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题名双层石墨烯的化学气相沉积制备研究综述
被引量:2
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作者
张学薇
邹振兴
赵沛
王宏涛
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机构
浙江大学应用力学研究所
浙江大学交叉力学中心
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期1-19,97,共20页
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基金
国家重大科研仪器研制项目(61427901)
国家自然科学基金面上项目(11872330)~~
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文摘
石墨烯具有很多优异的性质,是非常理想的硅晶体替代材料,有可能彻底改变现在人们的生活,引发新一轮的科技革命。但是单层石墨烯是一种零带隙的半金属,在半导体电子器件方面受到很大局限性。AB堆垛双层石墨烯的带隙可由外部垂直电场打开,既可用于半导体电子器件领域,又可以大大降低薄膜电阻,用于透明导电薄膜。尽管石墨烯制备方法很多,但受限于成本、质量、规模化等,化学气相沉积法是制备大面积、高质量双层石墨烯最主要的手段。综述了利用化学气相沉积法制备双层石墨烯的一系列工作,首先介绍单双层石墨烯的生长机理,主要根据催化剂类型对镍、铜、铜镍合金上石墨烯形核和生长作出解释;然后从碳源、生长氛围、催化剂、基底结构等对双层石墨烯的均匀性、晶畴尺寸和堆垛形式等方面进行分析;最后,总结以上化学气相沉积法制备双层石墨烯的工作,并对该领域的发展进行展望。
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关键词
双层石墨烯
化学气相沉积
生长机理
拉曼光谱
催化剂
堆垛形式
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Keywords
bilayer graphene
chemical vapor deposition
growth mechanism
Raman spectroscopy
catalyst
stacking
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分类号
TG174.44
[金属学及工艺—金属表面处理]
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