ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理

用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响.

基于CS-Au NPs/ITO构建电化学免疫传感器对癌胚抗原的检测

采用简单的电化学方法在氧化铟锡导电玻璃(ITO)上沉积壳聚糖-金(CS-Au NPs)复合材料。其中,Au NPs不仅具有良好的导电性及生物相容性,还可以特异性吸附蛋白。此外,CS分子含有大量的-OH可以与蛋白质分子的-NH_(2)和-COOH结合,从而可以更好吸附抗体。基于此,利用癌胚抗原(CEA)与抗体(anti-CEA)特异性结合的作用,在三电极体系下对不同浓度的CEA进行检测。通过条件优化,本文所提出的电化学免疫传感器对CEA的检测表现出良好的电化学响应。