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应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
被引量:
2
1
作者
林润韬
王建军
+1 位作者
赵晶
万志华
《电源学报》
CSCD
北大核心
2022年第5期75-83,共9页
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆,锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时,也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时,为了提高电源开关频率与设...
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆,锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时,也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时,为了提高电源开关频率与设备效率,将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)器件引入到LLC变换器设计中。为有效解决GaN HEMT耐压带来的应用限制,使用堆叠半桥三电平拓扑实现器件分压。通过PSIM进行仿真验证,证明该拓扑的设计有效性。最终制作2 kW的实物样机,实现400~800 V电压输入与25~40 V电压输出,峰值功率达到93.89%。
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关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管
堆叠半桥
LLC
宽电压输入
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职称材料
题名
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
被引量:
2
1
作者
林润韬
王建军
赵晶
万志华
机构
中国运载火箭技术研究院北京航天发射技术研究所
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2022年第5期75-83,共9页
文摘
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆,锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时,也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时,为了提高电源开关频率与设备效率,将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)器件引入到LLC变换器设计中。为有效解决GaN HEMT耐压带来的应用限制,使用堆叠半桥三电平拓扑实现器件分压。通过PSIM进行仿真验证,证明该拓扑的设计有效性。最终制作2 kW的实物样机,实现400~800 V电压输入与25~40 V电压输出,峰值功率达到93.89%。
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管
堆叠半桥
LLC
宽电压输入
Keywords
gallium nitride high electron mobility transistor(GaN HEMT)
stacked half-bridge
LLC
wide input voltage
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
林润韬
王建军
赵晶
万志华
《电源学报》
CSCD
北大核心
2022
2
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