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彩电用塑封三极管双85加偏压可靠性分析
被引量:
1
1
作者
赵云龙
程春德
+3 位作者
刘继军
王志锦
孟志学
赵善展
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期46-50,共5页
本文着重介绍了提高芯片内在质量的一套工艺方法:①从热动力学出发,用以减少和防止潜在缺陷的产生和增殖的几种低温技术:低温的一次氧化、基极和低浓度射极扩散技术;②从“动态”缺陷观点出发及金属杂质在不同凝聚相中的分凝行为而设置...
本文着重介绍了提高芯片内在质量的一套工艺方法:①从热动力学出发,用以减少和防止潜在缺陷的产生和增殖的几种低温技术:低温的一次氧化、基极和低浓度射极扩散技术;②从“动态”缺陷观点出发及金属杂质在不同凝聚相中的分凝行为而设置的几种吸除技术,即非电作用区的自吸除、Si片正、背面的外吸除;③强化各层介质膜的缀合膜复合体钝化技术。
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关键词
彩电
塑封三极管
偏压
可靠性
芯片
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职称材料
题名
彩电用塑封三极管双85加偏压可靠性分析
被引量:
1
1
作者
赵云龙
程春德
刘继军
王志锦
孟志学
赵善展
机构
石家庄市无线电二厂研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期46-50,共5页
文摘
本文着重介绍了提高芯片内在质量的一套工艺方法:①从热动力学出发,用以减少和防止潜在缺陷的产生和增殖的几种低温技术:低温的一次氧化、基极和低浓度射极扩散技术;②从“动态”缺陷观点出发及金属杂质在不同凝聚相中的分凝行为而设置的几种吸除技术,即非电作用区的自吸除、Si片正、背面的外吸除;③强化各层介质膜的缀合膜复合体钝化技术。
关键词
彩电
塑封三极管
偏压
可靠性
芯片
分类号
TN949.12 [电子电信—信号与信息处理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
彩电用塑封三极管双85加偏压可靠性分析
赵云龙
程春德
刘继军
王志锦
孟志学
赵善展
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
1
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