期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高带宽存储器的技术演进和测试挑战
被引量:
1
1
作者
陈煜海
余永涛
+3 位作者
刘天照
刘焱
罗军
王小强
《电子与封装》
2023年第2期27-33,共7页
高带宽存储器(HBM)是一种采用三维堆叠和硅通孔技术的超高宽带、低功耗的新型动态随机存取存储器(DRAM),主要应用在高性能计算处理器、人工智能计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算领域。国际电子元件工业联合会(JEDEC)先后发布了3代...
高带宽存储器(HBM)是一种采用三维堆叠和硅通孔技术的超高宽带、低功耗的新型动态随机存取存储器(DRAM),主要应用在高性能计算处理器、人工智能计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算领域。国际电子元件工业联合会(JEDEC)先后发布了3代HBM技术标准,并在2022年1月发布了第四代JESD238 HBM3 DRAM技术标准,为新一代高带宽内存指定了发展方向。系统梳理了HBM技术标准的发展,介绍了HBM技术在输入输出接口速度、带宽和存储容量方面的突破,结合HBM的技术特点,研究分析了HBM晶圆级堆叠芯片的测试技术及其面临的挑战。
展开更多
关键词
高带宽存储器
三维集成电路
堆叠芯片测试
下载PDF
职称材料
题名
高带宽存储器的技术演进和测试挑战
被引量:
1
1
作者
陈煜海
余永涛
刘天照
刘焱
罗军
王小强
机构
工业和信息化部电子第五研究所
出处
《电子与封装》
2023年第2期27-33,共7页
基金
广东省重点领域研发计划(2020B0404030005)。
文摘
高带宽存储器(HBM)是一种采用三维堆叠和硅通孔技术的超高宽带、低功耗的新型动态随机存取存储器(DRAM),主要应用在高性能计算处理器、人工智能计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算领域。国际电子元件工业联合会(JEDEC)先后发布了3代HBM技术标准,并在2022年1月发布了第四代JESD238 HBM3 DRAM技术标准,为新一代高带宽内存指定了发展方向。系统梳理了HBM技术标准的发展,介绍了HBM技术在输入输出接口速度、带宽和存储容量方面的突破,结合HBM的技术特点,研究分析了HBM晶圆级堆叠芯片的测试技术及其面临的挑战。
关键词
高带宽存储器
三维集成电路
堆叠芯片测试
Keywords
high bandwidth memory
3D IC
stacked die test
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高带宽存储器的技术演进和测试挑战
陈煜海
余永涛
刘天照
刘焱
罗军
王小强
《电子与封装》
2023
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部