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含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器
被引量:
1
1
作者
罗毅
文国鹏
+1 位作者
甘雨农
张克潜
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期274-277,共4页
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的1.55μmInGaAsP/InP应变多量子阱分布反馈(DFB)激光器.我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合.利用LPE和MOCVD...
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的1.55μmInGaAsP/InP应变多量子阱分布反馈(DFB)激光器.我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合.利用LPE和MOCVD混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率.
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关键词
DFB激光器
设计
增益耦合型
载流子注入光栅
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职称材料
题名
含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器
被引量:
1
1
作者
罗毅
文国鹏
甘雨农
张克潜
机构
清华大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期274-277,共4页
基金
自然科学基金杰出青年基金
"863"计划
文摘
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的1.55μmInGaAsP/InP应变多量子阱分布反馈(DFB)激光器.我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合.利用LPE和MOCVD混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率.
关键词
DFB激光器
设计
增益耦合型
载流子注入光栅
分类号
TN248.402 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器
罗毅
文国鹏
甘雨农
张克潜
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
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