工作-家庭增益研究述评与展望

随着中国社会环境变化,人们的工作方式、工作强度和家庭构成都发生了新的变化,因此工作和家庭之间如何相互增益进而实现双赢,逐渐成为组织行为学领域研究的热点之一,但对于其系统研究仍较为匮乏。通过回顾近年来工作-家庭增益相关文献,全面梳理了有关其内涵、相关概念等方面的研究,基于资源保存理论和工作-家庭资源模型视角归纳辨析了其特点和本质,对现有文献中工作-家庭增益的影响因素、作用结果以及边界变量进行了分析,探讨了其相关理论和研究现状中的空缺,并依据现有不足进行研究展望,以期为后续学者研究提供一定的理论参考。

家庭支持型主管行为与双职工夫妻的婚姻满意感:一个积极溢出-交叉模型

为了揭示家庭支持型主管行为(FSSB)对双职工夫妻双方婚姻满意感的影响及作用机制,本研究结合资源-获取-发展观和基于关系支持的积极发展模型,从夫妻互动(相互支持)的角度构建了一个积极溢出-交叉模型。运用结构方程模型对370对双职工夫妻配对数据进行分析,结果表明:(1)FSSB与我国双职工夫妻双方的婚姻满意感均正相关;(2)FSSB可通过增加员工的工作-家庭增益促进员工夫妻间相互支持的互惠效应,进而提升员工夫妻双方的婚姻满意感;(3)夫妻双方所获得的FSSB均可通过促进丈夫的婚姻满意感进而提升妻子的婚姻满意感。本研究提示,增加FSSB能有效促进双职工夫妻间的相互支持、提升夫妻双方的婚姻满意感。

指数伽玛-帕累托(Ⅳ)模型及其性质

伽玛-帕累托(Ⅳ)模型在可靠性分析等方面用途广泛.构建指数伽玛-帕累托(Ⅳ)模型,并研究相关统计性质,给出了模型风险函数、可靠性函数、反风险函数和累积风险函数的具体计算公式,使用最大似然估计给出模型的参数估计.通过数值仿真,对比指数伽玛-帕累托(Ⅳ)模型与EWP模型、KWL模型、TWL模型和MCL模型的拟合效果.结果表明,指数伽玛-帕累托(Ⅳ)模型拟合效果最优.

主基因-多基因混合遗传数量性状的单性状选择模型

【目的】分别估计分离世代数量性状主基因-多基因混合遗传中的多基因效应方差和环境方差,为育种工作者提供一种简单易行的单性状选择方法。【方法】利用正态分布的极限误差,将混合正态分布数据划分到多个单一正态分布对应的区间,每一区间代表一种主基因型,采用有重复观测数据的单因素多元方差分析方法,分别估计各主基因型间的主基因效应协方差阵、多基因效应协方差阵和环境协方差阵,然后结合混合正态分布中各成分分布的比例,计算该数量性状的表型方差、遗传方差、环境方差和遗传力等遗传参数,并进行实例分析。【结果】在相同选择强度下,遗传效率为110.3760%,较作为单一正态分布的普通数量性状选择效率提高了10.3760%。当选择强度i=0.5时,遗传增益GS=28.41。【结论】应用建立的主基因-多基因混合遗传数量性状单性状选择模型计算,遗传效率有很大提高,表明该方法具有实用性。

基于粒子-蒙特卡洛模型的气体电子倍增探测器的研究

采用粒子-蒙特卡罗模型(Particle in Cell-Monte Carlo Collision,PIC-MCC)对气体电子倍增探测器(Gas electron multiplier,GEM)的倍增放大过程进行了模拟,这对更好的理解和把握GEM的物理机理具有重要的意义。在电场分析的基础上,从GEM空间粒子数和粒子的空间分布随时间的变化分析GEM的倍增过程,并建立GEM增益和各边界层收集到的电子个数之间的关系。研究结果为进一步利用该模型对GEM优化结构、选择工作参数及探讨物理机理建立了基础。

