TN362 2003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=Incidentangle dependence of quantum efficiency of GaAs based RCEphotodetectors[刊,中]/梁琨(中科院半导体研究所.北京(100083)),杨晓红…//光子学报.-2003,32(5)...TN362 2003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=Incidentangle dependence of quantum efficiency of GaAs based RCEphotodetectors[刊,中]/梁琨(中科院半导体研究所.北京(100083)),杨晓红…//光子学报.-2003,32(5).-637-640采用MBE生长In<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度。展开更多
TB366 2000010493关于MAMA探测器中128×128阳极阵列的设计研究=Designing studies on 128×128 anode arrayfor MAMA detectors[刊,中]/戴丽英,陈举忠,王全其(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))//真空电子技术.—1998,(5)...TB366 2000010493关于MAMA探测器中128×128阳极阵列的设计研究=Designing studies on 128×128 anode arrayfor MAMA detectors[刊,中]/戴丽英,陈举忠,王全其(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))//真空电子技术.—1998,(5).—20-25叙述了MAMA探测器的工作原理。展开更多
TN364.2 2000053512外保护环短路不能减小光电二极管暗电流=Impossibilityof decrease in dark carrent of guard ringshort circuited photodiodes[刊,中]/何民生,黄启俊(武汉大学光电技术系.湖北,武汉(430027))//半导体光电.—1999,20...TN364.2 2000053512外保护环短路不能减小光电二极管暗电流=Impossibilityof decrease in dark carrent of guard ringshort circuited photodiodes[刊,中]/何民生,黄启俊(武汉大学光电技术系.湖北,武汉(430027))//半导体光电.—1999,20(6).展开更多
文摘TN362 2003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=Incidentangle dependence of quantum efficiency of GaAs based RCEphotodetectors[刊,中]/梁琨(中科院半导体研究所.北京(100083)),杨晓红…//光子学报.-2003,32(5).-637-640采用MBE生长In<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度。
文摘TB366 2000010493关于MAMA探测器中128×128阳极阵列的设计研究=Designing studies on 128×128 anode arrayfor MAMA detectors[刊,中]/戴丽英,陈举忠,王全其(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))//真空电子技术.—1998,(5).—20-25叙述了MAMA探测器的工作原理。
文摘TN364.2 2000053512外保护环短路不能减小光电二极管暗电流=Impossibilityof decrease in dark carrent of guard ringshort circuited photodiodes[刊,中]/何民生,黄启俊(武汉大学光电技术系.湖北,武汉(430027))//半导体光电.—1999,20(6).