0.6μm时,器件性能折中达到最优,在0.5 V偏压下,器件暗电流仅为1μA;入射光功率密度为10-7W/cm2时,器件响应率高达4×106A/W。

一种逻辑门极可控硅的设计

本文提出了一种适用于集成电路直接驱动的逻辑门极可控硅的设计,该可控硅具有合理的门极结构,精确的长、短基区宽度以及杂质浓度分布。

P沟道恒流二极管的电流扩展方法

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。

采用深扩散研制高电压大电流晶閘管

本文叙述了高电压大电流晶闸管几项主要参数的确定和采用深扩散技术研制电流容量为1000A、电压为2000V的晶闸管。

双极晶体管的存储时间问题——开关管存储时间与集电区少子寿命无关

根据双极晶体管集电区少子存储可以忽略，提出了存储时间必然和集电区少子寿命无关的论点，并给出了一种验证该论点的简单实验方法．

关于镜象电流源的讨论

关于镜象电流源的讨论农亮勤（广西民族学院物理系南宁５３０００６）１问题的提出在电子电路特别是模拟集成电路中，广泛地使用一种单元电路———电流源。镜象电流源是常见的一种恒流源，集成运放Ｆ００７中就有多处使用镜象电流源。因此，通常在高等院校模拟电路教科...

RK837通用快充协议芯片的闩锁效应分析

阐述芯片的特征尺寸随着工艺技术的发展越来越小,从而导致集成电路闩锁效应的问题变得日趋严重,从版图的角度分析Latch-up产生机理和防护方法。