铁磁-反铁磁体系交换偏置的几个问题

交换偏置现象目前已经在磁头、磁传感器等许多方面取得广泛应用。随着对交换偏置现象的研究越来越深入,许多新的有着潜在应用价值的实验现象被相继发现,比如,交换偏置角度依赖关系中的阶跃现象等;一些磁学模型中的原始问题也逐渐被重新认识,比如斯通纳-沃尔法斯模型中矫顽力的计算问题等;一些计算方法被逐渐完善,比如等效各向异性场方法等;学科交叉和渗透越来越广泛,比如应变工程的概念也进入到交换偏置领域等等。本文对铁磁/反铁磁双层膜系统中交换偏置研究中与上述阶跃现象、矫顽力计算、等效各向异性场方法、应变工程等内容相关的研究和进展情况做了简要综述。

纯增益反馈控制律在MF模型中的应用研究

给出蒙代尔—弗莱明模型的动态表述,并证明蒙代尔—弗莱明模型的动态系统具有能控性、能达性、能观性等结构特征.在蒙代尔—弗莱明模型动态系统的基础上对开放经济条件下宏观经济模型的供需均衡问题转化为宏观经济政策的控制律设计问题,得出开放经济条件下宏观经济政策的纯增益反馈控制律的解析解并且对控制律的解析解的政策含义作出阐述.本文提出的方法对开放经济条件下的宏观经济系统具有较大的应用价值,并且能为有关决策层制定宏观经济调控政策和进行宏观经济系统的分析提供了新的方法与思路.

基于电荷俘获-释放机制的电路PBTI老化建模

针对传统反应扩散(reaction-diffusion,R-D)机制不适合纳米互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)集成电路正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)老化效应分析的问题,文章采用电荷俘获-释放(trapping-detrapping,T-D)机制,结合线性分析和数据拟合方法,建立了N型金属氧化物半导体(negative channel metal oxide semiconductor,NMOS)管PBTI效应引起的基本逻辑门单元的时延退化预测模型。仿真实验结果表明,采用该模型的电路PBTI老化预测结果与HSpice软件仿真得到的时延预测结果相比,平均误差为2%;关键路径时序余量评估实验表明,与基于R-D机制的老化时延模型相比,在相同的电路生命周期要求下,该模型需要的时序余量更小。

泊松-逆伽玛分布假设下的GAMLSS回归模型

计数数据大量出现在医学、社会学、心理学、保险和交通等领域,是一类十分重要的数据类型。不过,计数数据常出现过度分散现象,使得普通的泊松回归模型无法解释,从而失去效用。本文研究一类混合泊松分布,专门用于拟合这种过度分散的计数数据。主要工作是基于现有的泊松-广义逆高斯分布、泊松-倒逆高斯分布和泊松-逆伽玛分布等三类混合泊松分布,利用广义可加模型(GAMLSS)的灵活性,构建泊松-逆伽玛分布假设下的GAMLSS模型。为验证模型性能,本文还将泊松-逆伽玛、泊松-倒逆高斯和负二项分布假设下的GAMLSS模型应用于车险索赔频率数据,并根据全局偏差、AIC和BIC等准则评估模型。结果表明,本文模型对过度分散的车险索赔频率数据的拟合明显优于负二项、泊松-倒逆高斯分布假设下的GAMLSS模型,是一个处理过度分散计数数据的有效模型。

切换正线性系统在模型依赖平均驻留时间下的异步L_(1)控制

研究一类切换正线性系统在模型依赖平均驻留时间(MDADT)切换信号下的异步L_(1)控制问题.通过构造适当的李亚普诺夫(Lyapunov)函数,基于MDADT切换信号,讨论了一类切换正线性系统在异步切换下的指数稳定性,并进一步给出了其在异步切换下具有指数的L_(1)-增益性能γ的充分条件.基于已建立的稳定性定理和MDADT切换信号,设计了一类异步状态反馈控制器,使得闭环系统在异步切换下是正的并且具有指数的L_(1)-增益性能γ,给出了求解控制器的增益矩阵K_(i)的具体算法.此外,所得结论都是以代数矩阵不等式的形式给出的,可以利用Matlab中的LP工具箱进行求解.给出了一个数值算例验证了所得结论的有效性和可行性.

