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厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量
被引量:
1
1
作者
刘世杰
杜惊雷
+4 位作者
段茜
罗铂靓
唐雄贵
郭永康
杜春雷
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期1065-1071,共7页
针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条...
针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线,并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律.最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析.
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关键词
厚层抗蚀剂
光刻
曝光
增强dill模型
曝光参数
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职称材料
题名
厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量
被引量:
1
1
作者
刘世杰
杜惊雷
段茜
罗铂靓
唐雄贵
郭永康
杜春雷
机构
四川大学物理学院
陕西理工学院物理系
微细加工光学技术国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期1065-1071,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:60276018)
微细加工国家重点实验基金资助项目~~
文摘
针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线,并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律.最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析.
关键词
厚层抗蚀剂
光刻
曝光
增强dill模型
曝光参数
Keywords
thick photoresist
lithography
exposure
enhanced
dill
model
exposure parameters
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量
刘世杰
杜惊雷
段茜
罗铂靓
唐雄贵
郭永康
杜春雷
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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