GaAs单片式声表面波存储相关器

主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件 ;声表面波存储相关器 ,对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题 :如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论 。

SAW13位巴克码相关器在伪码引信中的应用

分析了国外无线电引信装备现状、技术发展特点与趋势,介绍了伪码无线电引信的特点,并研制了声表面波13位巴克码低旁瓣相关器。其非周期主/旁瓣比值在全温状态下测试随多谱勒频率漂移变化f0±0.005 MHz处大于31 dB,f0±0.040 MHz处大于28 dB。