液晶显示器颜色特征化的S模型算法

基于对液晶显示器的呈色机理的分析,提出了一种新颖的S-shape模型,并用其代替GOG(增益-偏置-伽马)模型来实现液晶显示器阶调复现曲线的精确拟合及液晶显示器颜色特征化精度的提高。为了检验改进算法的精度,分别用GOG模型和S模型来建立同一台液晶显示器的颜色空间变换,作为LCD颜色特征化的参照,GOG模型被用于来建立阴极射线管显示器的颜色特征化模型,并在设备的相关颜色空间,通过均匀取样选取7×7×7组颜色数据来检验这3种颜色空间映射实例的精度。实验结果表明,对于液晶显示器而言,基于S模型的颜色映射精度比GOG模型有明显提高,其平均色差/最大色差分别为1.825/4.731个CIEDE2000色差单位,与GOG模型应用于阴极射线管显示器的颜色特征化的精度相当。

外场取向对铁磁/反铁磁双层膜交换偏置的影响

利用斯通纳-沃尔法斯(Stoner-Wohlfarth,SW)模型详细讨论了铁磁/反铁磁双层膜交换偏置对外场取向角的依赖关系。解析推导出转换场和矫顽力的表达式。用两种办法计算了交换偏置场(he)和磁滞回线的半宽度(HWHL),结果分别用(he)s、(HWHL)s和(he)c、(HWHL)c表示。计算表明,(he)s、(HWHL)s和(he)c、(HWHL)c有很大区别,而只有(he)s和(HWHL)s显示出明显的阶跃现象。我们的结果还说明,转换角方程的奇点是阶跃现象的根源。另外,能量曲线的局域极小不是阶跃现象产生的必要条件。

GEM氖氙惰性气体增益特性的模拟研究

采用粒子-蒙特卡罗模型对气体电子倍增器工作在轻惰性气体Ne和重惰性气体Xe中的倍增过程和增益特性进行了比较研究。研究结果表明,轻惰性气体Ne较重惰性气体Xe具有更高的时间分辨率,更高的有效探测效率。但在1个大气压的工作条件下轻惰性气体Ne较易放电使得工作电压降低,从而能达到的最大增益较Xe低,更高气压下的工作机理还需进一步的研究。

时间要求与工作—家庭增益的关系研究

本文基于工作要求_资源模型,从积极组织行为学的视角探讨了时间要求与工作—家庭增益的关系,并实证检验了工作自主性和自我效能在其间的调节效应。结果显示:(1)与资源稀缺理论观点一致,工作时间要求与工作家庭增益负相关,即个体的时间和精力是有限的,当工作时间要求较高时,较难发生工作对家庭的增益;(2)工作自主性和自我效能的调节作用显著,具有较高工作自主性和自我效能的员工通过提高个人满足多重角色需求的能力和获得积极的情绪溢出来降低工作时间对工作家庭增益的负向影响。

铁磁/反铁磁体系中交换偏置的角度依赖关系

铁磁/反铁磁体系中交换偏置的角度依赖关系是交换耦合效应研究中的一个重要课题。本文利用斯通纳-沃尔法斯模型研究了星形线、转换场、临界角以及能量密度曲线的角度依赖关系。解析推得了存在交换偏置情况下星形线方程以及转换场、临界角满足的方程。结果表明交换偏置效应造成系统特性曲线的高度不对称性。另外,能量曲线局部极小的消失与转换场有关。本文的结果有助于加深对交换偏置现象的理解。

