Y掺杂(Ba_(0.6)Sr_(0.4))TiO_3材料的缓变PTC特性及复阻抗分析

采用氧化物固相合成法制备了Ｙ掺杂（Ｂａ０．６Ｓｒ０．４）ＴｉＯ３材料，对１３５０℃／２ｈ烧结，然后自然降温方式下成瓷的样品进行了Ｒ－Ｔ特性测试及复阻抗分析。结果表明样品电阻上升区域为０～１８５℃，最大升阻比为２．９８个数量级，在１８５℃测试温度下样品的ρｍａｘ达到最大。变温复阻抗分析表明，材料的ＰＴＣ效应完全是一种晶界效应，复阻抗谱测试结果与Ｒ－Ｔ特性测试结果相一致。

SnO_2气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

采用平面丝网印刷工艺制备ＳｎＯ２厚膜气敏试样，分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成，测量试样的灵敏度和稳定性，并通过复阻抗分析方法，研究ＳｎＯ２气敏元件烧结工艺和电性能的关系，探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响．结果表明，适当调整烧结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性；复阻抗分析表明，随保温时间延长，试样的电阻－电抗曲线半圆弧的弥散角逐渐减小至零，说明适当延长保温时间使晶粒间界处的弛豫时间分布趋向一致，晶界处晶粒的接触形态以及开口气孔和缺陷的分布等更趋均一和稳定．

K_2O-SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷电性能的复阻抗分析

采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-L iZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K+对材料湿敏特性的影响,通过复阻抗分析方法,研究了材料的电性能,并进一步分析了试样在不同湿度中的导电机理和等效电路。结果表明:K+液相掺杂的摩尔分数为10%时可使材料具有低湿电阻小,灵敏度适中的特性。复阻抗分析表明:试样的电容在低频范围随相对湿度的升高而增大,但高频范围几乎不随相对湿度变化,且试样在低湿时主要以电子导电为主,高湿时以离子导电为主。

SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系湿敏试样,分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成,测量试样的湿敏特性,并通过复阻抗分析方法,研究了SnO2系湿敏元件烧结工艺与电性能的关系,探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响.结果表明:适当调整烧结工艺参数可明显改善材料的微结构和湿敏性能,850℃×1h试样具有高湿电阻小灵敏度适中的湿敏特性;复阻抗分析表明,试样的电容在低频范围随烧结温度的升高和保温时间的延长先减小后增大,但高频范围几乎不随烧结温度的变化,且随时间的延长,试样的复阻抗谱的半圆弧弧长逐渐增大.

TiO_2纳米管阵列的制备及复阻抗分析

采用电化学阳极氧化法在HF酸水溶液中使纯钛表面生成结构致密有序的TiO_2纳米管阵列薄膜,考察了阳极氧化电压和阳极氧化时间对TiO_2纳米管阵列形貌的影响,讨论了TiO_2纳米管的形成机理。采用复阻抗谱方法,测量了获得的TiO_2纳米管阵列薄膜在不同湿度下的电阻-电抗曲线和相位角-频率曲线,由此分析得到,试样的等效电路由2个RC并联回路串联而成,并拟合出等效电路各元件的参数值,说明TiO_2纳米管阵列薄膜表面对湿度变化有较好的响应。

烧结温度对Ba(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3陶瓷微观结构与介电性能的影响

在1 300～1 400℃采用固相法制得了致密的Ba（Fe0.5Nb0.5）O3（BFN）陶瓷,并对其微观结构和介电行为进行研究.XRD分析表明不同烧结温度下都获得了单相立方结构的BFN陶瓷.陶瓷的平均晶粒尺寸和介电常数都会随着烧结温度的升高而增大,且当烧结温度升高到1 400℃时,陶瓷的晶粒尺寸急剧增大,介电常数从18 868急剧增到45 167,介电损耗从0.66降低到0.43.复阻抗分析表明,BFN陶瓷的微观结构是由半导的晶粒和绝缘的晶界构成,可等效为由两个平行RC元件组成的串联电路.根据IBLC巨介电理论模型,介电常数的增加源于平均晶粒尺寸与晶界厚度的比值（tg/tgb）增加,并且晶粒的尺寸增加占主导地位.BFN陶瓷巨介电常数的外部起源与微结构有关.

广义导纳圆

广义导纳圆范仰才等（基础部）１９４１年Ｋ．Ｓ．Ｃｏｌｅ和Ｒ．Ｈ．Ｃｈｌｅ在研究复介电常数随频率变化关系Ｅ（Ｗ）二。’（Ｗ）－ｊＥｗ（Ｗ）时，发现其实部’和虚部ｃ的测量点分布在复平面的一个半圆上，通常认为这是德拜型介电驰豫规律的表现，并推广于非德￥型关...

复合输出电容COT控制Buck变换器稳定性研究

对于单输出电容应用情形,已有文献报道了恒定导通时间(COT)控制Buck变换器的稳定性分析方法,且给出了输出电容时间常数或者等效串联电阻(ESR)的稳定性判据。然而对于复合输出电容应用情形,COT控制Buck变换器的时域分析相当复杂,动力学建模过于繁琐,难以给出相应的稳定性判据来有效指导工程实践。针对工程实践中两种常见的复合输出电容并联使用情况,在此提出一种新颖的COT控制Buck变换器复阻抗等效分析法,其核心思想是将复合输出电容电路经过简化计算,等效变换成单输出电容电路。基于该等效分析法,导出单输出电容的等效电路参数,并通过具体例子进行PSIM电路仿真和实验电路测量。仿真和实验结果验证了复阻抗等效分析法的有效性。

一种研究 PTCR 老化特性的新方法

阐述了用复阻抗分析的方法来研究ＰＴＣＲ（正温度系数电阻ＰｏｓｉｔｉｖｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｉｃｉｅｎｔＲｅｓｉｓ－ｔａｎｃｅ）老化特性的有关方面，重点论述了ＰＴＣＲ的等效电路及其宏微观参数的计算等问题。

Zn_2SnO_4-LiZnVO_4系厚膜湿敏元件的制备和性能研究

采用溶胶凝胶法制备 Zn2SnO4-LiZnVO4系陶瓷纳米粉体，用平面丝网印刷工艺在氧化铝基片上制备厚膜湿敏元件。与普通陶瓷粉体制备的元件相比，该元件低湿电阻小，长期稳定性较好。 测量不同工作频率时的湿敏特性表明，元件在 1kHz频率范围感湿线性最佳。复阻抗分析表明，采用溶胶凝胶法制备纳米粉体并控制烧结温度，可获得良好的微结构，是改善元件感湿特性的原因。

MnWO_4-Li_2WO_4系厚膜湿敏元件的性能

本文采用溶胶凝胶法制备WO3纳米粉体,再与MnCO3固相反应合成MnWO4,掺杂得到不同配比的MnWO4-Li2WO4湿敏材料,通过丝网印刷工艺制备厚膜湿敏元件。实验研究表明在适当的工艺条件下,MnWO4中掺杂30mol%Li2WO4的材料,所制备的元件具有低湿电阻小、灵敏度高、响应速度快、湿滞小的特点,这些特点为产品的实用化提供了有利条件。SEM照片和复阻抗分析表明,该方法制备的材料具有纳米晶粒和优良的晶界微结构,是改善元件性能的重要原因。