彩电图象清晰度增强电路AN5342K

图象清晰度是电视机最主要的技术参数，为了提高图象清晰度，电子技术工作者花费了大量的精力，做了大量的工作。日本松下公司生产的ＡＮ５３４２Ｋ图象清晰度增强电路是较为成功的一种，它已普遍用于高档大屏幕彩色电视机中。ＡＮ５３４２Ｋ的内部电路（图１）主要包括图...

大电容负载下的高速、低功耗动态摆率增强电路研究

本文提出了一种针对大负载电容的高速、低功耗动态摆率增强电路设计方法.电路通过直接监测主运算放大器输入端的差分电平变化,实现对主放大器的动态电流补偿,较大幅度地提高了摆率增强效果.通过改变核心MOS管尺寸,可以实现对摆率增强电路开启阈值的调节.通过引入开关控制,可以实现对摆率增强电路的及时"休眠",提高电路的能效.动态摆率增强电路与主运算放大器为并行关系,因此适用于所有结构的运算放大器,通用性强.电路采用0.35μm商业CMOS工艺实现,有效芯片面积0.15×0.15mm2.采用5V单电源供电,测试结果表明,本电路针对400pF大负载电容,可以实现7V/μs的正向摆率及10V/μs的负向摆率,功率消耗6.25μW.该方法与传统的电路结构相比,工作效率显著提高.

长虹C2919PV彩电图像清晰度增强电路原理分析

为了提高重现图像的水平清晰度,长虹C2919PV彩电在亮度处理电路中采用了松下公司生产的图像清晰度增强集成电路AN5342K。AN5342K具有水平轮廓校正、动态细节校正、动态清晰度控制、核化处理以及扫描速度调制信号形成等功能,可使彩电重现有深度感且层次分明的高品质图像。 AN5342K内部框图及引脚功能 AN5342K内部电路框图如图1所示。AN5342K具有30根引脚,它们分别是:①脚为接地端;②脚(DSC-IN)

PW系列高清平板彩电IC系列详解之 PW1232LCD彩电数字视频处理与图像增强电路

PW1232是美国像素Pixel works公司生产的精密显像视频处理芯片。采用160脚PQFP形式的塑料封装，2．5V和3．3V供电电压。该芯片具有非常强大的数字视频处理功能，其内部集成的主要功能如下：

PW系列高清平板彩电IC系列详解之PW1231ALCD彩电视频处理与图像增强电路

PW1231A是美国Pixelworks公司生产的一款优质的数字视频处理与图像增强电路。该芯片采用的逐行、定标和视频增强算法，能将隔行扫描的信号转换为逐行扫描，场频从50Hz转换为60Hz，并能复原行场幅和视频。它可接收标准的视频格式和分辨率，并将其转换为所需的格式输出、视频图像信号的处理较为完美。由于集成度高、外围所需元件少，是一款性价比很高的优质芯片。

介绍一种BBE音效增强电路成品板

在音响系统中加入BBE电路会使声音更加亮丽,带给你更多的深沉、纤细和清晰感,能令你的音响获得高音纤细,中音通透醇厚,低音雄厚饱满自然的效果。有关BBE技术在本刊及其他电子刊物均有详细介绍,在此不再赘述。对于没有功放机而又想购买功放机的朋友应选带“BBE”功能的知名品牌产品,若已有功放又不满意的朋友可购买一块BBE成品板加进去即可令功放升级,享受“BBE”带给你那清晰、纤细。

一种计算机网络信号增强电路的设计

本设计用较少的电子元器件和较简单的电路结构,通过电子元器件之间的科学联接,能够提高网络信号的增益,提高网络信号的强度.能从物理上延伸信号传输的有效距离,使计算机上网更加稳定,且性能稳定、价格低廉.本设计既可以集成到其它成熟产品中,成为该产品扩展附加功能,还可以单独进行工业设计,形成专用功能的产品.

用蓄电池供电、搭载低音增强电路的MOS-FET耳机放大器

本文介绍一款用两节内阻很低的12V铅蓄电池构成放大器电源的MOS FET耳机放大器,由于铅蓄电池的内部阻抗在高频时仍然低,所以可以提高耳机放大器的信噪比.该耳机放大器的输入级选用FET上下对称差动电路,驱动级为双极型晶体三极管,输出级为MOS FET.放大器的输出阻抗很低,1kHz时为0.5Ω.残留噪声也极小,为4μV(JIS-A曲线校正).该机还可以用作线路放大器.

介绍一种BBE音效增强电路

不少的音响发烧友将自己的音响经过一番摩机后,音质的确改善了许多,但听了三两个月后还是觉得不耐听,总觉得不够清晰、不够明亮、细节表现力好像被捂住了、觉得浑浊,于是惜重金购进高档器材……这让一般工薪阶层的发烧友如何承受?为此向广大发烧友推荐一种高清晰原音系统——BBE音效增强清晰技术。 BBE是美国BBE Sound Inc公司推出的用于大幅度改善听音质量的音响技术,以智能化地修正和恢复任何音频系统由于各种原因而导致信号损失和相位偏差的缺陷,使听音感觉高低音丰富,同时原来损失的声音细节得以重现,定位感、清晰度、明亮感近乎理想,体现“原汁原味”。加装了BBE音效电路会使声音更加亮丽,带给你更多的深度、纤细和清晰感。人们在现场(音乐厅)