基于向量空间模型的中文网页主题特征项抽取

为解决中文网页主题特征项抽取不精确的问题,对中文网页的主题特征项抽取算法进行了研究。网页的主题特征项抽取是主题网络爬虫进行网页相关度计算的基础,结合主题网页的二分类情况对目前常用的文本特征项加权方法 TF-IDF(Term Frequency-Inverse Document Frequency)进行了改进,在此基础上结合网页的半结构化特征,综合考虑特征项的位置信息及其包含的信息量,提出了一种线性特征项加权计算方法。经实验验证,该方法可有效提高主题网页的召回率和准确率。

工作、家庭难兼顾?工作-家庭资源模型在组织管理研究中的应用与发展

工作-家庭资源(W-HR)模型是一个系统解释工作与家庭积极和消极互动的理论,它阐释了个人资源将一个领域的要求和资源与另一个领域的结果联系起来的过程和条件。尽管W-HR模型已提出近10年,实证研究对其应用并不一致,其核心观点得到的证实程度也不相同,且该模型在国内受到的关注很少。基于对52项使用W-HR模型研究的系统分析,文章梳理提炼了该模型的典型应用场景和误区。总体上, W-HR模型关于工作-家庭互动的基本观点已被证实,但关于"关键资源和宏观资源在互动中的作用"的观点仅得到较少关注,工作-家庭互动的时间问题还未被探讨。未来研究在使用该模型时,应区分工作-家庭的消极和积极互动过程,探究家庭和非工作领域对工作的影响,关注工作-家庭互动中宏观因素的作用,明晰工作-家庭关系随时间变化的过程,关注数字化背景下的工作-家庭关系,以及探索工作-家庭互动在中国情境下的独特性。

部分相干高斯-谢尔模型光束在介质中传输的M^2因子

在波数K为复数的情况下,对部分相干光强度二阶矩及M2因子的定义进行了修正。以部分相干高斯谢尔模型(GSM)光束为例,讨论了光束在介质中传输时M2因子的变化。研究结果表明,部分相干光束在增益或损耗介质中传输时的M2因子与光束在无增益无损耗介质传输时的M2因子具有不同变化特性,此时,M2因子不仅只与部分相干光的相干参量β有关,且随着传输距离B和表征介质增益(或损耗)特征Ki的增大而增大(或减小);随着相干长度σ0的具体尺寸、波数实部Kr的减小而增大(或减小)。为控制光束质量提供几种有效的途径。

员工主动变革行为对工作-家庭关系的双刃剑效应

在动荡不安、复杂多变的组织环境下,多数企业都经历了增长失速或增长停滞的情况,唯有变革才能实现组织的可持续增长。主动变革行为是组织行为领域的关注热点,其后果研究重点关注了主动变革行为对工作领域的积极影响,缺乏对家庭领域的探讨,尤其是其带来的消极效应。因此,有必要对主动变革行为影响工作-家庭关系的双刃剑效应进行研究,并挖掘其作用机制和边界条件。基于工作-家庭资源模型,从资源损耗和资源增益两个方面探讨员工主动变革行为对工作-家庭关系的双刃剑效应,检验工作压力和个人成就感的中介作用以及领导-成员交换的调节作用。采用3时点的问卷调查方法,收集江苏4家企业314名员工的调研数据,运用Spss 26.0和Mplus 7.4验证研究假设。研究结果表明,员工主动变革行为可以通过提升个人成就感有效缓解工作-家庭冲突,增加工作-家庭增益;同时,主动变革行为通过加大工作压力引发工作-家庭冲突。此外,领导-成员交换较高时,主动变革行为对个人成就感的正向影响越强,进而通过个人成就感促进工作-家庭增益的间接效应越强。研究结果从工作-家庭关系视角拓展了主动变革行为的后果研究,响应了学界要求更加关注主动变革行为消极效应和双刃剑效应研究的呼吁,较为全面地解释了员工主动变革行为对工作-家庭关系的影响机制,拓展了领导-成员交换作为调节变量的理论应用。研究结果对于促进组织变革和员工工作家庭和谐,实现个体与组织协同成长具有一定的实践价值。

具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO_2高K栅结构的等效氧化层厚度(EOT)为1·3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO_2高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO_2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征:HfN/HfO_2栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.