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双离子注入增强退火效应的研究
1
作者
朱锦良
程东方
+1 位作者
王良
蔡仁康
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第1期57-60,共4页
本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.
关键词
双离子注入
增强退火效应
氩
硼
下载PDF
职称材料
题名
双离子注入增强退火效应的研究
1
作者
朱锦良
程东方
王良
蔡仁康
机构
上海科学技术大学
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第1期57-60,共4页
文摘
本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.
关键词
双离子注入
增强退火效应
氩
硼
分类号
TN364.205 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
双离子注入增强退火效应的研究
朱锦良
程东方
王良
蔡仁康
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989
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