垂直GaN-SBD的场限环-场板复合终端结构设计

垂直GaN-SBD需要采用终端结构缓解阳极边缘电场集中现象,进而提高击穿电压。场限环终端结构可有效实现上述功能,但消耗的芯片面积较大,降低了一定面积晶圆上器件的数量。针对这一问题提出了场限环-场板复合终端结构,利用场板分散场限环边缘的电场,从而在保持器件击穿电压的同时减少场限环数量,减小器件的面积。通过TCAD仿真系统地研究了场限环-场板复合终端结构对垂直GaN-SBD击穿电压及阳极边缘附近的电场分布情况的影响。仿真表明,当维持相同的击穿电压(1700V),复合终端结构所需的场限环数量可减少2个,终端面积减小16.47%,而且阳极边缘的电场强度明显降低。