期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种基于SiGe BiCMOS的高性能运算跨导放大器的设计 被引量:1
1
作者 潘星 王永禄 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 2008年第4期418-422,共5页
介绍了一种基于SiGe BiCMOS工艺,可用于开关电容电路的全差分运算跨导放大器(OTA)。在信号通路中使用复合达林顿连接以达到高增益和大带宽。用Cadence Spectre仿真,在电源电压为3.3 V、电容负载为1.1 pF时,此放大器可提供89 dB的低频直... 介绍了一种基于SiGe BiCMOS工艺,可用于开关电容电路的全差分运算跨导放大器(OTA)。在信号通路中使用复合达林顿连接以达到高增益和大带宽。用Cadence Spectre仿真,在电源电压为3.3 V、电容负载为1.1 pF时,此放大器可提供89 dB的低频直流增益,相位裕度为54°,单位增益带宽为2 GHz,功耗为19.8 mW,差动输出摆幅为2.4 V,差动输入参考噪声功率谱密度为3.2 n(V/(Hz)^(1/2))。在闭环反馈因子β=0.5时,此放大器达到0.01%的精度所需要的建立时间约为2 ns。 展开更多
关键词 BICMOS 跨导放大器 复合达林顿连接 模拟集成电路
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部