1
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带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析 |
孙浩
齐鸣
徐安怀
艾立鹍
苏树兵
刘新宇
刘训春
钱鹤
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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2
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含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计 |
程伟
金智
于进勇
刘新宇
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
3
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3
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带复合掺杂层的InP基HBT新结构 |
江琳琳
李轶群
崔海林
黄辉
黄永清
任晓敏
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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4
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用于光电集成的InP基HBT新结构 |
崔海林
任晓敏
黄辉
李轶群
王文娟
黄永清
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《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
6
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