一种应用于反熔丝FPGA的快速启动电荷泵设计

针对传统Dickson结构电荷泵升压较慢,在用户模式下降低反熔丝FPGA工作速度,以及造成电路工作时序混乱的问题,在传统结构的基础上设计一种快速启动的电荷泵电路。该电路在常见的振荡器、非交叠时钟产生电路、主体电荷泵电路之外增设时钟信号增强电路以及0V产生电路。以时钟信号增强电路,加快电荷的转移速率,实现电荷泵快速升压;0V产生电路实现高压模块与低压模块的有效隔离,在编程模式下起到电路保护作用。基于CMOS工艺,在全局等效负载条件下进行仿真实验,结果表明改进后的电荷泵输出达到稳定的时间比原电路缩短了57.6%。实际流片后,电路功能测试正常。

一种瞬态增强的无片外电容LDO设计

基于SMIC 0.18 um BCD工艺,采用自适应功率管技术和直接电压尖峰检测技术,设计了一种瞬态响应增强的无片外电容低压差线性稳压器。瞬态增强电路采用对称的频率补偿网络提高功率管瞬时摆率,抑制下冲;采用PMOS管组成的电荷泄放通路减小系统瞬时输出阻抗,抑制上冲。仿真结果显示:输入电压为3.5~4.5 V、漏失电压为100 mV时,系统最大输出电流为100 mA;线性调整率为0.04 mV/V,负载调整率为7.33 mV/A。负载电流在0~100 mA@1 us跳变时,上冲、下冲电压小于130 mV,建立时间小于1 us。

方向性增强电路的作用及环绕声场的特点

方向性增强电路的作用在杜比定向逻辑解码器中,为了解决四声道系统各声道间分离度仅3dB 带来的声像分隔模糊不清的问题,解码器的后面增添了一套'方向性增强电路',框图如图1所示。'方向性增强电路'的内部结构相当复杂,但它的设计指导思想十分简单明了由于相邻声道各含有对方声道的信号才使分离度下降,因此如果检测出某瞬间某方向的信号最强,那么设法加强该信号,同时减小相邻声道的信号输出。

高原环境下天幕靶探测电路设计

针对现有天幕靶在高原环境下天空背景主要为蓝光引起的探测灵敏度急剧下降的问题,提出了双光幕探测方案,设计了过幕信号增强电路和程控放大控制电路.采用两套独立的光电转换模块在空间形成重合的探测光幕.当弹丸穿过重合光幕时,两套模块各自独立输出弹丸过靶信号,经信号增强电路进行处理后,提高信噪比、输出有效的弹丸过幕信号.设计的电路经在双镜头天幕靶上使用验证,电路工作可靠,提高了天幕靶的探测灵敏度.

一种基于CLASS-AB类运放的无片外电容LDO设计

介绍了一种基于CLASS-AB类运放无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。电路在高摆率误差放大器(EA)的基础上,通过构建动态偏置电路反馈到EA内部动态偏置管,大幅改善了LDO的瞬态响应能力,且动态偏置电路引入的左半平面零点保证了LDO的环路稳定性。同时,EA采用过冲检测电路减小了输出过冲,缩短了环路稳定时间。电路基于65 nm CMOS工艺设计和仿真。仿真结果表明,在负载电流10μA~50 mA、输出电容0~50 pF条件下,LDO输出稳定无振荡。在LDO输入2.5 V、输出1.2 V、无片外电容条件下,控制负载在10μA和50 mA间跳变,LDO输出恢复时间为0.7μs和0.8μs,下冲和上冲电压为58 mV和15 mV。

新型大屏幕彩电——新电路新技术精萃(2)

三、图像清晰度增强电路(LTI) 图像清晰度增强电路,又称亮度瞬态提高电路,主要作用是对图像边缘的轮廓进行校正,降低亮度信号的噪声,使图像信号的水平清晰度得到提高。该电路主要由集成电路AN5342K组成,实际应用电路如图3所示(松下三超画王系列彩电M17机心)。

高稳定性高瞬态响应无片外电容LDO的设计

基于Nuvoton 0.5μm 5 V标准CMOS工艺,设计了一种高稳定性、高瞬态响应、无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。电路中引入了过冲、欠冲电压改善模块,用来削减过/欠充电压,互不干扰。过冲电压改善电路将LDO输出电压与参考电压进行比较,过冲状态下开启从LDO输出端到地的快速放电通路,欠冲电压改善电路通过电容耦合获得反映LDO输出电压瞬态变化的采样信号,经反向放大后加速功率管栅极电容放电,进而通过功率管对LDO输出电容充电。仿真结果表明,在TT工艺角下该低压差线性稳压器的空载相位裕度为64.57°,满载相位裕度为62.58°,过冲电压为40 m V,欠冲电压为97.6 m V,线性调整率为0.733‰;负载调整率19μV/m A;电源电压抑制比(PSRR)为-73 d B。

基于斩波稳定技术的可编程增益放大器

为满足模拟前端检测电路的低噪声、低失调的要求,介绍一种采用0.18μm CMOS工艺制作的基于斩波稳定技术的可编程增益放大器。采用斩波稳定技术降低失调与低频1/f噪声,利用可编程增益级提高模拟前端电路输出摆幅的利用率,以满足不同环境下的检测需求。该款放大器从1 Hz到10 kHz的等效输入噪声积分值为1.43μV,使用阻抗增强电路实现4.52 GΩ的运放输入阻抗;采用C-2C电容阵列作为可变电容阵列,可实现0~15倍最小步长1/64倍的增益调节,对于需要精细化调节增益的低噪声电路有广泛的应用场景。

一种低功耗无片外电容LDO的设计

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款输入电压为1.8V、输出电压为1.6V的低功耗无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其静态电流仅为5μA。该电路采用一种新型摆率增强电路,通过检测输出电压的变化实现对功率管的瞬态调节。片内采用密勒补偿使主次极点分离,整个系统在负载范围内具有良好的稳定性。仿真结果显示,该LDO在负载电流以99mA/1μs跳变时,输出电压下冲为59mV,上冲为60mV,响应时间约为1.7μs。