大唐微电子UIM卡通过增强级信息安全认证

日前，国内领先的智能卡供应商——大唐微电子的UIM卡产品通过中国信息安全产品测评认证中心的测评认证，并获得由中国信息安全产品测评认证中心颁发的智能卡EAL4增强级(EAL4+)信息安全产品认证证书．成为中国第一家通过UIM卡EAL4增强级认证的智能卡厂商。

基于两级自适应线谱增强器的舰船辐射噪声线谱检测

舰船辐射噪声中的线谱成分能表征舰船的本质特征,是舰船目标识别中的主要特征矢量。因此,舰船辐射噪声线谱的准确检测在目标识别中具有十分重要的意义。针对海洋环境噪声中舰船辐射噪声线谱检测问题,提出了两级自适应线谱增强器(adaptive line enhancement,ALE)检测方法。该方法在原一级ALE检测方法的基础上,将原信号延时信号与一级ALE误差信号相减后作为第2级ALE的输入再进行1次ALE。该方法较一级ALE在输入信号信噪比较低时能准确地将线谱从宽带背景噪声中分离出来。仿真和实验结果表明该方法的有效性和准确性。

探索Linux内核级安全增强系统的精彩之旅

本文首先考察Linux系统本身具有的安全功能及其不足,然后逐一介绍现有的Linux内核级安 全增强系统,包括SELinux、RSBAC、LIDS等等,带领读者踏上探索这些Linux内核级安全增强系统的精彩 之旅,并且给读者提供一份简明扼要的旅行地图。

双分支跨级特征融合的自然场景文本检测

现有的场景文本检测方法在处理任意形状文本时,由于复杂背景的影响会造成文本区域定位不准确、相邻文本漏检误检的问题,基于此提出一种双分支跨级特征融合的自然场景文本检测方法。首先,以Resnet50为主干网络提取初始特征,设计跨级特征分布增强模块(cross-level feature distribution enhancement module,CFDEM),增强跨级特征文本信息的交互性,提高特征的表达能力;然后,为自适应地选择过滤非文本或冗余特征,降低误检率和漏检率,提出自适应融合策略(adaptive fusion strategy,AFS),利用双分支结构加强不同维度特征之间的联系,优化融合过程;最后,预测阶段采用可微分二值化的方法来生成文本检测结果。所提方法在ICDAR2015、ICDAR2017、Total-Text、CTW1500数据集上进行消融实验,实验结果表明该方法能准确定位文本区域,克服文本漏检误检影响。

探索Linux内核级安全增强系统

在此，我们通过考察Linux系统本身具有的安全功能及其不足，然后逐一介绍现有的Linux内核级安全增强系统，包括SELinux、RSBAC、LIDS等，带领大家踏上探索这些Linux内核级安全增强系统的精彩之旅。

复合材料机械连接强度分析研究

针对目前高强度中模量复合材料层压板机械连接强度影响因素相关方面研究的不足,基于T800级碳纤维增强复合材料机械连接单钉单剪试验,对其孔边应力的分布以及机械连接的挤压强度,展开机械连接单钉单剪试样宽径比(试样宽度与钉孔直径之比)对连接件孔边应力分布及承载强度的影响规律的分析研究。通过基于ABAQUS的数值仿真模拟分析,对宽径比为4~8五种类型的单钉单剪机械连接件在拉伸载荷作用下孔边应力分布以及挤压强度进行了模拟对比。结果表明,复合材料单钉单剪机械连接的孔边应力分布受宽直比的影响很小,但连接强度受宽径比影响较为明显。

高强中模复合材料开孔层压板边缘应力分析研究

针对T800级碳纤维增强复合材料开孔层压板在拉–拉疲劳试验过程中,在低应力水平下试样边缘出现大面积分层现象的工程问题,开展了开孔试样宽径比(宽度与开孔直径之比)对边缘应力集中影响的分析研究。通过数值仿真分析方法模拟了宽径比为6~10五种构型试样在拉伸载荷作用下的应力分布形式,结果表明边缘效应一直都存在,不会随着宽径比的增加而消失,但是会随着试样宽径比的增加而减弱对层间界面边缘应力集中的影响。

铺层递减复合材料层压板冲击后压缩性能试验研究

针对T800级碳纤维增强复合材料铺层递减层压板,开展了不同过渡段斜率(1:5,1:10和1:20)冲击后压缩试样的冲击性能、冲击后压缩性能以及疲劳损伤扩展过程试验研究,试验结果表明过渡段斜率对冲击性能和冲击后压缩性能有较大影响,同时获取了冲击后压–压疲劳试样损伤扩展规律。

全球最快蓝牙芯片问世体积变小速率增两倍

英飞凌科技股份公司最新发布的BlueMoon UniCellular蓝牙芯片不仅速度大大提高，而且封装规格也达到更小的程度。据悉这是业内目前为止针对蓝牙无线应用打造的最新、最先进的集成电路。这种芯片的速度是当今其他蓝牙解决方案的三倍，也是业内封装规格最小的单芯片之一，它支持蓝牙标准2．0版本以及最新发布的增强数据级协议(EDR)，具备超低功耗和出色的射频性能，是GSM、EDGE和UMTS移动电话的理想解决方案。

一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源。此电路在3.3V电源电压下具有较好的温度系数,-40℃~125℃范围内的温度系数为8.6 ppm/℃,带隙基准电路输出电压约为1.195V。通过在基准中运放加入电源抑制比增强级电路提高中低频范围PSRR性能,在电路输出端再引入低通滤波器电路以提高中高频范围PSRR性能,并且低通滤波器有助于降低整个电路的噪声。采用Spectre软件进行仿真,结果显示,电源抑制比为-130.4@dc,-77.6@100KHz,输出噪声为24.8n V@100KHz。该带隙基准源电路非常适合于应用在高电源电压抑制比、低噪声的LDO电路中。