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具有复合最后一层势垒的A1GaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究
1
作者
张雄
陆亮
崔一平
《光源与照明》
2021年第S01期62-65,73,共5页
文章对具有新研发的、由常规的未掺杂的最后一层量子势垒(u-LQB)和p型掺Mg最后一层量子势垒(p-LQB)构成的复合最后一层量子势垒(CLQB)的AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)进行了深入研究。研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化...
文章对具有新研发的、由常规的未掺杂的最后一层量子势垒(u-LQB)和p型掺Mg最后一层量子势垒(p-LQB)构成的复合最后一层量子势垒(CLQB)的AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)进行了深入研究。研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB,可显著提高DUV-LED的光输出功率。基于此成果,在使用优化的Mg掺入量下成功制备了输出功率较高的DUV-LED。在40 mA的注入电流下,与未插入p-LQB的样品相比,具有优化的p-CLQB的AlGaN基DUV-LED的光输出功率增加了约30%。此外,基于电致发光和光致发光谱表征结果,揭示了DUV-LED光输出功率获得显著改善的主要原因在于电子泄漏的减少和CLQB的采用所引起的空穴注入效率的提高。
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关键词
深紫外发光二极管
复合最后一层量子势垒
光输出功率
Mg掺杂
金属有机物化学气相沉积
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职称材料
具有复合最后一层势垒的AlGaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究
2
作者
张雄
陆亮
崔一平
《安庆师范大学学报(自然科学版)》
2022年第3期1-6,共6页
本文研究了AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED),其由常规未掺杂的最后一层量子势垒(u-LQB)和p型掺Mg最后一层量子势垒(p-LQB)复合而成最后一层量子势垒(CLQB)。研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB,可显著提...
本文研究了AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED),其由常规未掺杂的最后一层量子势垒(u-LQB)和p型掺Mg最后一层量子势垒(p-LQB)复合而成最后一层量子势垒(CLQB)。研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB,可显著提高DUV-LED的光输出功率。基于此成果,使用优化的Mg掺入量成功制备了输出功率较高的DUV-LED,在40 mA的注入电流下,与未插入p-LQB的样品相比,DUV-LED的光输出功率增加了约30%。而且,电致发光和光致发光谱表征结果表明,DUV-LED光输出功率获得显著改善的主要原因在于电子泄漏的减少和CLQB的采用所引起的空穴注入效率的提高。
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关键词
深紫外发光二极管
复合最后一层量子势垒
光输出功率
Mg掺杂
金属有机物化学气相沉积
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职称材料
通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
3
作者
张东皓
杨东锴
+2 位作者
徐畅
刘信佑
包立君
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期800-808,共9页
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN...
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN/AlN最后势垒层的样品中,有更多载流子可以传输到深层量子阱,空穴注入效率获得提升。本文对这一现象中的载流子运输机制以及V坑缺陷在其中所起的作用进行了研究,发现这种提升主要来自空穴V坑注入比例的增大。实验还发现,过大的V坑注入比例也会造成非辐射复合率上升,从而抑制了AlGaN最后势垒层样品的电光转换效率。
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关键词
发光二极管
最后
势垒
层
空穴注入
INGAN/GAN多
量子
阱
V坑
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职称材料
题名
具有复合最后一层势垒的A1GaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究
1
作者
张雄
陆亮
崔一平
机构
东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
出处
《光源与照明》
2021年第S01期62-65,73,共5页
文摘
文章对具有新研发的、由常规的未掺杂的最后一层量子势垒(u-LQB)和p型掺Mg最后一层量子势垒(p-LQB)构成的复合最后一层量子势垒(CLQB)的AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)进行了深入研究。研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB,可显著提高DUV-LED的光输出功率。基于此成果,在使用优化的Mg掺入量下成功制备了输出功率较高的DUV-LED。在40 mA的注入电流下,与未插入p-LQB的样品相比,具有优化的p-CLQB的AlGaN基DUV-LED的光输出功率增加了约30%。此外,基于电致发光和光致发光谱表征结果,揭示了DUV-LED光输出功率获得显著改善的主要原因在于电子泄漏的减少和CLQB的采用所引起的空穴注入效率的提高。
关键词
深紫外发光二极管
复合最后一层量子势垒
光输出功率
Mg掺杂
金属有机物化学气相沉积
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
具有复合最后一层势垒的AlGaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究
2
作者
张雄
陆亮
崔一平
机构
东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
出处
《安庆师范大学学报(自然科学版)》
2022年第3期1-6,共6页
基金
国家自然科学基金重点项目(2018YFE0201000)
国家自然科学基金面上项目(62005026,61804027)
江苏省自然科学基金面上项目(BK20191027,BK20180359)。
文摘
本文研究了AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED),其由常规未掺杂的最后一层量子势垒(u-LQB)和p型掺Mg最后一层量子势垒(p-LQB)复合而成最后一层量子势垒(CLQB)。研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB,可显著提高DUV-LED的光输出功率。基于此成果,使用优化的Mg掺入量成功制备了输出功率较高的DUV-LED,在40 mA的注入电流下,与未插入p-LQB的样品相比,DUV-LED的光输出功率增加了约30%。而且,电致发光和光致发光谱表征结果表明,DUV-LED光输出功率获得显著改善的主要原因在于电子泄漏的减少和CLQB的采用所引起的空穴注入效率的提高。
关键词
深紫外发光二极管
复合最后一层量子势垒
光输出功率
Mg掺杂
金属有机物化学气相沉积
Keywords
deep ultraviolet light-emitting diodes
composite last quantum barrier
light output power
Mg doping
metal organic chemical vapor deposition
分类号
O471 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
3
作者
张东皓
杨东锴
徐畅
刘信佑
包立君
机构
厦门大学电子科学与技术学院电子科学系
厦门三安光电有限公司
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期800-808,共9页
基金
国家自然科学基金(62071405)。
文摘
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN/AlN最后势垒层的样品中,有更多载流子可以传输到深层量子阱,空穴注入效率获得提升。本文对这一现象中的载流子运输机制以及V坑缺陷在其中所起的作用进行了研究,发现这种提升主要来自空穴V坑注入比例的增大。实验还发现,过大的V坑注入比例也会造成非辐射复合率上升,从而抑制了AlGaN最后势垒层样品的电光转换效率。
关键词
发光二极管
最后
势垒
层
空穴注入
INGAN/GAN多
量子
阱
V坑
Keywords
light-emitting diodes
last quantum barrier
hole injection
InGaN/GaN MQWs
V-pits
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有复合最后一层势垒的A1GaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究
张雄
陆亮
崔一平
《光源与照明》
2021
0
下载PDF
职称材料
2
具有复合最后一层势垒的AlGaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究
张雄
陆亮
崔一平
《安庆师范大学学报(自然科学版)》
2022
0
下载PDF
职称材料
3
通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
张东皓
杨东锴
徐畅
刘信佑
包立君
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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