基于BSIM-BULK的体接触SOI器件的射频建模

提出了一种适用于体接触SOI器件的建模方法。在BSIM-BULK模型的基础上,模型新增一个SOI器件所需的体端口,对体-衬底的结构进行表征,通过外围寄生电路模型来表征SOI的射频寄生效应。提出了明确的参数提取方法。通过调节外围寄生元件参数以及内部模型参数,拟合测试数据曲线得到SOI模型。模型可以准确表征SOI器件工作区域的特性,使BSIM-BULK可以适用于SOI器件。射频模型参数提取之后,模型仿真数据和测试数据吻合良好。