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采用SAR结构的8通道12位ADC设计
被引量:
1
1
作者
彭新芒
杨银堂
朱樟明
《电子设计应用》
2006年第11期85-87,10,共3页
本文设计实现了一个8通道12位逐次逼近型ADC。转换器内部集成了多路复用器、并/串转换寄存器和复合型DAC,实现了数字位的串行输出。整体电路采用HSPICE进行仿真,转换速率为133KSPS,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.8m...
本文设计实现了一个8通道12位逐次逼近型ADC。转换器内部集成了多路复用器、并/串转换寄存器和复合型DAC,实现了数字位的串行输出。整体电路采用HSPICE进行仿真,转换速率为133KSPS,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.8mA。芯片基于0.6μmBiCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.5×2.2mm2。
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关键词
逐次逼近ADC
复合结构dac
低功耗
BICMOS
下载PDF
职称材料
一种采用0.5μm CMOS工艺的多通道SAR ADC
被引量:
2
2
作者
彭新芒
杨银堂
朱樟明
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期217-220,共4页
设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。...
设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。
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关键词
逐次逼近模数转换器
复合结构dac
CMOS工艺
下载PDF
职称材料
题名
采用SAR结构的8通道12位ADC设计
被引量:
1
1
作者
彭新芒
杨银堂
朱樟明
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《电子设计应用》
2006年第11期85-87,10,共3页
基金
国家自然科学基金(60476046)
教育部博士学科点基金(20050701015)
+1 种基金
部委基金(51408010304DZ0140
51408010205DZ0164)
文摘
本文设计实现了一个8通道12位逐次逼近型ADC。转换器内部集成了多路复用器、并/串转换寄存器和复合型DAC,实现了数字位的串行输出。整体电路采用HSPICE进行仿真,转换速率为133KSPS,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.8mA。芯片基于0.6μmBiCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.5×2.2mm2。
关键词
逐次逼近ADC
复合结构dac
低功耗
BICMOS
分类号
TP335.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
一种采用0.5μm CMOS工艺的多通道SAR ADC
被引量:
2
2
作者
彭新芒
杨银堂
朱樟明
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期217-220,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476046)
教育部博士学科点基金资助项目(20050701015)
+1 种基金
部委基金资助项目(51408010304DZ0140
51408010205DZ0164)
文摘
设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。
关键词
逐次逼近模数转换器
复合结构dac
CMOS工艺
Keywords
Successive approximation A/D converter
Composite
dac
CMOS process
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用SAR结构的8通道12位ADC设计
彭新芒
杨银堂
朱樟明
《电子设计应用》
2006
1
下载PDF
职称材料
2
一种采用0.5μm CMOS工艺的多通道SAR ADC
彭新芒
杨银堂
朱樟明
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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职称材料
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