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脉冲电流占空比对Ni-SiC_p复合镀层电沉积行为的影响 被引量:7
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作者 胡飞 胡跃辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第14期123-126,共4页
利用不同占空比的脉冲电流电沉积法制备了Ni-SiCp复合镀层,结果表明,随着占空比的增大,镍基晶粒尺寸和嵌入SiC沉积含量也随之增加,当占空比为50%时复合镀层达到最大显微硬度值。采用基于电化学阻抗谱结果建立的等效电路模型模拟了不同... 利用不同占空比的脉冲电流电沉积法制备了Ni-SiCp复合镀层,结果表明,随着占空比的增大,镍基晶粒尺寸和嵌入SiC沉积含量也随之增加,当占空比为50%时复合镀层达到最大显微硬度值。采用基于电化学阻抗谱结果建立的等效电路模型模拟了不同占空比下电沉积过程的电荷传递电流。模拟结果发现,随着占空比的增大,电荷传递峰电流减小,同时模拟了复合镀层中嵌入SiC颗粒的体积分数。模拟计算结果与试验结果相似。 展开更多
关键词 占空比 Ni—SiCp复合镀层等效电路模型 电沉积
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面向下一代光通信的VCSEL激光器仿真模型
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作者 杨海洋 徐亚男 任慧杰 《数学的实践与认识》 北大核心 2018年第15期128-137,共10页
VCSEL激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)在现代光纤通信系统中占有十分重要的地位,为了更好的设计高速VCSEL激光器,基于经典的L—I模型、小信号响应模型,通过拟合实验测量的数据进行模型参数的提取,进而探究了偏置... VCSEL激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)在现代光纤通信系统中占有十分重要的地位,为了更好的设计高速VCSEL激光器,基于经典的L—I模型、小信号响应模型,通过拟合实验测量的数据进行模型参数的提取,进而探究了偏置电流、环境温度对于VCSEL激光器L—I,特性、频响特性的影响规律.针对经典的三一,模型存在的参数拟合困难、精度不高等缺陷,提出了两种相应的改进模型;针对小信号响应模型只适用于小信号工况下的缺点,引入了一种复合等效电路模型,并对二者进行了比较和分析. 展开更多
关键词 VCSEL L—I模型 小信号响应模型 复合等效电路模型
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