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Bphen/Ag/Bphen复合缓冲层对有机太阳电池性能的影响
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作者 徐洁 李青 +1 位作者 王洪 林慧 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期309-312,316,共5页
采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明,在Bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时,器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型,计算... 采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明,在Bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时,器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型,计算了缓冲层对器件性能参数的影响。发现Bphen/Ag/Bphen可以改善有机层和电极的界面接触性能,降低器件的串联电阻。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了复合缓冲层对器件光子吸收的作用,发现加入Ag薄层后提高了器件的光吸收能力。 展开更多
关键词 有机太阳电池(OSC) 复合缓冲层 Bphen 超薄 界面修饰
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利用Ag_2O/PEDOT:PSS复合缓冲层提高P3HT:PCBM聚合物太阳能电池器件性能的研究 被引量:3
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作者 刘志方 赵谡玲 +7 位作者 徐征 杨倩倩 赵玲 刘志民 陈海涛 杨一帆 高松 徐叙瑢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期321-325,共5页
利用Ag2O/PEDOT:PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐)作为复合阳极缓冲层,制备了P3HT:PCBM(聚(3-已基噻吩):富勒烯衍生物)聚合物太阳能电池器件,并通过改变氧化银插入层的厚度来分析复合缓冲层对器件性能的影响.实验发现,具有阳... 利用Ag2O/PEDOT:PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐)作为复合阳极缓冲层,制备了P3HT:PCBM(聚(3-已基噻吩):富勒烯衍生物)聚合物太阳能电池器件,并通过改变氧化银插入层的厚度来分析复合缓冲层对器件性能的影响.实验发现,具有阳极缓冲层修饰的器件在退火处理后,光伏性能得到了改善.相比于单一PEDOT:PSS缓冲层的器件,Ag2O/PEDOT:PSS复合缓冲层可以增大器件的短路电流密度和外量子效率,使器件效率得到提高.分析表明,退火处理可以有效改善活性层的薄膜形貌,增加光的吸收和激子的解离,而较薄氧化银的引入,可以有效降低阳极处空穴的输运势垒,提高器件空穴收集效率,并能充当化学间隔层,提高器件光伏性能和稳定性. 展开更多
关键词 氧化银纳米粒子 复合缓冲层 聚合物太阳能电池 后退火
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In_(0.2)Ga_(0.8)As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点
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作者 方志丹 龚政 +2 位作者 苗振华 牛智川 沈光地 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期324-327,共4页
用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和xML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从... 用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和xML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm. 展开更多
关键词 INAS/GAAS量子点 复合应力缓冲 光荧光 原子力显微镜
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Ti,N共掺杂4H-SiC复合增强缓冲层生长及其对PiN二极管正向性能稳定性的改善
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作者 李传纲 鞠涛 +5 位作者 张立国 李杨 张璇 秦娟 张宝顺 张泽洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期224-231,共8页
"双极型退化"现象严重阻碍了4H-SiC双极型器件如PiN二极管等的产品化,其微观机理是电子-空穴复合条件下层错由基面位错处的扩展.为遏制"双极型退化"现象,不仅要消除漂移层中的基面位错,还需要通过生长复合增强缓冲... "双极型退化"现象严重阻碍了4H-SiC双极型器件如PiN二极管等的产品化,其微观机理是电子-空穴复合条件下层错由基面位错处的扩展.为遏制"双极型退化"现象,不仅要消除漂移层中的基面位错,还需要通过生长复合增强缓冲层的方法阻止少子空穴到达含高密度基面位错片段的外延层/衬底界面.本文采用钛、氮共掺杂的方式进行缓冲层的生长,通过钛掺杂进一步降低缓冲层中的少子寿命.首先确定了钛掺杂浓度和钛源摩尔流量之间的定量关系,在此基础上制备了含钛、氮共掺杂缓冲层结构的4H-SiC PiN二极管,并在正向电流密度100 A/cm^2的条件下保持10 min,测量其正向压降随时间的变化.与无缓冲层结构、仅含高浓度氮掺杂缓冲层结构的4H-SiC PiN二极管相比,含钛、氮共掺杂缓冲层的二极管的正向压降稳定性得到了明显改善. 展开更多
关键词 4H-SIC Ti掺杂 复合增强缓冲 双极型退化
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基于聚多巴胺/氧化锌复合阴极缓冲层的倒置聚合物太阳能电池的研究 被引量:1
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作者 李琦 章勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第19期275-281,共7页
