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BST材料在DRAM电容中的应用研究 被引量：6
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作者 肖斌 汪家友 +1 位作者 苏祥林 杨银堂 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第3期287-290,共4页
钛酸锶钡(BST)高介电常数材料被普遍认为是最有前途的DRAM电容介质材料。BST作为DRAM电容介质材料的研究已有多年,到目前为止取得了不少突破性的进展。介绍了BST的材料特性和堆积型电容结构电极、埋层材料的设计考虑,探讨了BST膜的制备... 钛酸锶钡(BST)高介电常数材料被普遍认为是最有前途的DRAM电容介质材料。BST作为DRAM电容介质材料的研究已有多年,到目前为止取得了不少突破性的进展。介绍了BST的材料特性和堆积型电容结构电极、埋层材料的设计考虑,探讨了BST膜的制备、掺杂及刻蚀工艺技术。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 动态随机存储器 介质材料 堆积型电容
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