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英特尔推出采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存
1
《电子产品世界》
2004年第03B期91-92,共2页
关键词
英特尔公司
NOR闪存
堆叠式芯片尺寸封装
90纳米制造工艺
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题名
英特尔推出采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存
1
出处
《电子产品世界》
2004年第03B期91-92,共2页
关键词
英特尔公司
NOR闪存
堆叠式芯片尺寸封装
90纳米制造工艺
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
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1
英特尔推出采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存
《电子产品世界》
2004
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