基于PCB板的射频声表滤波器封装技术研究

目前主流的终端用射频声表面波(RF-SAW)滤波器均采用基于低温共烧陶瓷(LTCC)基板的倒装焊接技术,标准尺寸为单滤波器1.4mm×1.1mm,封装形式为芯片尺寸级封装(CSP)。介绍了一种基于印刷电路板(PCB)的CSP封装声表面波滤波器,其尺寸达到了1.4mm×1.1mm。使用该基板后,单个器件的材料成本将降低30%以上。通过优化基板的结构,可以达到与LiTaO3匹配的热膨胀系数(CTE)和较低的吸湿性。经后期的可靠性试验证明,该结构的射频滤波器可完全满足工程应用的需求。

声表滤波器热释电效应的研究

该文分析了热释电效应产生的机理,极化强度与温度变化的关系,进而分析了钽酸锂和铌酸锂的热释电效应,这两种材料是制作声表面波滤波器的基片材料。取3只128°铌酸锂白片样品数进行试验,当温度变化时,热释电效应引起静电放电一般约为6V,但有1只器件在温度变化到-50℃左右时,会出现振荡波形峰-峰值约在25V的最大波形,这些静电会对声表面波器件本身或后级电路造成严重影响。通过分析静电放电失效模式,提出了器件防静电的方法。最后,验证了声表面波滤波器使用还原基片用于防静电的方案。

基于36°Y-X钽酸锂的扇形声表滤波器设计与研究

该文提出了基于钽酸锂漏波材料设计的扇形声表滤波器。钽酸锂在36°Y-X切向时,其机电耦合系数(ΔV/V)为2.4%、频率温度系数(TCF)为-32×10^(-6)/℃。36°Y-X钽酸锂具有较强的压电耦合性和适中的温度稳定性,用它设计相对带宽5%~10%的滤波器可以实现较小的插入损耗和适中的温度稳定性,器件实测结果与仿真相符。

晶圆级封装对声表滤波器性能的影响

声表器件表面换能器非常敏感,一旦污染将严重影响器件的性能。因此在实际使用过程中需要用特殊的封装方式对声表滤波器芯片加以保护。但是封装外壳的寄生参数（杂散）会对滤波器性能产生严重影响。该文通过电磁仿真软件（ADS-momentum）分析晶圆键合封装（WLP）对Band1双工器性能的影响。最大限度地降低封装对双工器的影响。仿真结果表明,不同的封装结构对滤波器的带外抑制和隔离度有极大影响。通过优化封装焊盘和封装材料设计,可提高带外抑制5-7dB。

声表滤波器的阻抗匹配分析

为了提升声表滤波器在射频电路中的性能,除了优化声表滤波器自身的性能外,其与外部电路的阻抗匹配也是相当重要的。本文基于实现声表滤波器在射频电路中性能最大化利用的目的,总结与归纳了一些常用的声表滤波器在射频电路中的阻抗匹配方法,也提出了两种射频电路中不平衡转平衡的阻抗匹配方法,并对它们作了ADS仿真验证,仿真表明该方法确实能提升滤波器在电路中的性能,从而使整个电路的相关性能得以优化。

基于ADS的声表滤波器匹配电路设计方法

通过ADS仿真软件smith chart插件对声表滤波器TFS250A匹配电路的设计,介绍了一种直观易实现的高损耗声表滤波器匹配电路设计方法,并且通过实际测试,验证了可行性。

抗干扰高线性射频前端设计

为抑制干扰和提高电路的线性,采用0.13μm RF CMOS工艺设计了一款无需声表滤波器的射频前端电路系统.该设计采用一种新的带干扰消除环路可变增益低噪声跨导放大器、25%占空比本振信号的无源混频器和互阻放大器架构来实现抗干扰、低噪声、高线性的射频前端.流片和测试结果表明:该电路抑制带外强干扰达20 d B以上,在2.4 GHz可实现44.98 d B增益和2.03 d B噪声系数,同时获得-7 d Bm的输入三阶互调截点和+72 d Bm的输入二阶互调截点,实现了无需声表滤波器和抗干扰特性;整个射频前端供电电压为1.2 V,功耗为36 m A.

直放站GSM-R网络优化分析及改进措施

针对复杂地形,长大隧道等直放站应用较多的特殊区段的无线网络优化,结合合福铁路安徽段(出现掉话和通信质量差的情况,且均发生在直放站覆盖区段,并通过常规方式未达到优化目的)的工程案例总结解决问题的具体处理方法,为特殊区段的网络优化整治提供建议。

合福铁路安徽段建设期无线直放站网络优化方案

对合福铁路安徽段建设期无线网络部分测试指标不合格的问题和产生原因进行分析,有针对性地提出两种解决方案,并进行测试验证。论证去除声表滤波器和调整光缆长度可以有效解决传输时延过大带来的无线通信质量不合格问题,在实践中切实可行。