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采用SAR结构的8通道12位ADC设计 被引量:1
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作者 彭新芒 杨银堂 朱樟明 《电子设计应用》 2006年第11期85-87,10,共3页
本文设计实现了一个8通道12位逐次逼近型ADC。转换器内部集成了多路复用器、并/串转换寄存器和复合型DAC,实现了数字位的串行输出。整体电路采用HSPICE进行仿真,转换速率为133KSPS,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.8m... 本文设计实现了一个8通道12位逐次逼近型ADC。转换器内部集成了多路复用器、并/串转换寄存器和复合型DAC,实现了数字位的串行输出。整体电路采用HSPICE进行仿真,转换速率为133KSPS,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.8mA。芯片基于0.6μmBiCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.5×2.2mm2。 展开更多
关键词 逐次逼近ADC 复合结构dac 低功耗 BICMOS
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一种采用0.5μm CMOS工艺的多通道SAR ADC 被引量:2
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作者 彭新芒 杨银堂 朱樟明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期217-220,共4页
设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。... 设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。 展开更多
关键词 逐次逼近模数转换器 复合结构dac CMOS工艺
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