利用多巴胺氧化自聚合形成聚多巴胺(PDA)与ZnO结合形成PDA/ZnO复合阴极缓冲层,制备了以P3HT:PC_(61)BM为活性层的倒置结构聚合物太阳能电池,通过改变PDA的自聚合时间来分析复合阴极缓冲层对器件性能的影响.实验发现,随着PDA的自聚合时... 利用多巴胺氧化自聚合形成聚多巴胺(PDA)与ZnO结合形成PDA/ZnO复合阴极缓冲层,制备了以P3HT:PC_(61)BM为活性层的倒置结构聚合物太阳能电池,通过改变PDA的自聚合时间来分析复合阴极缓冲层对器件性能的影响.实验发现,随着PDA的自聚合时间的增加,聚合物太阳能电池的光电转换效率先增大后减小,当自聚合时间为10 min时,相应器件光伏性能达到最优值,其开路电压V_(OC)为0.66 V,短路电流密度J_(SC)为9.70 mA/cm^2,填充因子FF为68.06%,光电转换效率PCE为4.35%.器件性能改善的原因是由于PDA/ZnO复合阴极缓冲层减小了ZnO与ITO之间的接触电阻,同时PDA中存在大量的氨基有利于倒置太阳能电池阴极对电子的收集. 展开更多
关键词 聚多巴胺 复合阴极缓冲 倒置聚合物太阳能电池 交流阻抗谱
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基于Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层的倒置聚合物太阳能电池的研究
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作者 李琦 章勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期203-211,共9页
采用旋涂Al_2O_3前驱体溶液和低温退火的方法在活性层上形成Al_2O_3薄膜,并与MoO_3结合形成Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层,制备了以聚3-己基噻吩:[6.6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(P3HT:PC_(61)BM)为活性层的倒置聚合物太阳能电池,并通过改变A... 采用旋涂Al_2O_3前驱体溶液和低温退火的方法在活性层上形成Al_2O_3薄膜,并与MoO_3结合形成Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层,制备了以聚3-己基噻吩:[6.6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(P3HT:PC_(61)BM)为活性层的倒置聚合物太阳能电池,并通过改变Al_2O_3前驱体溶液的浓度来分析复合阳极缓冲层对器件性能的影响.结果发现,Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层能有效调控倒置聚合物太阳能电池的光电性能及其稳定性.当Al_2O_3前驱体溶液的浓度为0.15%时,器件光伏性能达到最优值,与MoO_3单缓冲层的器件相比,光电转换效率(PCE)由3.85%提高到4.64%;经过80天老化测试后,具有复合阳极缓冲层的器件PCE保留为初始值的76%,而单缓冲层的器件PCE已经下降到50%以下.器件性能得到改善的原因是Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层增强了倒置太阳能电池器件阳极对空穴的收集能力,同时钝化了器件活性层,从而提升了太阳能电池器件的光伏性能及其稳定性. 展开更多
关键词 氧化铝 复合阳极缓冲 倒置聚合物太阳能电池 交流阻抗谱
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超结器件 被引量:22
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作者 陈星弼 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期2-7,共6页
简要地介绍了突破传统"硅极限"的超结器件发明的背景,以及产生的来由。描述了既用作漂移区又用作耐压区的各种超结结构的导通电阻与击穿电压的关系,及超结MOST瞬态特性中导通过程的器件物理。最后简要地介绍了超结器件的进展。
关键词 半导体功率器件 超结 复合缓冲层 比导通电阻 硅极限
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Solution-derived poly(ethylene glycol)-TiOx nanocom- posite film as a universal cathode buffer layer for enhancing efficiency and stability of polymer solar cells 被引量:1
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作者 Zhigang Yin Qingdong Zheng +4 位作者 Shan-Ci Chen Jiaxin Li Dongdong Cai Yunlong Ma Jiajun Wei 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期456-468,共13页
Highly efficient and stable polymer solar cells (PSCs) have been fabricated by adopting solution-derived hybrid poly(ethylene glycol)-titanium oxide (PEG-TiOx) nanocomposite films as a novel and universal cathod... Highly efficient and stable polymer solar cells (PSCs) have been fabricated by adopting solution-derived hybrid poly(ethylene glycol)-titanium oxide (PEG-TiOx) nanocomposite films as a novel and universal cathode buffer layer (CBL), which can greatly improve device performance by reducing interface energy barriers and enhancing charge extraction/collection. The performance of inverted PSCs with varied bulk-heterojunctions (BHJs) based on this hybrid nanocomposite CBL was found to be much better than those of control devices with a pure TiOx CBL or without a CBL. An excellent power conversion efficiency up to 9.05% under AM 1.5G irradiation (100 mW-cm^-2) was demonstrated, which represents a record high value for inverted PSCs with TiOx-based interface materials. 展开更多
关键词 titanium oxide NANOCOMPOSITES energy conversion organic solar cells interface engineering device stability
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