三元混晶板中的电子-声子作用

本文发展了三元混晶板中电子-声子作用的量子理论,给出了该系统声子的本征频率以及电子-声子作用的哈密顿算符.这一理论建立在无序位移独立位移(REI)模型和连续模型的基础上.

热电笼状物声子作用对其反常比热容的影响（英文）

笼状物材料具有极低的晶格热导率,表现出非常优秀的热电性能.但是,笼状物中束缚在笼子中的原子与笼子的相互作用形式尚不明确,这种相互作用与其反常热力学性质的关系仍有很多争议.使用从头算晶格动力学计算方法计算笼状物Ba_8 Ga_(16) Ge_(30) (BGG)的声子以及比热容,利用同位素Ge-76替换的方法研究束缚原子与笼子的相互作用.结果表明,束缚原子与笼子之间存在着明显的耦合作用,这种耦合作用对笼状物反常热力学行为的产生具有重要意义.

电子多声子作用对能带电子有效质量的影响

本文考虑声子的动力学过程,用格林函数方法导出了T《德拜温度T_D时,电子多声子作用对能带电子有效质量的修正公式。指出电子多声子过程中高频声子有重要作用。

多支LO声子作用对量子点中强耦合极化子基态能量的影响

本文采用线性组合算符和幺正变换方法研究了量子点中极化子的性质,得到了极化子的基态能量.考虑多支LO声子之间相互作用时,研究了多支LO-声子对量子点中极化子基态能量的影响.结果表明:极化子的基态能量随量子点受限长度的增大而减小;量子点受限长度随振动频率λ的增大而减小.在不同的量子点受限长度下,极化子的基态能量随量子点振动频率的减小而增大.考虑多声子相互作用时,基态能量的附加能量等于电子与多支声子耦合.

磁场内双声子作用对量子点中极化子的影响

为突出双声子相互作用对磁场内量子点中极化子的影响,简化了理论模型,把库仑势对电子质量的影响用电子在能带中的质量来代替。使用线性组合算符和么正变换对系统进行理论计算,导出了半导体量子点中磁极化子的基态和各部分能量。当考虑电子在反冲效应中反射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了这种作用对半导体量子点中磁极化子基态能量的影响。通过数值计算表明,半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的增加而增加。当磁场较弱时,声子之间的相互作用对极化子性质的影响是不能忽略的。

氮化物抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响

采用改进的LLP变分方法,研究氮化物抛物量子阱(GaN/Al0.3Ga0.7N)材料中的电子-声子相互作用,给出极化子基态能量、第一激发态到基态的跃迁能、不同支长波光学声子模对极化子基态能量的贡献随阱宽L的变化关系.在数值计算中考虑了氮化物(纤维锌矿)GaN和AlxGa1-xN构成的抛物量子阱材料中长波光学声子模的各向异性.结果表明,基态能量和跃迁能量随阱宽L的增大而减小,阱宽较小时,减小的速度比较快,阱宽较大时,减小的速度比较慢,最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值.在GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中定域准LO声子对极化子能量的贡献比较大,阱宽较大(L=27 nm)时约33 meV,这一值比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中的相应值(约3 meV)大的多,并且定域准LO声子的贡献远远大于定域准TO声子的贡献.

声子之间的相互作用对量子线中极化子性质的影响

研究了量子线中弱耦合极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法导出量子线中弱耦合极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了量子线的受限强度、电子-LO声子耦合强度和声子之间相互作用对量子线中弱耦合极化子的基态能量的影响.数值计算结果表明:量子线中弱耦合极化子的基态能量随量子线的受限强度的增大而增大,表现出了量子线的量子尺寸效应.

电子-声子相互作用对柱形量子线中光学克尔效应的影响(英文)

本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子-声子相互作用时的大20%多;量子线半径R0越小,峰越尖锐,峰值越强;当量子线半径R0大于40nm时,峰会逐渐消失.

声子之间相互作用对量子点中极化子性质的影响

研究了抛物量子点中弱耦合极化子的性质。采用线性组合算符和微扰法,导出了抛物量子点中极化子的基态能量。当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对量子点中极化子的基态能量的影响。通过数值计算,结果表明,量子点中极化子基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随电子-LO声子的耦合强度的增加而减少。当l0>1.4时,声子之间的相互作用不能忽略。

声子之间相互作用对半导体量子点中磁极化子性质的影响

研究了半导体量子点中磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了对半导体量子点中磁极化子的基态能量的影响.通过数值计算表明,半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的增加而增加,对于弱磁场声子之间相互作用的影响不能忽略.

