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LPEInAsPSb外延层组分分布的均匀性的研究
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作者 王永珍 金长春 吕贵进 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期58-61,共4页
本文采用LPE生长技术,分析、研究了降温、恒温两种方法生长的InAsPSb外延层组分分布。实验结果表明,用恒温方法生长的外延层,P、Sb组分分布均匀不变。
关键词 化合物半导体 外延生长 外延层分布 均匀性
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