Voronoi图增点构造算法研究

论述了一种由计算机自动生成Voronoi图的增点构造法。该方法以一个原始的Delaunay三角网和相应的Voronoi图为基础,针对构造过程中出现的不满足Delaunay三角形空圆特性的数据点,利用最大最小角度法则对三角网进行局部优化,根据优化后的三角网生成最终的Voronoi图。

Delaunay三角网增点生长构造法研究

论述了一种由计算机自动生成Delaunay三角网的增点生长构造法。该方法属于不规则三角网的动态构网法,它借鉴了静态构网法中递归生长算法的部分思想,并利用Lawson提出的最大最小(MAXMIN)角度法则对三角网进行即时的局部优化,从而达到了快速、有效地构建Delaunay三角网的目的。该方法对快速生成海底DEM数据,进行海底仿真具有重要的作用。

城市排涝泵站增点扩容工程规划设计要点研究

设计排涝标准不高,排涝模式单一且设施老化是近年来城市内涝问题日趋严重的主要原因。基于防洪规划评估区域现状排水防涝能力,探究致涝原因,研究适宜本区的系统治理模式,完善城区排涝系统,优化整体排涝能力尤为重要。文章以郎溪县城西片区排涝泵站扩容改造为例,以"增容补点"模式入手,从新建泵站选址、平面布置、增容流量核算、自排流量补充以及各子系统设计等方面深入分析了此类工程规划设计要点,在兼顾经济效益和社会效益的前提下完善了整个城西排涝分区的内涝治理工作,缓解了老城区的洪涝风险,达到既定治理目的。

打造旅游新增点——卓资县着力开发生态文化旅游新产业

正乌兰察布市卓资县地处北方内陆地区,属中温带半干旱大陆性气候。多年以来,由于受地理区位、交通、气候的影响,旅游事业发展缓慢。近年来,旗委、旗政府坚持不懈加大生态建设力度,同时,依托京藏高速、110国道等公路的建成通车,交通条件不断改善的便利条件,积极开发旅游资源,打造旅游经济新增点。

时尚秋冬增点色

不同的眼镜带来不同的风格体现,方形大胆建筑感的廓形、精致的眼镜架搭配上小豹纹的图案、复古质感与现代感元素的完美融合,尽显时尚。不同色彩的点缀搭配,香槟色、珊瑚色、乳白色、淡紫色等,注入了活泼,有趣的年轻气息。不一样的造型,传递出别样的情感,突破的传统的个性,融合了复古创意和时髦细节,精致如宝石般的细微装饰令眼镜光彩熠熠,秋冬为您的装扮锦上添花,营造时尚而精致的生活。

排除轨迹增点的两点注意

求符合某种条件的动点的轨迹是解析几何中的基本问题之一,解此类题常会遇到排除增轨迹的问题.处理这个问题必须谨慎、周密,否则将导致多排或漏排,在这个问题上,笔者提醒大家注意以下两点.1

基于知识点扩增网络的薄弱认知诊断

针对学生在认知诊断过程中暴露出的问题,提出一种基于知识点扩增的薄弱认知诊断方法。利用异构网络对学生与习题之间的交互信息建模,并通过知识点扩增构建知识点扩增网络,以模拟学生、习题及知识点之间的交互关系。采用TF-IDF模型对链接关系进行加权来区分交互关系的重要性。在两个真实数据集上大量的实验,结果表明,所提方法的准确率提升了5.55%。

动态增删点的二维Delaunay三角剖分

在已有算法基础上,利用动态辅助矩形,通过局部更新实现了任意位置、任意顺序的动态增删点的二维Delaunay三角剖分,同时给出了详细的数据结构和算法步骤,并在Visual C++6.0环境下实现了该算法.算法思路简捷,易于编程,生成的三角网形态优良,符合Delaunay三角形的性质.

增/删点后的Voronoi图构造法研究

论述了在原Voronoi图的基础上增加点和删去点后生成新Voronoi图的算法。在增点过程中,针对新增加点后不满足Delaunay三角网特性的情况,利用最大最小角规则进行局部优化,根据优化后的三角网生成新Voronoi图;在删点过程中,针对删点的不同位置情况,修改相应Voronoi域,生成新Voronoi图。

“九五”上海外贸出口十大增长点

“八五”期间,我国外贸出口总额累计突破1万亿美元,达到10144亿美元,年均增长19.5％,是改革开放以来增长速度最快的5年。其中出口总额为5184亿美元,年均增长19.1％;进口总额为4960亿美元,年均增长19.9％。“八五”期末同“七五”

牙挺多点增隙法拔除下颌水平阻生第三磨牙的研究

目的探讨牙挺多点增隙法在下颌阻生第三磨牙拔除术中的应用。方法下颌水平阻生第三磨牙低位120颗,中位阻生128颗,均随机分为A、B组,A组采用牙挺多点增隙法;B组采用传统牙挺法。分别观察拔牙用时、术中去骨、断根、术后疼痛、术后并发干槽症等指标,并进行时比分析。结果 A组患者在拔除下颌水平低位阻生第三磨牙时,在手术用时、去骨要求上明显低于B组,差异有统计学意义(P<0.05)。A组患者在拔除水平中位阻生第三磨牙时,术中断根明显少于B组,差异有统计学意义(P<0.05),两组其他方面无显著性差异。结论采用多点增隙法比传统牙挺法手术用时少,手术创伤减少,断根发生率明显降低,符合微创原则,值得推广应用。

