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高带宽存储器的技术演进和测试挑战 被引量:1
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作者 陈煜海 余永涛 +3 位作者 刘天照 刘焱 罗军 王小强 《电子与封装》 2023年第2期27-33,共7页
高带宽存储器(HBM)是一种采用三维堆叠和硅通孔技术的超高宽带、低功耗的新型动态随机存取存储器(DRAM),主要应用在高性能计算处理器、人工智能计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算领域。国际电子元件工业联合会(JEDEC)先后发布了3代... 高带宽存储器(HBM)是一种采用三维堆叠和硅通孔技术的超高宽带、低功耗的新型动态随机存取存储器(DRAM),主要应用在高性能计算处理器、人工智能计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算领域。国际电子元件工业联合会(JEDEC)先后发布了3代HBM技术标准,并在2022年1月发布了第四代JESD238 HBM3 DRAM技术标准,为新一代高带宽内存指定了发展方向。系统梳理了HBM技术标准的发展,介绍了HBM技术在输入输出接口速度、带宽和存储容量方面的突破,结合HBM的技术特点,研究分析了HBM晶圆级堆叠芯片的测试技术及其面临的挑战。 展开更多
关键词 高带宽存储器 三维集成电路 堆叠芯片测试
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