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一种CMOS芯片抗闩锁电路设计
1
作者
杨东亮
王梅
郭警涛
《山西电子技术》
2021年第2期40-41,47,共3页
阐述了CMOS芯片内部产生“闩锁”效应的机理及其危害;提出了一种CMOS芯片外围保护电路的设计方法,目的在于尽量避免CMOS芯片发生“闩锁效应”而被烧坏。对电路的拓扑形式及各部分的功能进行了详细的描述,CMOS外围保护电路进行设计完善后...
阐述了CMOS芯片内部产生“闩锁”效应的机理及其危害;提出了一种CMOS芯片外围保护电路的设计方法,目的在于尽量避免CMOS芯片发生“闩锁效应”而被烧坏。对电路的拓扑形式及各部分的功能进行了详细的描述,CMOS外围保护电路进行设计完善后,CMOS芯片使用情况良好,未再发生过类似故障。
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关键词
CMOS芯片
抗闩锁
外围保护电路
拓扑
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职称材料
题名
一种CMOS芯片抗闩锁电路设计
1
作者
杨东亮
王梅
郭警涛
机构
航空工业西安航空计算技术研究所
出处
《山西电子技术》
2021年第2期40-41,47,共3页
基金
航空科学基金(2016ZC31004)。
文摘
阐述了CMOS芯片内部产生“闩锁”效应的机理及其危害;提出了一种CMOS芯片外围保护电路的设计方法,目的在于尽量避免CMOS芯片发生“闩锁效应”而被烧坏。对电路的拓扑形式及各部分的功能进行了详细的描述,CMOS外围保护电路进行设计完善后,CMOS芯片使用情况良好,未再发生过类似故障。
关键词
CMOS芯片
抗闩锁
外围保护电路
拓扑
Keywords
CMOS chip
anti-latchup
peripheral protect circuit
topological structure
分类号
V242 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种CMOS芯片抗闩锁电路设计
杨东亮
王梅
郭警涛
《山西电子技术》
2021
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