氙离子注入氯化钠晶体零声子跃迁和化学位移

经 36 ke V Xe+注入 ,可在 Na Cl晶体表面产生 F、R1 、R2 和 M等色心。在 10 K温度下的吸收光谱中观测到位于 6 32 .1nm波长处的 R2 色心的零声子线 ,并在不同温度下对零声子线的光谱特性和热稳定性进行了研究。利用 NMR方法 ,首次观测到经 Xe+ ,注入 Na Cl晶体中 2 3 Na的化学位移。经 Xe+ 注入的 Na Cl晶体中 2 3 Na相对于未注入 Na Cl晶体中 2 3 Na的化学位移为 17× 10 - 6 ,预示 Xe+注入的 Na Cl晶体中固态 Na Xe分子的形成。

着色KCl和KBr晶体色心的光谱特性及其零声子跃迁

详细研究了不同温度下着色ＫＣｌ晶体Ｒ２心和７５６．６ｎｍ零声子线以及着色ＫＢｒ晶体Ｒ２心零声子线的产生．利用恰当的热处理，可产生和增强零声子线，并给出了相应的物理解释．

掺杂氟化钠晶体色心的零声子跃迁和光谱烧孔(英文)

在 10～ 77K测量温度范围内 ,从室温伽马辐照着色的掺羟NaF晶体中观察到R2 和N-带零声子线 (ZPLs)。用普通分光光度计的光在 10K下能将N-ZPLs完全漂白。用其更窄带的光在 10K能在此线的吸收光谱上烧出 1个明显的孔。在适当温度下 ,用紫外光照射能将此线的光漂白几乎全部恢复。在不同温度下 ,研究了未掺杂NaF晶体 82 1nmZPL光谱特性随温度的变化关系 ,并估算出对应的Huang Rhys因子约为 2 .4 9。

无辐射多声子跃迁: 经典理论的现代计算

黄昆先生在20世纪40‒50年代发展了多声子跃迁的系统理论,在半导体材料的光学性质和相关的器件研究中得到了广泛的应用.随着计算能力的提高,这些经典理论又得到了进一步的发展,最近的理论研究结合第一性原理计算,提出无辐射多声子跃迁理论的非谐修正,计算了半导体深能级缺陷的无辐射衰减,得到了与实验相符的结果.

计及声子辅助跃迁的单量子点中的非线性法拉第偏转

利用一束弱线性π偏振探测光在与其平行的磁场作用下所形成的两偏振分量,在半导体单量子点中考虑声子辅助跃迁去构建环形四能级电磁感应透明介质模型.利用多重尺度法,解析研究发现:仅考虑系统的线性效应,随着耦合光强度的增加,介质对探测光的吸收迅速减少,形成透明窗口,并且透明窗口的宽度随之增大;进一步地,在相同的外加磁场下探测光的非线性法拉第偏转方向与线性法拉第偏转相反,且偏转角更大.随着声子辅助跃迁强度的增加,线性和非线性法拉第偏转角都会逐渐变小,并且非线性法拉第偏转角减小的更多.这说明系统中的声子辅助跃迁能有效地调制探测光的法拉第偏转.我们的研究可能对于弱光条件下的光信息处理和传输具有潜在的应用价值.

黄昆先生很喜爱的一个研究领域：多声子参与的光跃迁和非辐射跃迁

2019年是黄昆先生百岁诞辰,也是他逝世15周年。在纪念黄先生的时候,我们不由得想起黄先生的夫人李爱扶(Avril Rhys),今年是李先生的93岁诞辰和逝世6周年。李爱扶先生是英国人,英国布里斯托大学物理系本科毕业生,黄先生就是在1945—1948年间,在布里斯托大学物理系师从N.F.Mott教授取得博士学位的。黄先生1948—1951年在英国利物浦大学理论物理系做博士后,李先生当时也在那里做H.Frohlich教授的办公室助理。

利用声子辅助跃迁调控半导体量子点电磁感应透明的光存储

基于当前的实验条件,在半导体量子点中考虑声子辅助跃迁效应去构建环形四能级半导体量子点电磁感应透明介质模型。利用多重尺度法解析地研究了其中的时间光孤子的动力学行为。结果发现,可以通过调整声子辅助跃迁强度来控制时间光孤子的幅度、宽度和群速度等动力学性质。时间光孤子的群速度远小于光速,且随着声子辅助跃迁强度的增加,孤子的群速度不断减小,以至于可能缓变接近于零从而出现停滞现象。光停滞有利于将光存储于量子器件内,这为半导体量子器件实现光存储提供一定的参考价值。