声子之间的相互作用对量子线中磁极化子性质的影响

研究了量子线中弱耦合磁极化子的性质。采用线性组合算符和微扰法导出量子线中弱耦合磁极化子的基态能量。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了量子线的受限强度、电子-LO声子耦合强度和声子之间相互作用对量子线中弱耦合磁极化子的基态能量的影响。数值计算结果表明:量子线中弱耦合磁极化子的基态能量随量子线的受限强度ω_0的增大而迅速增大。当受限强度ω_0取相同值时,电子-声子耦合强度α越大基态能量E_0越小,磁场的回旋频率ω_c越大基态能量E_0越大。在弱磁场情况下,当ω_0<0.5时,随着量子线的受限强度ω_0的减少p值迅速增大。即对于弱磁场声子之间相互作用的影响不能忽略。

n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿(英文)

在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模。为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方法,得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿.本项工作可以看作是对以前一些工作的普遍化。它提供了一种解决声子效应对多层耦合量子阱系统影响问题的统一方法.

矩形量子线中极化子的电子与LO声子相互作用能

研究了矩形量子线中极化子基态和第一激发态的性质 .采用在有效质量近似下的变分变换方法导出了在基态和第一激发态时电子—LO声子之间相互作用能 .以GaAs晶体为例进行了数值计算 ,结果表明

电子-声子相互作用对非对称Morse势阱中光整流效应的影响(英文)

从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算。数值结果表明在考虑电子-声子相互作用后,获得的光整流系数比仅考虑电子情况的大15%～30%左右。并且电子-声子相互作用使光整流系数峰值向高能方向偏移。因此要得到比较精确的结果,有必要考虑电子-声子相互作用的影响。

HgS/CdS量子线中电子与声子的相互作用(英文)

在有限深势阱模型下,求出了考虑到电子-声子相互作用情况下量子线电子基态能、概率分布和禁带宽度,以HgS/CdS量子线为例,研究了电子-声子相互作用对它们的影响.结果表明:电子-声子相互作用会降低电子基态能,在对基态能的影响中以电子与界面光学支声子相互作用的影响最大,而与界面声学支声子相互作用影响最小;电子-声子相互作用的影响和电子由势阱透入有限高势垒的概率以及禁带宽度均随量子导线半径R的减小而增大;电子-声子相互作用不改变禁带宽度随R的变化趋势,仅使其数值减小.

锐钛矿二氧化钛超细纳米晶的三声子互作用

本文通过对粒径为2.2-25.5nm的锐钛矿二氧化钛超细纳米晶在83-293 K温度范围内的变温拉曼光谱的研究,得到了三声子互作用对拉曼频率和线宽的贡献随粒径的变化关系。结果表明锐钛矿二氧化钛超细纳米晶的三声子相互作用随粒径减小而加强。

砷化物三元混晶中电子-声子相互作用的维度和体积效应

通过导出描述三维、二维和一维混晶中电子-声子相互作用的哈密顿量,讨论了砷化物三元混晶中原胞体积效应与电子-声子耦合强度和原胞体积失配率的关系。结果表明:电子-声子耦合越强,原胞失配率越大,体积效应越明显;只有原胞体积失配率较小和电子-声子的耦合强度较弱时,体积效应的影响是可以略去的;由于维度受限增强了电子-声子相互作用强度,二维光学极化子效应的非线性变化比三维的更明显;而一维光学极化子效应的非线性变化比三维和二维情形要弱。

电子-声子相互作用非对称双势垒共振隧穿的影响(英文)

理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流 .对Alx Ga1-x As/Ga As/Aly Ga1-y As结构作了数值计算 ,得到对声子辅助隧穿实验电流峰的一种新的理论上的合理辨认 .对宽量子阱理论上只有一个声子辅助峰 ,且接近阱内 LO声子的能量 .发现界面光学 ( IO)声子辅助隧穿是主要的 .

ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)

采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与

纤锌矿InxGa1-xN／GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿。结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的耦合强度随组分x的变化差别很大;在对称单量子阱GaN/In0.8Ga0.2N/GaN中,不同的界面声子随着波数的变化对电声相互作用的贡献不同。