基于PCB罗氏线圈的SiCMOSFET短路保护研究

SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)过短的短路承受时间增大了短路保护的难度,传统退饱和法较长的检测时间容易对SiC MOSFET造成严重冲击。印制电路板(PCB)罗氏线圈高带宽交变电流检测及反应灵敏的特性,使其适用于功率器件短路的快速检测。在SiC MOSFET发生短路时,利用PCB罗氏线圈配合复合式积分电路提取瞬态变化电流,进行反馈控制,有效缩短短路保护的延迟时间。通过软关断,减小关断过程中过高的电流变化率导致的过压对SiC MOSFET造成过大的冲击。实验结果表明,采用PCB罗氏线圈电流检测法能在短路发生第一时间迅速可靠地关断SiC MOSFET,实现短路保护。