基于支持向量机与DS证据理论的复合触发技术

针对CCD立靶采用单一外触发方式可能造成的漏测、虚警、存储与处理冗余数据量过大而影响到系统工作效率及可靠性等问题,提出采用支持向量机(SVM)与DS证据理论信息融合的方法,将被测试武器的枪炮口火焰、弹丸激波、天幕靶信号等信息进行预处理,生成目标的初速度、着靶速度、存速率等弹道信息对目标进行状态估计,而后进行加权融合,最终实现复合触发。仿真与实验结果表明,该触发方式在保证系统可靠性的同时降低了虚警率和数据存储与处理量。

基于Copula方法的复合触发机制巨灾债券定价研究

传统的保险市场无法承受巨灾的赔付压力,发行巨灾债券能较好地分散风险,然而目前巨灾债券定价的模型选择和触发机制设计还存在争议。文章基于1989~2017年的广东省台风巨灾历史数据建立了"损失-风速"复合触发定价模型,并利用Gumbel-Copula函数来拟合其联合分布,进而基于均衡定价理论和CIR利率模型得到台风巨灾债券的价格,较好地控制了传统单触发模型中存在的基差风险和道德风险。研究结果表明,复合触发机制下的巨灾债券价格比单触发机制下的债券价格要更稳定,对触发水平和期限变动更敏感。复合触发的水平越低,巨灾发生概率越大,巨灾债券的价格越低。另一方面,随债券期限的增加,债券价格下降的幅度也在增加。"损失-风速"复合触发机制巨灾债券定价模型能够有效降低道德风险,使得巨灾赔付更迅速。

半导体RSD开关预充电路设计与研究

利用快速晶闸管设计了一种可用于触发大电流半导体开关的反向导通型双晶复合晶体管(Reversely Switching Dynistor,简称RSD)电路。重点介绍了RSD预充电路参数选择和触发脉冲产生电路的设计,解决了预充电路和主回路RSD开关开通后各电气参数的配合问题。实验结果表明,当预充电路的工作电压约为800V时,RSD开关的预充峰值电流约为600A,脉冲宽度约为2μs,流过RSD开关的脉冲峰值电流可达5.3kA,脉冲宽度约为10μs。

Low-leakage diode-triggered silicon controlled rectifier for electrostatic discharge protection in 0.18-μm CMOS process

A diode-triggered silicon controlled rectifier (DTSCR) is being developed as an electrostatic discharge (ESD) pro- tection device for low voltage applications. However, DTSCR leaks high current during normal operation due to the Darlington effect of the triggering-assist diode string. In this study, two types of diode string triggered SCRs are designed for low leakage consideration; the modified diode string and composite polysilicon diode string triggered SCRs (MDTSCR & PDTSCR). Com- pared with the conventional DTSCR (CDTSCR), the MDTSCR has a much lower substrate leakage current with a relatively large silicon cost, and the PDTSCR has a much lower substrate leakage current with similar area and shows good leakage performance at a high temperature. Other DTSCR ESD properties are also investigated, especially regarding their layout, triggering voltage and failure current.