微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用

给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al2O3薄膜阻止本领比SiO2阻止本领高的结论。证实了选用Al2O3离子壁垒膜的科学性和可行性。

微通道板离子壁垒膜及其特性

介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出采用X射线光电子能谱(XPS)进行成分分析的结果。介绍了离子壁垒膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题。

微通道板离子壁垒膜粒子阻透特性的蒙特卡罗模拟(英文)

在三代微光像管中,微通道板(MCP)输入面上覆盖一层超薄离子壁垒膜(IBF),目的是保护光电阴极,延长像管使用寿命。为了深入研究离子壁垒膜的特性,本文对Al2O3和SiO2两种离子壁垒膜的粒子阻透能力进行了蒙特卡罗模拟,结果表明:5 nm厚Al2O3和SiO2离子壁垒膜的死电压分别为230～240 V和220～230 V之间;输入能量0.24 keV时背散射电子数最高达19%左右;输入能量0.8 keV时,Al2O3膜电子透过率为87.16%,SiO2膜为88.12%,电子透过的极限膜厚前者为15 nm,后者为16 nm;对于输入能量0.26 keV的C+、N+、O+离子,Al2O3膜的离子阻当率为95%～99%;Al2O3离子壁垒膜在厚度5 nm时具有较好的电子透过率和较高的离子阻挡率。

应用多孔阳极氧化电流-时间曲线比较壁垒膜厚

在有壁垒膜存在的表面,多孔膜的生长在氧化初期受到延迟阻碍,这一现象在直流恒压多孔阳极氧化电流一时间曲线上反映出来。电流达到稳态氧化的时间愈长,壁垒膜愈厚。文中应用此法判断了0.5MH_3BO_3介质的pH值、温度对壁垒阳极氧化膜厚的影响,并应用记录同一介质环境壁垒恒流阳极氧化的槽压一时间曲线得到验证。

离子壁垒膜对三代微光像增强器成像的影响

讨论了离子壁垒膜对三代微光像增强器性能的影响,根据光学传递函数的讨论可知光学传递函数的相位传递函数为零,光学传递函数就等于调制传递函数。表明离子壁垒膜传递图像不产生图像的失真,对像质影响较小。然而结果也表明了由于离子壁垒膜造成了有膜微光像增强器分辨率和信噪比都有所下降。

铝的壁垒型阳极氧化膜的透射电镜观察

发现了(NH_4)_2MoS_4水溶液中可生成铝的壁垒型阳极氧化膜。用超薄切片,透射电镜结合离子注入惰性原子标记层的技术对膜的形貌、成分和生长过程中的离子迁移进行了观察和分析;用EDAX分析方法来探测到膜中含有溶液阴离子的成分,阳极氧化过程中膜在基体/膜界面和膜/溶液界面同时生长。阳极氧化的电流密度为1.0mA/cm^2时,Al^(3+)离子的表观迁移率为0.44。

阳极氧化法制备壁垒型Al_2O_3绝缘膜的研究

采用阳极氧化法在Al膜上制备具有绝缘性能的壁垒型Al2O3膜,研究不同成分比例的电解液、阳极氧化电压对壁垒型Al2O3膜性能的影响。利用能量分散谱和扫描电镜观测壁垒型Al2O3膜的元素组成、表面形貌及厚度,并对其绝缘耐压性进行了测试。结果表明,所制备的Al2O3膜厚度均为纳米量级,在95%乙二醇,1.9%癸二酸铵,3.1%硼酸的电解液中,以300V恒定电压制备的壁垒型Al2O3膜拥有很好的绝缘性能,击穿场强可达5.25MV/cm。