外延层剥离技术(ELO)制备GaAs薄膜太阳电池

通过外延层剥离技术获得GaAs薄膜太阳电池样品,实验对比了正向和反向外延结构方法,解释了现有技术条件下,采用新颖的反向外延结构制备GaAs薄膜太阳电池的原因。对样品进行了光电转换性能测试,并对实验结果进行了讨论。

大面积、高性能柔性GaInP/GaAs/InGaAs叠层太阳电池的制备（英文）

柔性高效Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池正在被开发、应用于无人机、可穿戴设备和空间能源等领域.采用MOCVD技术在Ga As衬底上制备太阳电池外延层,之后通过低温键合和外延层剥离方法将外延层转移到柔性衬底上.通过外延层剥离设备设计和大量参数优化实验,实现了GaAs太阳电池结构从四英寸砷化镓晶圆上的有效分离,且不产生缺陷并保持原有的性能.近期,在50μm聚酰亚胺薄膜上制备的30 cm^2大面积柔性GaInP/Ga As/InGaAs三结太阳电池实现了31. 5%的转换效率(AM0光谱),其中开路电压3. 01 V,短路电流密度16. 8 mA/cm^2,填充因子0. 845.由于采用了轻质的聚酰亚胺材料,所得到的柔性太阳电池面密度仅为168. 5 g/m^2,比功率高达2 530 W/kg.

透射式硅基液晶微显示器研制

设计并研制了一种单色透射式硅基液晶微显示器,详细论述了透射式硅基液晶微显示器的整个研制工艺流程。为实现透射式结构,驱动背板芯片采用SOI CMOS工艺设计并且流片;使用两次键合的工艺完成了驱动背板芯片硅外延层的剥离和转移,掌握了实现透明背板的关键技术;以此透明背板为驱动基板完成了SXGA单色透射式硅基液晶微显示器的研制。