一种横向耦合改进型结构极窄带声表面波滤波器研究

该文采用波导法分析了横向耦合极窄带声表面波滤波器速度变化模式,并用多物理场COMSOL软件对横向耦合声表面波滤波器的中心耦合条结构和耦合距离的变化建模进行计算,并分析频响特性。采用石英晶体作为底衬,设计了频率为898.144 MHz,插入损耗约为6 dB的极窄带声表面波滤波器并进行验证。结果表明,中心耦合条开腔结构的声表面波滤波器的相对带宽达到7.2‰,与不开腔结构5.2‰相对带宽相比,提升了2‰。这说明横向耦合声表面波滤波器的中心耦合条结构变化,能改变极窄带声表面波滤波器的相对带宽。

新型波浪加权式高性能声表面波滤波器设计

射频滤波器是移动通信中信号传输频率选择、噪声滤除干扰的不可或缺的关键器件。压电薄膜多层衬底结构的声表面波滤波器因具有高矩形度、低损耗等优点在近年来被广泛应用,但其谐振器固有的横向模式会极大影响滤波器性能。为此提出了一种新型的波浪加权式叉指设计的声表面波谐振器,该谐振器通过使用正弦函数作为交叠长度加权包络曲线,能够在不恶化谐振器性能的前提下有效抑制谐振器中的横向模式。将波浪加权式叉指设计的谐振器按照梯形拓扑结构级联,设计并制备了一款尺寸为1.1 mm×0.9 mm×0.55 mm的高性能滤波器。该滤波器中心频率为2.593 GHz,相对带宽为8.8%,插入损耗为0.52 dB。实物测试结果与仿真基本一致。

采用还原基片的声表面波滤波器可靠性研究

分析了压电基片热释电效应产生的机理和使用中带来的问题,采用还原基片(以下简称黑片)可以有效提高声表面波滤波器的抗静电能力。针对采用黑片工艺的声表面波滤波器可靠性展开研究:选取不同种类的黑片,进行不同芯片尺寸的声表面波滤波器粘接固化、筛选试验和装配后的剪切/粘接强度测试,并进行结构分析、鉴定检验和元器件评估。试验结果表明,黑片满足声表面波滤波器的高可靠性要求,对后续在高可靠声表面波滤波器中的应用具有指导意义。

声表面波滤波器温度敏感性仿真研究

针对不同温度场情况下任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的温度敏感性精确计算问题,首先将温度场以热应力、热应变的方式耦合声/电本征方程并考虑封装模型的电磁因素,再结合分层级联算法和全波仿真技术,计算任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的SAW滤波器的温度敏感性,实现不同温度作用下SAW滤波器频率响应曲线、频率温度系数(TCF)值、损耗、带宽及带外抑制等性能的综合分析。通过41°Y-X LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si_poly/Si(111)复合衬底SAW滤波器的优化设计与研制,其设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。

具有片上电感的改进型梯形声表面波滤波器

针对小体积声表面波(SAW)滤波器性能受封装影响较大的问题,提出了一种新型SAW梯形滤波器电路拓扑结构。通过分析滤波器高频受封装影响造成的远端抑制上翘的现象,从电路结构出发,改变版图设计,实现了片上电感。采用传统梯形滤波器结构和利用纵向耦合双模谐振器型滤波器(DMS)特殊接地结构相结合的电路拓扑结构,有助于提高带外抑制和设计灵活性。在标准的42°Y-X钽酸锂(LiTaO_(3))基板上制作滤波器,通过仿真分析得到中心频率2580 MHz、带宽50 MHz、插入损耗小于2.5 dB的高阶梯形射频SAW滤波器的最优拓扑结构。测试结果表明,通过改变电路拓扑结构关键参数和引入新的传输零点,可改善在高频段内的带外抑制特性。

高阻带抑制宽带低损耗声表面波滤波器研究

基于分布间隙纵向耦合五换能器结构,加入谐振器单元,采用41°Y-X LiNbO_3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3dB带宽23.2 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗为-1.9dB,相对带宽达到10%,矩形系数2.2,阻带抑制大于50dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。

宽带低损耗声表面波滤波器

介绍了利用在３６°Ｙ－ＸＬｉＴａＯ３、６４°Ｙ－Ｘ ＬｉＮｂＯ３、４１°Ｙ－Ｘ ＬｉＮｂＯ３基片漏声表面波设计制作的宽带低损耗滤波器，给出了用耦合模理论模拟的曲线和实验结果，其相对带宽为２ ．８％～６． ５％，插损为１．７～２．４ ｄＢ，带外抑制大于４５ ｄＢ。

一种宽带低损耗声表面波滤波器

阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带低损耗声表面波滤波器的方法，给出了理论计算方法和计算机模拟结果，最后给出了制作中心频率为４５３ＭＨｚ的声表面波滤波器实验结果，插入损耗为１．９ｄＢ，１ｄＢ带宽为６．６６ＭＨｚ，远端带外抑制大于４５ｄＢ。

一种窄带温补型声表面波滤波器

该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明,该温补型声表面波滤波器的中心频率约1360 MHz,在-55~85℃内频率漂移仅约390 kHz,频率温度系数约-2×10^-6/℃,插入损耗约1.3 dB。