应用改良甲基化间区位点扩增(AIMS)技术对人类全基因组CpG岛甲基化谱的分析

目的 进行人类全基因组CpG岛甲基化谱分析。方法 采用改良甲基化间区位点扩增(AIMS)技术,以甲基化敏感和 甲基化不敏感的3组同裂酶进行分析。分析6%、8%、10%3种变性测序胶对于分析人类甲基化谱电泳条带的影响,3种酶切组合的 分析效果以及进行放射自显影和分子成像系统分析的对比。结果 得到具有个体差异的人类基因组CpG岛甲基化图谱,为后续研 究奠定了基础。6%变性测序胶所得电泳条带的分辨率和条带范围明显优于8%和10%变性测序胶。3种酶切组合均可以很好地进 行AIMS分析。放射自显影和PersonalMolecularImagerFX分子成像系统两种方法相辅相成。结论 改良AIMS技术是一种甲基 化高通量分析方法,具有简单、特异、易操作的特点。所选3组内切酶组合可以较全面的覆盖人类CpG岛,使分析结果更加准确,且 所需的基因组量少,可满足临床微量标本检测的需要。

基因放疗增敏的分子靶点

放射治疗足恶性肿瘤治疗的主要手段之一，然而对于一些放射抗拒肿瘤，因其放射敏感性低，放射治疗的价值受到了限制。近年来，肿瘤的基因放射增敏研究十分活跃。本文综述基因放疗的分子靶点，为进一步研究提供参考。

线性相位FIR滤波器约束Chebyshev设计的增广Remez算法

主要讨论线性相位FIR数字滤波器的约束Chebyshev设计问题 .Remez算法是一种高效的Chebyshev逼近算法 ,而其理论基础是交错点组定理 .针对约束Chebyshev逼近问题提出一个增广交错点组定理 ,并根据此定理提出了一个增广Remez算法 ,用于求解带不等式约束的线性相位FIR数字滤波器的Chebyshev设计问题 .如果问题的解存在 ,此算法一定收敛到问题的解 .与现有其它方法的比较表明 ,此算法有很高的效率 .

几种常用绉组织的计算机实现方法

研究一种基于矩阵直接建模的绉组织计算机自动生成方法。根据绉组织中的增点法、经纬调序法、组织移绘法和旋转法的构造原理,运用矩阵运算和变换,分别建立了相应的矩阵模型,编制相应的程序实现绉组织矩阵的自动生成。研究表明:采用M atlab相关命令可以方便地实现矩阵的扩充、叠加、调序、旋转等操作。基于直接矩阵建模的方法,可以实现常用构造方法的绉组织矩阵的计算机自动生成。

投资需求增长的新趋势——新经济增长点探讨

投资需求增长的新趋势———新经济增长点探讨卓勇良符加峥一、问题的由来７０年代末至９０年代初，消费需求的强劲增长，被认为是推动我国经济增长的重要因素。而目前，据认为在宏观经济方面，出现了有效需求不足的问题。从浙江省的情况看，最近一个时期，消费需求和投资...

大型水轮发电机定子线棒气隙群放电的特性研究

测量分析了大型水轮发电机定子线棒主绝缘中气隙群放电的理论计算和交流工频I^U曲线的第一电流急增点,研究了相同电压等级的多胶模压和少胶VPI线棒的气隙群特征及冷热循环对气隙群放电的影响。结果表明,15.75 kV的多胶模压和少胶VPI线棒的气隙群特征相近;冷热循环使气隙群的等效间距由10μm以下变为50μm以上;气隙群放电时试品的电容变化值由40 pF以下增加至110 pF以上,同时电容变化计算值与常态介质损耗增量的测量值随循环次数的变化规律具有较好的一致性。

银中杨生长动态分析及模型建立

通过对银中杨林木生长模型的建立 ,确定出银中杨树高生长速增期为 7月 6日至 2 8日 ,速增点为 7月 17日 ;胸径速增期为 6月 2 1日至 8月 2 9日 ,速增点为 7月 2 5日 ;材积生长速增期为 11～ 17a,速增点为第 14年 。

基于临增兴趣点的城市交通导航时空数据查询

为了更好地提高城市交通导航时空数据查询效率,本文建立了城市交通导航数据模型,提出了一种城市交通导航时空索引—Urban Traffic Navigation R-tree,并在此基础上研究了基于临增兴趣点的城市交通导航时空数据查询方法,并通过实验证明该方法能较有效、准确地满足城市交通导航服务。

Low Voltage Flash Memory Cells Using SiGe Quantum Dots for Enhancing F-N Tunneling

A novel flash memory cell with stacked structure （Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/polySi floating gate） is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing. Simulation results indicate the new structure provides high speed and reliability. Experimental results show that the operation voltage can be as much as 4V less than that of conventional full F-N tunneling NAND memory cells. Memory cells with the proposed structure can achieve higher speed, lower voltage, and higher reliability.