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声电输运器件的沟道特性研究 被引量:4
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作者 邹英寅 凌明芳 陈抗生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期42-48,共7页
为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对... 为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对器件工作特性的影响. 展开更多
关键词 声电输运器件 ACT器件 沟道特性
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声电输运器件的表面波特性分析 被引量:2
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作者 邹英寅 凌明芳 陈抗生 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 1992年第3期262-268,共7页
本文讨论了埋沟砷化镓声电输运器件中声表面波传播特性,金属栅阵列的散射特性和导电理层对表面波的屏蔽特性。比较了不同沟道结构中表面波电位分布及不同金属结构对表面波的散射。指出了为获得性能优良的声电输运器所需结构参数的选择。
关键词 表面波 半导体器件 声电输运器件
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含硫宽禁带Ga_2Te_3基热电半导体的声电输运特性
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作者 刘海云 刘湘涟 +2 位作者 田定琪 杜正良 崔教林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期265-271,共7页
目前对宽禁带半导体热电材料的研究开始升温,原因是本征情况下宽禁带半导体往往具有低的热导率和高的Seebeck系数.Ga2Te3是一类带有缺陷的宽禁带半导体,其在临界温度±K和±K处会参与共析转变和包晶反应,因此会产生反应热.本次... 目前对宽禁带半导体热电材料的研究开始升温,原因是本征情况下宽禁带半导体往往具有低的热导率和高的Seebeck系数.Ga2Te3是一类带有缺陷的宽禁带半导体,其在临界温度±K和±K处会参与共析转变和包晶反应,因此会产生反应热.本次工作采用少量的S元素等电子替换Ga2Te3中的Te元素,观察到在临界温度附近热焓的变化,但没有相变发生.受热焓变化的影响这类材料在临界温度附近出现了较活跃的声电输运行为,具体表现为热容和Seebeck系数(α)明显增大及热扩散系数(热导率)和电导率下降.例,对于x.的材料,其α值从596 K时的376.3(μV·K-1)迅速增大到695 K时的608.2(μV·K-1),然后又随温度升高到764 K时迅速降低到213.8(μV·K-1).在596 K到812 K范围,Seebeck系数和电导率几乎随温度均呈Z字形变化.这些输运行为的变化揭示了在Ga2Te3基半导体中声子和载流子的临界散射特点,这种临界散射特征对以后的继续研究具有重要的参考价值. 展开更多
关键词 材料 宽禁带 Ga2Te3 临界声电输运
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单片砷化镓声电输运器件
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作者 邹英寅 凌明芳 陈抗生 《真空电子技术》 北大核心 1990年第2期33-36,共4页
砷化镓声电输运器件(Acoustic Charge Transport Device,简称ACT器件)是一种新型的高速信号处理器件,其工作原理是基于电荷耦合器件和声表面波器件原理的结合,并克服了它们的缺点。本文介绍了ACT器件的基本结构、工作原理和特点。
关键词 信号处理 砷化镓 声电输运 ACT器件
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一类新型信号处理器件——砷化镓声电输运器件
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作者 邹英寅 凌明芳 《微波学报》 CSCD 北大核心 1990年第2期1-8,共8页
声表面波器件(SAWD)现电荷耦合器件(CCD)是目前实现模拟信号处理的成功器件。本文介绍一种兼有SAWD和CCD两者优点,且不难把频率扩展到微波频段的新型高速信号处理器件——声电输运器件(Acoustic Charge Transport Dviece ACTD)。在简要... 声表面波器件(SAWD)现电荷耦合器件(CCD)是目前实现模拟信号处理的成功器件。本文介绍一种兼有SAWD和CCD两者优点,且不难把频率扩展到微波频段的新型高速信号处理器件——声电输运器件(Acoustic Charge Transport Dviece ACTD)。在简要介绍了ACTD的基本结构、工作原理和特点后,给出了基于ACT原理的几种典型信号处理器件。ACTD是一种具有很大应用潜力的新型器件。 展开更多
关键词 声电输运器件 信号处理器件 砷化镓
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含铅GaSb基半导体的热电输运特性
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作者 王鸿翔 应鹏展 +2 位作者 张钦祥 颜艳明 崔教林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期491-496,共6页
GaSb是III-V族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用。研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pb-Sb及施主缺陷Pb+Ga,但本征缺陷V3-Ga和Sb2+Ga浓度减少。这些缺陷浓度的... GaSb是III-V族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用。研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pb-Sb及施主缺陷Pb+Ga,但本征缺陷V3-Ga和Sb2+Ga浓度减少。这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能。例如,掺杂0.25%Pb后,室温载流子浓度由未掺杂时的~5.04×1023m-3突增到9.50×1025m-3;在867K时,电导率由0.56×104Ω-1·m-1增加到4.82×104Ω-1·m-1;晶格热导率由4.63W·K-1·m-1下降到3.41W·K-1·m-1。最大热电优值(ZT)为0.21,约是未掺杂GaSb最大ZT值的10倍。 展开更多
关键词 材料 GaSb基半导体 结构缺陷 声电输运特性
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Magneto-enhanced electro-thermal conversion performance 被引量:1
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作者 Shifang Ma Cuncheng Li +7 位作者 Wenjun Cui Xiahan Sang Ping Wei Wanting Zhu Xiaolei Nie Fu-Hua Sun Wenyu Zhao Qingjie Zhang 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第11期2835-2845,共11页
Synergistically regulating carrier and phonon transport on the nanoscale is extremely difficult for all thermoelectric(TE)materials without cage structures.Herein BaFe_(12)O_(19)/Bi_(2)Te_(2.5)Se_(0.5)thermoelectromag... Synergistically regulating carrier and phonon transport on the nanoscale is extremely difficult for all thermoelectric(TE)materials without cage structures.Herein BaFe_(12)O_(19)/Bi_(2)Te_(2.5)Se_(0.5)thermoelectromagnetic nanocomposites are designed and synthesized as a benchmarking example to simultaneously tailor the transport properties on the nanoscale.A magneto-trapped carrier effect induced by BaFe_(12)O_(19)hard-magnetic nanoparticles(NPs)is discovered,which can lower the carrier concentration of n-type Bi_(2)Te_(2.5)Se_(0.5)matrix by 16%,and increase the Seebeck coefficient by 16%.Meanwhile,BaFe_(12)O_(19)NPs provide phonon scattering centers and reduce the thermal conductivity by 12%.As a result,the ZT value of the nanocomposites is enhanced by more than 25%in the range of 300-450 K,and the cooling temperature difference increases by 65%near room temperature.This work greatly broadens the commercial application potential of ntype Bi_(2)Te_(2.5)Se_(0.5),and demonstrates magneto-trapped carrier effect as a universal strategy to enhance the electro-thermal conversion performance of TE materials with high carrier concentration. 展开更多
关键词 thermoelectromagnetic nanocomposite thermoelectric material magnetic nanoparticles magneto-trapped carrier effect electro-thermal conversion performance
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