Mn^(4+)在尖晶石和钙钛矿相关结构铝酸盐中的发光

Mn4+在MgAl2O4,ZnAl2O4和LiAl5O8等尖晶石结构中的发光呈现很大的差异。在LiAl5O8中,Mn4+的发射光谱由一个660nm线峰叠加在一个带谱上构成。前者是由于2E→4A2跃迁,后者可归于声子副带发射。跃迁具有中等的强度。而在MgAl2O4中Mn4+的发光很弱,在ZnAl2O4中几乎观察不到Mn4+的发射。这种差异是由于它们在微结构上的差异和组分元素的不同而引起的。钙钛矿相关结构稀土正铝酸盐LaAlO3和GdAlO3中,Mn4+离子发射分别呈现2个和3个线峰,位于深红色区间。这些线峰可归于2E→4A2跃迁和声子参与的发射。Mn4+的激发光谱均有两个带组成,一个在300nm附近的UV区,另一个位于500nm附近的可见区。前者为Mn4+→O2-的电荷迁移带,后者为Mn4+的4A2→4T2跃迁。Mn4+在LaAlO3和GdAlO3中的晶场强度参数Dq分别为2000cm-1和2040cm-1。

BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu^(2+)发射光谱的谱峰形状(英文)

BaMgAl10O17∶Eu2+(BAM)是三基色荧光灯和等离子显示用荧光粉中的蓝色组分。用晶格弛豫和多声子跃迁理论研究了BAM发射光谱的谱峰分布。结果表明可以用三个高斯函数很好地拟合BAM的宽带发射。BAM的宽带发射可能由分布在BaMgAl10O17晶格中三个不同位置的Eu2+的能级跃迁构成。三个Eu的发光中心分别是Beevers-Ross位和anti-Beevers-Ross位,第三个Eu2+的发光中心可能是位于尖晶石基块中的mid-oxygen(mo)位。

Er:BaY_2F_8晶体中绿光发射的温度特性

利用温度梯度法生长了BaY2F8晶体和Er3+:BaY2F8晶体。测试了Er3+:BaY2F8晶体的室温吸收光谱以及从室温(299 K)到12 K的荧光光谱,分析了温度对Er3+:BaY2F8晶体发光强度的影响。结果表明,在375 nm泵浦光源的激发下,观察到峰值为520 nm和552 nm两种较强的绿光发射,随着温度的升高,520 nm发光峰逐渐增强而552 nm发光峰逐渐减弱;在温度为12 K时,对应于Er3+4I13/2→4I15/2的跃迁处(1.5μm附近)出现多个分立的发射峰,随着温度的升高,这些发光峰逐渐出现展宽并且峰位发生蓝移。最后利用多声子辅助跃迁以及多声子弛豫对于温度的依赖关系来解释上述现象。

黄昆对物理学的贡献

黄昆是晶格动力学的奠基人和权威 ,声子物理学科开拓者。他是多声子光跃迁和多声子无辐射跃迁理论学科的开创者 ,是”极化激元”概念的最早阐述者。他的姓氏也与晶格振动长波唯象方程、X光漫散射理论联系在一起。在多年离开科研第一线后 ,黄昆 70岁还建立了半导体超晶格光学声子的“黄 朱模型”。本文简要介绍黄昆先生在科学研究领域的几项主要贡献。

激光工作物质

TN244 95010146银微粒表面吸附若丹明B分子荧光增强和淬灭的研究=Quenching and enhancement of fluorescenceof dye molecule on silver colloid[刊,中]/方炎,魏凤文,王亚利,于永澄(首都师范大学实验中心)//物理学报.—1994,43(4).—555—559研究了若丹明B分子530.0和572.0nm两个荧光峰在银微粒表面的增强和猝灭效应,发现若丹明B分子的530.0nm荧光峰获得了30倍的增强,而与此同时,572.5nm荧光峰则强烈猝灭。对其快速动力学过程的研究表明。

黄昆先生的主要科学贡献

2019年是黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生是中国老一代科学家的典范,他在国外时己在固体物理领域取得了卓越的成就,新中国成立后立即回国投身于教育事业。他与谢希德先生一起开创了中国半导体事业,同时在北京大学建立了固体物理专业,为新中国培养了一大批人才。1977年黄先生调任中国科学院半导体研究所所长,与王守武、林兰英、王守觉先生一起带领半导体所独立自主地攻克难关,制造出一批国家急需的、国际禁运的核心元器件。