1
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基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型 |
代月花
高珊
柯导明
陈军宁
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
3
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2
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复合多晶硅双极晶体管DC~3Gb/sLD/EA驱动器 |
王子宇
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
0 |
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3
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复合多晶硅栅LDD MOSFET制造工艺研究 |
方磊
代月花
陈军宁
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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4
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TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究 |
徐秋霞
龚义元
张建欣
扈焕章
汪锁发
李卫宁
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1994 |
1
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