1
|
单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 |
徐静波
张海英
尹军舰
刘亮
李潇
叶甜春
黎明
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
1
|
|
2
|
外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响 |
席晓文
柴常春
刘阳
杨银堂
樊庆扬
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2017 |
4
|
|
3
|
Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关 |
陈梓雅
张志浩
周杰海
李玮鑫
章国豪
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
|
2024 |
0 |
|
4
|
标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件 |
李淑萍
张志利
付凯
于国浩
蔡勇
张宝顺
|
《半导体技术》
CSCD
北大核心
|
2017 |
3
|
|
5
|
增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究 |
王冲
全思
马晓华
郝跃
张进城
毛维
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2010 |
1
|
|
6
|
高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT |
李茂林
陈万军
王方洲
施宜军
崔兴涛
信亚杰
刘超
李肇基
张波
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2019 |
3
|
|
7
|
一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片 |
骆银松
李智鹏
吕俊材
曾荣
吕立明
|
《微波学报》
CSCD
北大核心
|
2024 |
0 |
|
8
|
9~15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器 |
魏碧华
蔡道民
武继斌
|
《半导体技术》
CSCD
北大核心
|
2017 |
7
|
|
9
|
GaN基增强型HEMT器件的研究进展 |
黄火林
孙楠
|
《电子与封装》
|
2023 |
0 |
|
10
|
增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展 |
杜彦东
韩伟华
颜伟
张严波
熊莹
张仁平
杨富华
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2011 |
4
|
|
11
|
蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT |
顾国栋
敦少博
郭红雨
韩婷婷
吕元杰
房玉龙
张志荣
冯志红
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2019 |
1
|
|
12
|
栅下双异质结增强型AlGaN/GaN HEMT |
陈飞
冯全源
杨红锦
文彦
|
《微电子学》
CAS
北大核心
|
2022 |
2
|
|
13
|
增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型 |
卢盛辉
杜江锋
罗谦
于奇
周伟
夏建新
杨谟华
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2010 |
0 |
|
14
|
栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响 |
崔兴涛
陈万军
施宜军
信亚杰
李茂林
王方洲
周琦
李肇基
张波
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2019 |
4
|
|
15
|
2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC |
李远鹏
陈长友
刘会东
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2023 |
0 |
|
16
|
基于GaAs-0.25μm L波段高效率功率放大器设计 |
谢仕锋
李海鸥
李跃
李陈成
张法碧
陈永和
傅涛
李琦
肖功利
孙堂友
陈立强
|
《桂林电子科技大学学报》
|
2019 |
2
|
|
17
|
14~14.5GHz 20W GaAs PHEMT内匹配微波功率管 |
赵博
唐世军
王帅
|
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
1
|
|
18
|
干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性 |
冯玉昆
于国浩
吴冬东
杜仲凯
张炳良
李新宇
张宝顺
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2021 |
1
|
|
19
|
增强型AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的质子辐照效应 |
吕玲
林正兆
郭红霞
潘霄宇
严肖瑶
|
《现代应用物理》
|
2021 |
4
|
|
20
|
氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响 |
王哲力
周建军
孔月婵
孔岑
董逊
杨洋
陈堂胜
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2015 |
0 |
|