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一种基于SiGe BiCMOS的高性能运算跨导放大器的设计
被引量:
1
1
作者
潘星
王永禄
《重庆邮电大学学报(自然科学版)》
2008年第4期418-422,共5页
介绍了一种基于SiGe BiCMOS工艺,可用于开关电容电路的全差分运算跨导放大器(OTA)。在信号通路中使用复合达林顿连接以达到高增益和大带宽。用Cadence Spectre仿真,在电源电压为3.3 V、电容负载为1.1 pF时,此放大器可提供89 dB的低频直...
介绍了一种基于SiGe BiCMOS工艺,可用于开关电容电路的全差分运算跨导放大器(OTA)。在信号通路中使用复合达林顿连接以达到高增益和大带宽。用Cadence Spectre仿真,在电源电压为3.3 V、电容负载为1.1 pF时,此放大器可提供89 dB的低频直流增益,相位裕度为54°,单位增益带宽为2 GHz,功耗为19.8 mW,差动输出摆幅为2.4 V,差动输入参考噪声功率谱密度为3.2 n(V/(Hz)^(1/2))。在闭环反馈因子β=0.5时,此放大器达到0.01%的精度所需要的建立时间约为2 ns。
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关键词
BICMOS
跨导放大器
复合达林顿连接
模拟集成电路
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职称材料
题名
一种基于SiGe BiCMOS的高性能运算跨导放大器的设计
被引量:
1
1
作者
潘星
王永禄
机构
重庆邮电大学
模拟集成电路国家重点实验室
出处
《重庆邮电大学学报(自然科学版)》
2008年第4期418-422,共5页
文摘
介绍了一种基于SiGe BiCMOS工艺,可用于开关电容电路的全差分运算跨导放大器(OTA)。在信号通路中使用复合达林顿连接以达到高增益和大带宽。用Cadence Spectre仿真,在电源电压为3.3 V、电容负载为1.1 pF时,此放大器可提供89 dB的低频直流增益,相位裕度为54°,单位增益带宽为2 GHz,功耗为19.8 mW,差动输出摆幅为2.4 V,差动输入参考噪声功率谱密度为3.2 n(V/(Hz)^(1/2))。在闭环反馈因子β=0.5时,此放大器达到0.01%的精度所需要的建立时间约为2 ns。
关键词
BICMOS
跨导放大器
复合达林顿连接
模拟集成电路
Keywords
BiCMOS
operational transconduetanee amplifier
compound Darlington connections
analog integrated circuits
分类号
TG156 [金属学及工艺—热处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种基于SiGe BiCMOS的高性能运算跨导放大器的设计
潘星
王永禄
《重庆邮电大学学报(自然科学版)》
2008
1
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