采用65nm工艺实现宽频带低相位噪声的LC-VCO

介绍了采用65 nm工艺实现宽频带和低相位噪声LC-VCO。利用相邻两层金属以及多层金属之间的寄生电容来实现堆积式MOM电容。开关阵列电容采用所述的堆积电容来实现,在实现宽频带调谐的基础上可减小VCO的调谐增益。在交叉耦合MOS管的漏极插入电阻来抑制有源器件中闪烁噪声,这种非谐振方式可保证闪烁噪声的抑制在宽频带范围内有效。压控振荡器采用65 nm CMOS工艺实现,测试得到的调谐频率范围为2.7 GHz 1.3 GHz;输出频率为1.3 GHz时的相位噪声为-124 d Bc/Hz@1 MHz;供电电压为1.2 V时,功耗为2.4 m W;相应的优值为-183 d Bc/Hz。