ZnO/蓝宝石结构声表面波滤波器试验研究

该文从理论上计算得到了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构的声表面波相速度和机电耦合系数色散曲线。依据该色散曲线设计了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构声表面波滤波器。采用在蓝宝石衬底上先制备ZnO薄膜然后再制作芯片结构的方案研制出了声表面波器件样品。研制过程中生长出了a面结构的ZnO薄膜,其中厚膜样品测试得到了3种声波模式,即模式0、1及2,模式0、1和2的频率分别为1 073.79 MHz,1 290.63 MHz和1 572.3 MHz,因此,间接测得了模式0、1和2的相速度分别为3 865.67m/s,4 646.25m/s和5 660.27m/s。

GSM用低损耗声表面波滤波器的设计

报道了双模声表面波滤波器（ Ｓ Ａ Ｗ Ｆ）的研究结果和设计出的 Ｇ Ｓ Ｍ 用９０２５ Ｍ Ｈｚ的 Ｓ Ａ Ｗ Ｆ。对双膜 Ｓ Ａ Ｗ Ｆ 的基本原理和分析方法进行了描述，并给出理论模拟结果，对几个关键参数进行了比较计算。研究表明，双模 Ｓ Ａ Ｗ Ｆ 具有低损耗、宽带的特性， 较好地满足了 Ｇ Ｓ Ｍ 用９０２５ Ｍ Ｈｚ的 Ｓ Ａ Ｗ Ｆ电性能要求。

基于纵向耦合结构的宽带声表面波滤波器设计

基于纵向耦合五换能器结构,采用41°YX-LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232MHz,3dB带宽23.5MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗-3dB,相对带宽达到10.1%,矩形系数小于2.5,阻带抑制大于40dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。

一种低损耗高抑制的声表面波滤波器

该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y-X LiNbO3为基片材料,其中心频率约475 MHz,插入损耗小于2 dB,阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性,结果表明该设计方法具有很好的实用性。

高频低损耗声表面波滤波器研制

回顾了低损耗声表面波滤波器的主要设计方法，介绍了镜像阻抗连接换能器结构中调整滤波器带宽的设计技术，给出了在９６０ＭＨｚ高频下的两种试验结果，相对带宽分别为１％和２％，插入损耗小于５ｄＢ，阻带抑制优于５０ｄＢ。

声表面波滤波器进化设计

提出了一种全新的设计方法,它以声表面波滤波器中心频率处的插入损耗和旁瓣抑制作为寻优目标,通过选择、交叉和变异等遗传操作,自动生成声表面波滤波器的输入和输出叉指换能器所有指条长度,并给出中心频率处的声表面波滤波器频率响应。与典型的等周期、等指长的声表面波滤波器相比,采用进化方法设计,极大地提高了滤波器频率响应性能,旁瓣抑制得到了改善。所作的研究具有较强的实用价值。

1.1 GHz声表面波滤波器的设计和制作

随着第三代通信技术的发展 ,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于 Zn O/ Si O2 / Si结构设计、制作了声表面波 (SAW)射频 (RF)滤波器 ,其工艺与普通的 IC工艺兼容 ,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤波器的中心频率可达 1.12 GHz,带宽达 10 % ,插损为 11d

一种极窄带声表面波滤波器的设计技术

该文介绍一种采用横向滤波器结构设计的极窄带声表面波滤波器的设计方法。通过优化抽指加权设计,衍射分析及修正,同时采取措施有效抑制波导效应,研制出极窄带宽、高矩形度、高带外抑制的声表面波滤波器。该产品的插入损耗约-21dB,1dB相对带宽约为1‰,带外抑制大于50dB,通带波纹0.3dB,产品综合性能指标优异。

镜像阻抗连接声表面波滤波器建模与仿真

将镜像阻抗连接结构的输入输出对、镜像对和反射器对转化为十六端口网络元的形式,并用传递矩阵描述相应的网络元,把它们按网络元的排列顺序相乘便得到镜像阻抗连接结构的矩阵模型,利用边界条件将该模型降为二阶矩阵,以此求出声表面波滤波器的插值损耗。用SIMULINK对这一过程进行建模并得到了滤波器的动态仿真模型。然后代入基于氧化锌/金刚石/硅结构的瑞利波相速度和机电耦合系数的频散数据及其它相关参数,仿真得到了滤波器的插损频响。

900MHz高频低损耗声表面波滤波器

介绍了在３６°ＹＸＬｉＴａＯ＿３基片上采用镜像阻抗连接换能器结构研究制作出９００ＭＨｚ高频低损耗声表面波滤波器，插入损耗小于５ｄＢ、带外抑制优于５０ｄＢ。

高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器

该文介绍了一种双声通道纵向耦合结构的高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器。利用有限元仿真研究了AT石英材料上高声速的声表面横波与浅体声波的激励情况,并进行了浅体声波抑制研究。通过调节叉指换能器金属化比,大幅降低了浅体声波对滤波器阻带抑制的影响,并制作出中心频率为1220 MHz,插入损耗为5 dB、1 dB带宽700 kHz、阻带抑制50 dB的低损耗高阻带抑制极窄带声表面波滤波器。